ic工藝技術(shù)11-ic制造中的質(zhì)量控制-文庫吧資料
2025-01-12 19:31本頁面
【正文】 % (Torr) (slpm)結(jié)果：刻蝕速率全因素試驗(yàn) 每個參數(shù)（因子）取三個值，需做 37即 2187次試驗(yàn)刻蝕試驗(yàn)的正交矩陣 (OA)因素 1 2 3 4 5 6 7試 1 L L L L L L L試 2 L L L H H H H試 3 L H H L L H H試 4 L H H H H L L試 5 H L H L H L H試 6 H L H H L H L試 7 H H L L H H L試 8 H H L H L L H刻蝕試驗(yàn)的試驗(yàn)參數(shù)變量 H級 L級1 RF功率 (w) 500 1002 壓力 (mTorr) 50 103 腔室溫度 (?C) 80 404 CF4% 75 505 本底壓力 (Torr) 1x104 1x1056 硅片數(shù)量 4 17 總氣流量 (slpm) L8 OA試驗(yàn)刻蝕結(jié)果1 2 3 4 5 6 7 Etch rate(kA/min)試 1 L L L L L L L 試 2 L L L H H H H 試 3 L H H L L H H 試 4 L H H H H L L 試 5 H L H L H L H 試 6 H L H H L H L 試 7 H H L L H H L 試 8 H H L H L L H 方差分析? 試驗(yàn)偏差? SS=[?(H) ?(L)]2/8? 以因素 1（射頻功率）為例? SSpower=()2/8＝ 數(shù)據(jù)分析例變量 SS df V F1 功率 . 1 99%顯著2 壓力 1 99%顯著3 腔室溫度 * * *4 CF4 % 1 99%顯著5 本底壓力 0 * * *6 硅片數(shù)量 1 90%顯著7 總氣流量 * * *（四）統(tǒng)計過程控制 (SPC)Statistical Process Control工藝受控的概念? 生產(chǎn)中即使原料和工藝條件 ‘保持不變 ’，工藝結(jié)果也存在起伏．原因分兩類： （不可避免）－服從統(tǒng)計規(guī)律 如過失誤差，條件改變，變化突然異常大，或有一定趨勢．? 若只存在隨機(jī)原因引起的起伏稱工藝處于統(tǒng)計受控狀態(tài)正態(tài)分布函數(shù)T=6?TL TU3? 3?X%X 控制圖UCLLCLX控制圖? 平均值－極差控制圖 (XR) 平均值控制圖的控制限計算 UCL=T+3? LCL=T3? T:參數(shù)目標(biāo)值 極差控制圖的控制限計算 UCL=D4 R LCL=D3R R： 極差平均值? 平均值－標(biāo)準(zhǔn)差控制圖 (XS)SPC流程? 確定關(guān)鍵工藝過程節(jié)點(diǎn)及其關(guān)鍵工藝參數(shù)? 采集工藝參數(shù)數(shù)據(jù)? 工藝受控狀態(tài)分析? 控制圖失控時，執(zhí)行改進(jìn)行動 (OCAP)控制圖失控判據(jù)
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