[高等教育]ic工藝技術6-外延-文庫吧資料
2025-01-21 21:05本頁面
【正文】 小 ? 只有單反應室所以利用率低 ? MTC公司在 AMC78XX的基礎上把爐體加大基座加大，溫度由 3段控制改成 8段控制使產能提高了的 50%均勻性由5%提高到 3% ? 該爐子特別適合于電路片的生產，由于不易產生滑移線所以成品率也相對較高，背面較好。片子背面易長多晶。 中低頻加熱 ：基座溫度高于硅片硅片和基座 溫差大25186。C , 易產生滑移線， 但自摻雜少。感應 加熱及大直徑硅片溫差 大，易產生滑移線。C 當中心和邊緣的溫差， 大于 25186。 SIO2 150 減少自摻雜的方法 ? 背封 ? 摻 sb的襯底比摻 As的自摻雜小 ? 不同外延爐自摻雜不同 ? 減壓外延 ? 采用大量的 H2趕氣，可減少自摻雜 ? 采用二步法外延 ? 常見缺陷有：層錯、位錯、滑移線、霧、小丘、桔皮狀、邊緣凸起、表面顆粒等 ? 造成原因： 表面有損傷層，易產生層錯 與 (111)取向偏離小于 ，易產生乳凸狀小丘 硅片受熱不均勻，易產生滑移線 外延系統(tǒng)漏氣易產生白霧 硅片表面不潔，或反應室臟易產生顆粒 1)層錯 ? 產生原因：襯底 表面有損傷，或 不干凈 ? 減少層錯的方法： 用 HCL腐蝕襯底 表面去除損傷層 及清潔硅片表面 表面顆粒 : 與外延系統(tǒng)及襯底的清潔度有關， 下圖是用表面沾污儀測試結果 表面呈乳凸狀小丘：產生原因與襯底取向有關，與(111)取向偏離小于 1186。C 95 1200 85 1180 65 75 36 1060186。 ：硅片的溫度高于基座，外延時硅片背面的硅和雜質原子在向基座轉移過程中跑出來形成自摻雜。 外延過程自摻雜的停滯層解釋 ?在外延過程中襯底表面由于原子間的引力， 有一個停滯層， ?襯底中重摻的雜質被吸附在停滯層 , ?沉積時以自摻雜進入外延層中。 ? 溫度升高畸變減少 ? 降低外延壓力 (采用減壓外延 ) ? 降低生長速率 (減少氯含量 ) ? 對于 (111)取向偏離 34186。 ? 畸變原因： 主要是 HCL腐蝕硅片表面，在臺階處，由于取向不同使各方向腐蝕速率不同結果產生畸變。 上片漂移小糾偏過頭 下片糾偏較正確 Distortion ? 外延后圖形增大或縮小 ,變模糊 ,甚之消失。 關鍵：要知道漂移量，同時要控制各爐子相同。 產生原因是外延的反應產物 HCL，擇優(yōu)腐蝕埋層邊緣，使埋層圖形產生位移。) ? HCL腐蝕 ? 趕氣 ? 外延沉積 ? 趕氣并降溫 ? N2趕氣 (3’) ? 取片 10 20 30 40 50 60 70 80020040060080010001200溫溫溫溫(溫)腐腐腐腐腐 腐 ? 清潔表面減少缺陷 ? 減少前工藝所引入的損傷，降低和消除晶體缺陷 ? HCL的腐蝕量約 ，我們選用腐蝕速率為 ’約去除 。C) ? 烘烤 6’ ? 升 溫 (1200186。 CMOS電路的 latchup效應
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