[理學]第二章襯底制備(編輯修改稿)
2025-04-17 22:15 本頁面
【文章內容簡介】 0。溫度太低 籽晶不熔或不生長；合適溫度 籽晶與熔硅可長時間接觸， 既不會進一步融化，也不會生長； ③ 收頸n 目的：抑制位錯從籽晶向晶體延伸；n 直徑： 23mm；n 長度： 20mm；n 拉速： ④ 放肩n 溫度：降 1540℃ ；n 拉速： ； ⑤ 收肩n 35mm時，提高拉速： ；n ；⑥ 等徑生長n 拉速： ；⑦ 收尾n 熔硅料為 ，停止坩堝跟蹤。 二、懸浮區(qū)熔法（ floatzone， FZ法）n 特點： ① 可重復生長、提純單晶，單晶純度較 CZ法高；② 無需坩堝、石墨托，污染少；③ FZ單晶：高純、高阻、低氧、低碳；n 缺點： 單晶直徑不及 CZ法。 三、水平區(qū)熔法（布里吉曼法） GaAs單晶 直拉法 vs區(qū)熔法 u 直拉法，更為常用 (占 75％以上 ) －便宜 －更大的圓片尺寸 (400mm已生產 ) －剩余原材料可重復使用 －位錯密度： 0～ 104cm2u 區(qū)熔法 －高純度的硅單晶 (不使用坩鍋 )（電阻率 2022Wmm） －成本高，可生產圓片尺寸較小 (200mm) － 主要用于功率器件 －位錯密度： 103～ 105cm2167。 襯底制備n 襯底制備包括： 整形、晶體定向、晶面標識、晶面加工。一、硅錠整型處理定位邊（參考面）150mm或更小直徑定位槽200mm或更大直徑截掉頭尾、
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