0402chiprlc制程與不良品分析流程-版本2(編輯修改稿)
2025-02-01 23:20 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 示 Fe於 Ni鍍層含量過(guò)高CuNiSn錫層厚度不足 ,吃錫不良允收標(biāo)準(zhǔn) : 根據(jù)進(jìn)貨尺寸檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及電容值驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)判定 AMBIT Microsystems Corporation認(rèn) 識(shí) 電 鍍陰極棒 ? 電鍍 (electroplating) 是一種電沉積過(guò)程 ,利用電解體在電極沉積金屬 ,小型物 Chip R/C主要使用滾桶電鍍 .? Chip R/C端電極電鍍流程 :弱酸處理 ( 3% H2SO4 ) , 90sec 去除氧化層及增加表面粗糙度表面髒污洗淨(jìng)30sec NiSO4 , NiCl2 , H3BO3ph =, 55 oCNa3PO4 , 鹼性P含量 2~5% , 50~55oC (酸性錫槽 )P含量 1~2% (中性錫槽 )每日須更換 1~2 回中和之目的 :將鍍鎳液洗去30 sec 成份同鍍錫槽 ,但濃度較低避免水洗槽殘液稀釋鍍錫槽將中和液洗去以免污染熱水槽須使用純水50 +10 oC將鍍錫液洗去以免鍍錫液腐蝕鍍膜乾燥方式可有 :酸性浴 中性浴Sn SO4電阻 Epoxy Paste電容 BaTiO3電感 Fe3O4 不耐酸 ,採(cǎi)用中性浴手動(dòng) or. 自動(dòng)導(dǎo) 電 球不銹鋼上鍍 Ni及 Sn AMBIT Microsystems Corporation一 . 鍍?cè)〉某煞菁捌涔δ?: ? 金屬鹽 ：提供金屬離子之來(lái)源如硫酸鎳 ,NiSO4.? 導(dǎo)電鹽及陽(yáng)極溶解助劑 : 陽(yáng)極有時(shí)會(huì)形成鈍態(tài)膜，不易補(bǔ)充金屬離，則需加陽(yáng)極溶解助劑。 例如鍍鎳時(shí)加氯鹽 ,NiCl2.? 緩衝劑 : 電鍍條件通常有一定 pH值範(fàn)圍，防止 pH值變動(dòng)加緩衝劑，尤其是中性鍍?cè)? (pH5～ 8), PH值控制更為重要 .常見(jiàn) 調(diào)節(jié) PH值的緩衝劑為 H3BO3.? 鍍層性質(zhì)改良添加劑 : 例如小孔防止劑、硬度調(diào)節(jié)劑、光澤劑等改變鍍層的物理化學(xué)特性之添加劑 . ? 潤(rùn)濕劑 : 一般為界面活性劑又稱(chēng)去孔劑 .二 . 鍍?cè)〉臏?zhǔn)備 。 。 ，倒入一個(gè)清潔電鍍槽內(nèi)。 ，如 pH值、溫度、表面張力、光澤劑等。 。 AMBIT Microsystems Corporation(1)鍍液組成 ：對(duì)鍍層結(jié)構(gòu)影響最大，例如氰化物 鍍?cè)』蜓}鹽鍍?cè)〉腻儗?，要比酸性? 鹽的鍍層細(xì) 緻。其他如光澤劑等添加劑都影響很大。(2)電流密度 ： 電流密度提高某一限度時(shí)，氫氣會(huì)大量析出，電流效率低，產(chǎn)生陰極極化 作用，樹(shù)枝 狀結(jié)晶將會(huì)形成。(3)鍍 浴溫度 ： 溫度升高，極化作用下降，使鍍層結(jié)晶粗大，可提高電流密度來(lái)抵消。 (4)浴 電 壓 ：依浴組成、極面積、極距、攪拌、電流密度等而不同，必須實(shí)測(cè)之。滾桶 電鍍較一般電鍍的電阻大、陽(yáng)極面積小、電流密度小，因而使用高濃度浴 或提高導(dǎo)電鹽的濃度，普通電壓為 9~12V，亦有高至 15V。 (5)液的淨(jìng)化 ： 陽(yáng)極泥、沈碴等雜質(zhì)會(huì)影響鍍層如麻點(diǎn)、結(jié)瘤、粗糙的表面，也會(huì)降低鍍 層之防蝕能力，所以必須經(jīng)常過(guò) 濾 或連續(xù) 性過(guò) 濾 固體粒子。 淨(jìng)化主要有下 列四種： (a)利用濾材過(guò)濾固體粒子 (b)利用活泩?zhí)己瓦^(guò)濾去固體粒子和有 機(jī)物 (c)利用弱電解除去金屬不純物 (d)利用置換、沈澱、調(diào)整 PH等化學(xué)方 法，去特殊的不純物。 (6)攪 拌 ：可防止氫氣停滯件表面形成針孔，一般攪拌可得到較細(xì)緻鍍層，但鍍?cè)⌒? 過(guò)濾清潔，否則雜 質(zhì)因攪拌而染鍍件表面產(chǎn)生結(jié)瘤或麻點(diǎn)等缺點(diǎn)。 可利用 空氣攪拌、陰極移動(dòng)、鍍液循環(huán)等方式進(jìn)行操作。 電鍍影響因素 AMBIT Microsystems Corporation Misalign? 不良品定義 :偏移量大於 50%元件焊端 寬度或大於 50% pad寬度? 形成原因 : 置件偏移零件超出 pad 零件在 trace線路上造成短路零件偏移 D50% W 或 D50% P AMBIT Microsystems Corporation Pad InteractionLarge temperature differenceThermal unbalance? 和 pad連接的 trace如果在兩端不對(duì)稱(chēng) ,易造成墓碑或偏移? Vias or
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