半導(dǎo)體的熱電性質(zhì)ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-02 12:49 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 電動(dòng)勢(shì) —— Θn 。 由于電子與空穴的濃度梯度 、 擴(kuò)散系數(shù) 、 遷移率等物理參量不同 ， 理論上 Θp與 Θn大小不同 ， 因此樣品兩端的總溫差電動(dòng)勢(shì)大小應(yīng)為 |ΘpΘn |， 方向則由 Θp與 Θn的大小決定 。 金屬 金屬 T0 T0+ΔT 均勻摻雜半導(dǎo)體 + + + + Θn + Θp 三、兩種半導(dǎo)體的溫差電動(dòng)勢(shì)效應(yīng) —— 塞貝克效應(yīng) 考慮兩種摻雜濃度不同的 n型半導(dǎo)體 a、 b組成的閉合回路 ， 假定 nanb，在 A、 B兩個(gè)接觸點(diǎn)就會(huì)發(fā)生電子擴(kuò)散 ， 單位時(shí)間內(nèi)由半導(dǎo)體 a擴(kuò)散到半導(dǎo)體 b的電子數(shù)要比 b擴(kuò)散到 a中的電子數(shù)多 ， 半導(dǎo)體 a因失去電子帶正電 ，半導(dǎo)體 b因得到電子帶負(fù)電 ， 于是在接觸處便形成了電位差 ， 該電位差稱為 接觸電勢(shì) 。 設(shè) A、 B兩處的接觸電勢(shì)分別為 εA、 εB 。 理論證明 ， 接觸電勢(shì)是與溫度成正比的 。 顯然 A、 B兩端溫度相同時(shí) ， εA=εB ， 此時(shí)整個(gè)回路的電勢(shì)差因兩者相互抵消而為 0。 若 A端溫度為 T0， B端溫度為 T0+ΔT， 則回路的總電
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