[高等教育]ic工藝技術6-外延(編輯修改稿)
2025-02-11 21:05 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 以紅外加熱要比感應加熱自摻雜要嚴重，過渡區(qū)也差一些 T2 T3 T4 基座溫度 T1 T1T2T3T4 感應加熱 外延的過渡區(qū) 1) 過渡區(qū)的定義： 在外延與襯底界面 外延電阻率差二個 數(shù)量級 2) 過渡區(qū)寬度對器件的影 響：過渡區(qū)小 好 3) 影響過渡區(qū)的因素： a襯底外擴散 b自摻雜 c外延主摻雜 R E S I S T I V I T Y / 7 8 7 1 0 1 / A s0 . 0 0 10 . 0 10 . 111 01 0 00 5 1 0 1 5 2 0 c b a 以 P/P+為例減少自摻雜的試驗 外延條件 外延結果 ΩCM 40 ΩCM 95 1220186。C 95 1200 85 1180 65 75 36 1060186。C 95 1080 50 1100 6 1181。 SIO2 150 減少自摻雜的方法 ? 背封 ? 摻 sb的襯底比摻 As的自摻雜小 ? 不同外延爐自摻雜不同 ? 減壓外延 ? 采用大量的 H2趕氣，可減少自摻雜 ? 采用二步法外延 ? 常見缺陷有：層錯、位錯、滑移線、霧、小丘、桔皮狀、邊緣凸起、表面顆粒等 ? 造成原因： 表面有損傷層，易產(chǎn)生層錯 與 (111)取向偏離小于 ，易產(chǎn)生乳凸狀小丘 硅片受熱不均勻，易產(chǎn)生滑移線 外延系統(tǒng)漏氣易產(chǎn)生白霧 硅片表面不潔，或反應室臟易產(chǎn)生顆粒 1)層錯 ? 產(chǎn)生原因：襯底 表面有損傷，或 不干凈 ? 減少層錯的方法： 用 HCL腐蝕襯底 表面去除損傷層 及清潔硅片表面 表面顆粒 : 與外延系統(tǒng)及襯底的清潔度有關， 下圖是用表面沾污儀測試結果 表面呈乳凸狀小丘：產(chǎn)生原因與襯底取向有關，與(111)取向偏離小于 1186。 (111)硅片的滑移線 滑移線 ?產(chǎn)生原因 ： 硅片在熱處理過程中， 受熱不均勻， 在 1200186。C 當中心和邊緣的溫差， 大于 25186。C 時，其屈應 力大于 1000PSI，易 產(chǎn)生滑移線，它會嚴 重地影響成品率。感應 加熱及大直徑硅片溫差 大，易產(chǎn)生滑移線。 外延后埋層圖形變粗糙 與外延的氣氛及埋盡的表面狀變有關 外延系統(tǒng)有輕微漏氣外延后有輕微白霧 下圖是經(jīng)鉻酸腐蝕后看到的層錯和霧 類似三角形缺陷 ? 原因：表面氧化層沒去凈
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