0402chiprlc制程與不良品分析流程-版本2(參考版)
2025-01-16 23:20本頁(yè)面
【正文】 可利用 空氣攪拌、陰極移動(dòng)、鍍液循環(huán)等方式進(jìn)行操作。 淨(jìng)化主要有下 列四種： (a)利用濾材過(guò)濾固體粒子 (b)利用活泩?zhí)己瓦^(guò)濾去固體粒子和有 機(jī)物 (c)利用弱電解除去金屬不純物 (d)利用置換、沈澱、調(diào)整 PH等化學(xué)方 法，去特殊的不純物。滾桶 電鍍較一般電鍍的電阻大、陽(yáng)極面積小、電流密度小，因而使用高濃度浴 或提高導(dǎo)電鹽的濃度，普通電壓為 9~12V，亦有高至 15V。(3)鍍 浴溫度 ： 溫度升高，極化作用下降，使鍍層結(jié)晶粗大，可提高電流密度來(lái)抵消。其他如光澤劑等添加劑都影響很大。 。 ，倒入一個(gè)清潔電鍍槽內(nèi)。 例如鍍鎳時(shí)加氯鹽 ,NiCl2.? 緩衝劑 : 電鍍條件通常有一定 pH值範(fàn)圍，防止 pH值變動(dòng)加緩衝劑，尤其是中性鍍?cè)? (pH5～ 8), PH值控制更為重要 .常見(jiàn) 調(diào)節(jié) PH值的緩衝劑為 H3BO3.? 鍍層性質(zhì)改良添加劑 : 例如小孔防止劑、硬度調(diào)節(jié)劑、光澤劑等改變鍍層的物理化學(xué)特性之添加劑 . ? 潤(rùn)濕劑 : 一般為界面活性劑又稱(chēng)去孔劑 .二 . 鍍?cè)〉臏?zhǔn)備 。 AMBIT Microsystems CorporationChip R/C 製程與原材不良分析流程Prepared by:HaoYung(Josh) Chao AMBIT Microsystems CorporationOutlineChip Capacitor構(gòu)造與製造流程Chip Resistor構(gòu)造與製造流程信賴(lài)性測(cè)試項(xiàng)目 PCB Pad 設(shè)計(jì) Chip R/C不良原因分析魚(yú)骨圖Chip R/C爬錫不良模式定義Chip R/C不良來(lái)源及改善方法Chip R/C原材不良分析流程 Conclusion 電鍍流程簡(jiǎn)介 AMBIT Microsystems CorporationChip Capacitor構(gòu)造DC1C2C3C4ACapacitance Equation :(F/m)?介電材料於外加電壓後 ,晶格內(nèi)正電荷和負(fù)電荷背離移動(dòng) ,造成電雙極現(xiàn)象 .cubicDeform AMBIT Microsystems Corporation?每一層電極交錯(cuò)長(zhǎng)度誤差不可大於 10 Microns.?陶瓷基板為介電材料加上少許稀土元素 Example: BaTiO3 + RuO2(藍(lán)色 )?內(nèi)部電極可分為兩系列 : 貴重金屬 : Ag/Pd Base Metal: Ni?外部電極 I 為 Ag 或 Cu.?如果外部電極為 Cu,則不可在空氣下燒結(jié) ,因 Cu在空氣環(huán)境中加熱易氧化產(chǎn)生 CuO,故須 於大氣壓 106~107 Torr間生產(chǎn) .Chip Capacitor材料及結(jié)構(gòu)5 micros20~30 micros AMBIT Microsystems Corporation精密陶瓷的製造流程係先將介電材料粉體與黏結(jié)劑、分散劑、塑化劑等有機(jī)物攙配成漿料後，藉黏結(jié)劑作用使粉體能聚集在一起，而形成有足夠強(qiáng)度的生胚薄片，後續(xù)再經(jīng)刮刀成型、燒結(jié)及品檢等製程後，即為精密陶瓷基板，成為被動(dòng)電子元件的主要基材。Chip Capacitor製造流程陶瓷基板成型流程 : AMBIT Microsystems CorporationChip Capacitor製造流程製粉調(diào)漿Milling測(cè)試 包裝Testing Taping 端電極沾附Termination燒結(jié)Sintering切割Cutting印刷 疊層 壓合Printing Stacking lamination薄帶成型Tape casting AMBIT Microsystems CorporationChip Resistor 構(gòu)造Structure substrate (Al2O3) mm termination (AgPd) 11 ?m termination(AgPd or Ag) 11 ?m layer (RuO2) 11 ?m layer (SiO2) 11 ?m
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