離子注入ppt課件-文庫吧資料
2025-05-08 05:03本頁面
【正文】 ? 溝道效應(yīng) ：離子沿溝道前進(jìn)，核阻擋作用小，因而射程比非晶 靶遠(yuǎn)的多。 注入離子分布 （投影偏差）△ RP— 反映了 RP的分散程度（分散寬度） 5. R、 RP及△ RP間的近似關(guān)系 , M1—注入離子質(zhì)量， M2—靶原子質(zhì)量 12P M3M1RR ??2121PPMMMM32RR??Δ2PPP )RX(R ??Δ 注入離子分布 注入離子縱向分布 高斯分布 注入離子在靶內(nèi)不斷損失能量，最后停止在某處；注入離子按一定的統(tǒng)計(jì)規(guī)律分布。 ? ? ? ?? ?ESESdRdEdRdEdRdE enen ????? ? ? ?? ? dEESESdRdE dEdRR E enE 100 00 /??? ? ????? XP： 總射程 R在離子入射方向（垂直靶片）的投影長(zhǎng)度，即離子注入的有效深度。 ? 射程 R的粗略估算 ①注入離子初始能量 E0Ene： Se(E)為主，則 R≈k 1E01/2 k1=2/ke {對(duì)非晶 Si： ke≈1x10 3(eV)1/2μm 1； 對(duì)非晶 AsGa： ke≈ 3x10 3(eV)1/2μm 1； } ②注入離子初始能量 E0 Ene： Sn(E)為主，且假設(shè) Sn(E)= Sn0，則 R≈k 2E0 離子注入機(jī)理 核碰撞與電子碰撞 注入離子分布 R ? 定義：注入離子在靶內(nèi)走過的路徑之和。 ② 中能區(qū)：核阻擋占與電子阻擋相當(dāng)； ③ 低能區(qū)：核阻擋占主要，電子阻擋可忽略； 離子注入機(jī)理 核碰撞與電子碰撞 離子注入機(jī)理 核碰撞與電子碰撞 ? 臨界能量（交叉能量） Ene( Ec): Sn(E)=Se(E)處的能量 ① Ene隨注入離子原子量的增加而增大。 離子注入機(jī)理 核碰撞與電子碰撞 電子阻擋本領(lǐng) ? LSS模型： 電子是自由電子氣，類似黏滯氣體。 ? 能量損失機(jī)制 ? 核阻擋 – 與晶格原子的原子核碰撞 – 大角度散射（離子與靶原子質(zhì)量同數(shù)量級(jí)） – 可能引起晶格損傷（間隙原子和空位） ? 電子阻擋 – 與晶格原子的自由電子及束縛電子碰撞 – 注入離子路徑基本不變 – 能量損失很少 – 晶格損傷可以忽略 ? 典型的注入能量： 5 500keV 離子注入機(jī)理 核阻擋與電子阻擋 核阻擋本領(lǐng) Sn(E) （能量為 E的注入離子） ? Sn(E)=(dE/dx)n (dE/dx)n 核阻擋能量損失率 . 離子注入機(jī)理 核碰撞與電子碰撞 ① 注入離子與靶原子的相互作用
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