[高等教育]ic工藝技術6-外延-展示頁
2025-01-24 21:05本頁面
【正文】 用重摻襯底加外延可以減小這效應 Rs Rw 1)反應式 SiHX1CLY+X2H2 Si+YHCL 2)主要外延生長源 硅源 生長速率 181。 ? 外延是一種單晶生長技術但又不同于拉晶、也不同于一般的 CVD 。集成電路工藝技術講座 第六講 外延工藝 Epitaxy 外延技術講座提要 ? 外延工藝簡述 ? 外延的某些關鍵工藝 ? 幾種常見外延爐性能比較 ? 外延工藝及設備的展望 一、外延工藝簡述 ? Epi— taxy是由希臘詞來的表示在上面排列 upon to arrange。 ? 外延的含意是在襯底上長上一層有一定厚度一定電阻率及一定型號的單晶。 ? 減少串聯(lián)電阻 ? 簡化隔離技術 ? 消除 CMOS的可控硅效應 ? 可以根據器件的要求 ,隨心所欲地生長 ,各種不同型號，不同電阻率和厚度的外延層。m/m 生長溫度 允許含氧量 sicl4 11501200 510ppm sihcl3 11001200 510ppm sih2cl2 10501150 5ppm sih4 9501050 2ppm （ Y=X1+2X2） ? 裝片 ? 趕氣 ? 升溫 ? 恒溫 (850186。 199。 ? 摻雜源： N型： PH3/H2 AS3/H2 P型： B2H6/H2 ? 摻雜方式： source%=inject% diluent%=100%inject% ? 摻雜計算 ρTest/ρTarget = DNTarget/ DNTest ? 實際的修正 由于有自摻雜因此實際摻雜量還應減去自摻雜的量 ? 晶體缺陷： 層錯 ,位錯 ,滑移線 ,點缺陷 ,顆粒 ,霧 ,小丘 ? 分析手段： 顯微鏡、干涉相襯顯微鏡、 uv燈 、掃描電鏡、表面沾污掃描儀 1) 外延表面缺陷的顯示和測試 缺陷的顯示 ? 對于 (111)取向： Sirtl： HF： 5m CrO3=1:1 ? 對于 (100)取向： Wright： a. 45gCrO3+90mlH2O (NO3)+180mlH2O +180mlHAC+180mlH a:b:c=1:1:1 ? 染色腐蝕液： HF:HNO3:HAC=1:3:7 2)電阻率測試 ? 三探針 : n/n+ p/p+ 探針接觸電阻大 ? 四探針 : p/n n/p 當在界面有低阻過渡區(qū)時測試不準 ? SRP: n/n+ p/p+ n/p p/n 要求知道襯底型號與取向，否則測試不準 ? CV:n/n+ p/p+ n/p p/n 要求嚴格的表面清潔處理 四探針 srp Srp還可測濃度 (或電阻率 )與結深的關系，可看過渡區(qū)寬度，是一個很好的分析測試手段 基區(qū)太深使擊穿下降 基區(qū)結深合理擊穿提高 3)厚度測試 磨角染色再用干涉顯微鏡測厚度 層錯法： 對于 (111) T= 對于 (100) T= 紅外測厚儀：范圍 精度 滾槽法： T=(XY)/D Y x D L L 二、外延的一些關鍵工藝 pattern shift 對于 (111)晶體在與 110定位
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