ic工藝原理制造第8章-文庫(kù)吧資料
2025-05-05 04:28本頁(yè)面
【正文】 )Re s is t ivi t y( ? ? c m )S i l i c o n (S i ) 1412 ? 109D o pe d P o l y s i l i c o n (D o pe d P o l y ) 1412 ? 500 – 525A l um i n um (A l ) 660 2. 65Co ppe r (Cu ) 1083 1. 678T u n gs t e n (W ) 3417 8T i t a ni um ( T i ) 1670 60T a nt a l um ( T a ) 2996 13 – 16M o l y b de n um (M o ) 2620 5P l a t i n u m (P t ) 1772 10? . 器件中的金屬膜 在器件中的作用： —?dú)W姆電極、連線、肖特基接觸 （半導(dǎo)體物理） 金屬功函數(shù)與半導(dǎo)體親合能對(duì)金 —半接觸時(shí)的界面空間電荷區(qū)的影響 阻擋層和反阻擋層的形成 界面態(tài)的影響 ？ 費(fèi)米能級(jí)釘扎 隧穿效應(yīng) 與半導(dǎo)體載流子濃度的關(guān)系 eF W ?? ??實(shí)現(xiàn)低歐姆接觸的途徑 高摻雜（正面） 粗表面（背面） 合金（雙面）：合金層和擴(kuò)散層 表面態(tài)的形成 實(shí)現(xiàn)肖特基接觸的途徑 表面態(tài)的處理 —— 金屬的選擇 表面的處理 鍍膜溫度和速率 表面 費(fèi)米能級(jí)的工藝調(diào)制 . Al在硅器件中的特點(diǎn) Al是硅平面器件中的三種基本材料之一 主要做歐姆電極和連線，也能與 p型硅形成歐姆接觸。其生長(zhǎng)的過(guò)程大致為： ? 晶核形成、晶粒成長(zhǎng)、晶粒聚結(jié)、逢道填補(bǔ)、成積膜成長(zhǎng)。第四單元：薄膜技術(shù) 第 8章：薄膜物理淀積技術(shù) 第 9章：晶體外延生長(zhǎng)技術(shù) 第 10章：薄膜化學(xué)汽相淀積 Test/Sort Implant Diffusion Etch Polish Photo Completed wafer Locations where thin films are deposited Unpatterned wafer Wafer start Thin Films Wafer fabrication (frontend) 第八章：薄膜物理淀積技術(shù) Metal Layers in a Chip Multilevel Metallization on a ULSI Wafer P
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