半導體的熱電性質(zhì)ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-02 12:49 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 電動勢 —— Θn 。 由于電子與空穴的濃度梯度 、 擴散系數(shù) 、 遷移率等物理參量不同 ， 理論上 Θp與 Θn大小不同 ， 因此樣品兩端的總溫差電動勢大小應為 |ΘpΘn |， 方向則由 Θp與 Θn的大小決定 。 金屬 金屬 T0 T0+ΔT 均勻摻雜半導體 + + + + Θn + Θp 三、兩種半導體的溫差電動勢效應 —— 塞貝克效應 考慮兩種摻雜濃度不同的 n型半導體 a、 b組成的閉合回路 ， 假定 nanb，在 A、 B兩個接觸點就會發(fā)生電子擴散 ， 單位時間內(nèi)由半導體 a擴散到半導體 b的電子數(shù)要比 b擴散到 a中的電子數(shù)多 ， 半導體 a因失去電子帶正電 ，半導體 b因得到電子帶負電 ， 于是在接觸處便形成了電位差 ， 該電位差稱為 接觸電勢 。 設(shè) A、 B兩處的接觸電勢分別為 εA、 εB 。 理論證明 ， 接觸電勢是與溫度成正比的 。 顯然 A、 B兩端溫度相同時 ， εA=εB ， 此時整個回路的電勢差因兩者相互抵消而為 0。 若 A端溫度為 T0， B端溫度為 T0+ΔT， 則回路的總電
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