第4章ic工藝之離子注入-文庫吧資料
2025-02-22 08:10本頁面
【正文】 慢退火”，快速熱退火 分步退火 5） 退火完成的指標(biāo)：電阻率、遷移率、少子壽命 – 1。 – . 注入離子的激活與輻照損傷的消除 ~112 1）注入離子未處于替位位置 2）晶格原子被撞離格點 Ea為原子的位移閾能 atitiT EfEMMMME ??? )((40 ?）大劑量 —— 非晶化 臨界劑量（ P。第四章：離子注入技術(shù) 問題的提出： – 短溝道的形成？ – GaAs等化合物半導(dǎo)體？（低溫摻雜） – 低表面濃度？ – 淺結(jié)？ – 縱向均勻分布或可控分布？ – 大面積均勻摻雜？ – 高純或多離子摻雜？ 要求掌握： – 基本工藝流程（原理和工藝控制參數(shù)） – 選擇性摻雜的掩蔽膜（ Mask） – 質(zhì)量控制和檢測 – 后退火工藝的目的與方法 – 溝道效應(yīng) – 在器件工藝中的各種主要應(yīng)用 – 離子注入技術(shù)的優(yōu)缺點 – 劑量和射程在注入工藝中的重要性 – 離子注入系統(tǒng)的主要子系統(tǒng) – CMOS Structure with Doped Regions nchannel Transistor pchannel Transistor LI oxide p– epitaxial layer p+ silicon substrate STI STI STI n+ p+ pwell nwell p+ p– p+ p– p+ n+ n– n+ n– n+ A B C E F D G H K L I J M N O n+ n n++ p+ p p++ P r o c e s s S te p D op an t M e th od A . p+ S i li c o n S u b s t r a t e B D i f f u s i o n B . p E pi t a xi a l L a y e r B D i f f u s i o n C . R e tr o gr a de n W e ll P I o n I m p l a n t D. R e tr o gr a de p we l l B I o n I m p l a n t E . p C h a nn e l P u n c h t h r o ugh P I o n I m p l a n t F . p C h a nn e l T h r e s h o l d Vo l t a ge ( VT) A d j u s t P I o n I m p l a n t G. p C h a nn e l P u n c h t h r o ugh B I o n I m p l a n t H. p C h a nn e l VT A d j u s t B I o n I m p l a n t I . n C h a nne l L i g h t l y Do pe d Dr a i n ( L DD ) As I o n I m p l a n t J . n C h a nn e l S o ur c e /Dr a i n ( S /D) As I o n I m p l a n t K . p C h a nn e l L DD BF2 I o n I m p l a n t L . p C h a nn e l S /D BF2 I o n I m p l a n t M . S i li c o n Si I o n I m p l a n t N. D o pe d P o l y s il i c o n P
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