半導(dǎo)體制造技術(shù)--離子注入工藝-文庫吧資料
2025-03-05 12:19本頁面
【正文】 染物的效應(yīng)部分注入的接面粒子離子束光阻屏蔽氧化層光阻中的摻雜物104元素污染? 想要的摻雜物和其他元素共同注入造成? 例如： 94Mo++ratio)? 可以高到 100,000： 1? 天線比例越大，越容易使匣極氧化層崩潰101天線比例多晶硅場區(qū)氧化層 匣極氧化層硅基片俯視圖測試圖102粒子污染物? 大型粒子會阻擋注離子束，特別是在低能量離子注入制程 197。30到 10197。低98制程爭點(diǎn)? 晶圓帶電? 粒子污染物? 元素污染? 制程評估99晶圓帶電? 導(dǎo)致匣極氧化層的崩潰? 二氧化硅的介電質(zhì)強(qiáng)度 :低低摻雜漏極 高臨界電壓調(diào)整 高 (20keV),高劑量 t(10keV),低劑量 ,MeV),低劑量 接觸 As/30/3?1015 As/20/3?1015 As/15/3?101593? 高能量 井區(qū) B/225/3?1013 B/200/1?1013 B/175/1?1013抗接面擊穿 B/30/2?1013 B/50/5?1012 B/45/5?1012臨界電壓 B/10/7?1012 B/5/3?1012 B/2/4?1012多晶硅注入 P/30/5?1015 P/20/2?1015 As/40/3?1015多晶硅擴(kuò)散阻隔 N2/20/3?1015低摻雜漏極 (LDD) P/20/5?1013 P/12/5?1013 P/5/3?1013Halo注入 ) As/30/5?1013源極 /漏極 井區(qū) P/600/2?1013 P/400/2?1013 P/300/1?1013抗接面擊穿 P/100/5?1013 As/100/5?1012 As/50/2?1012臨界電壓 B/10/7?1012 B/5/3?1012 B/2/4?1012多晶硅注入 P/30/2?1015 B/20/2?1015 B/20/3?1015多晶硅擴(kuò)散阻隔 N2/20/3?1015低摻雜漏極 (LDD) B/7/5?1013 B/5/1?1014 B/2/8?1013Halo~10sec離子束注入帶區(qū)晶圓旋轉(zhuǎn)臂86旋轉(zhuǎn)盤式晶圓處理系統(tǒng)離子束晶圓87單晶圓掃描系統(tǒng)離子束掃描電極掃描離子束 晶圓移動88離子注入：射束阻擋器? 吸收離子束的能量 (8”)或更大? 需要移動離子束或晶圓或兩者，使離子束均勻地掃描整個晶圓– 旋轉(zhuǎn)輪式– 旋轉(zhuǎn)盤式– 單晶圓掃描85旋轉(zhuǎn)輪式晶圓處理系統(tǒng)旋轉(zhuǎn)速率 :最高到 2400(~1”),? 晶圓直徑 :? 電子淋浴器82電壓泛注系統(tǒng)直流電力燈絲電流+?鎢燈絲電漿氬 離子束晶圓電子83電子槍離子束電子槍二次電子熱燈絲電子晶圓二次電子靶84晶圓處理器? 離子束直徑 :+10kV++–抑制電極 加速電極終端底盤–77離子射束電流控制固定的界定孔徑可調(diào)式垂直葉片離子束78離子束軌跡彎曲中性原子軌跡離子軌跡 晶圓偏壓電極79電荷中性化系統(tǒng)? 離子注入使晶圓帶正電? 造成晶圓帶電效應(yīng)? 驅(qū)除正離子 ,引起射束線放大和不均勻的離子分布? 電弧型態(tài)放電引發(fā)晶圓表面的缺陷? 使匣極氧化層崩潰，低良率? 需要將帶電效應(yīng)消除或最小化80帶電效應(yīng)+(有時候減少 )比 11B+要輕，所以在相同能量時可以比11B+穿透的更深。離子束電流約 11B+離子濃度僅 11B+(向外方向 )飛行管道72BF3比值正確的 m/q可以穿過狹縫? 純化注入的離子束71離子布質(zhì)機(jī)的質(zhì)譜儀離子束太小的 m/q10kV++–抑制電極 萃取電極萃取狹縫俯視圖終端底盤–70離子注入：質(zhì)譜儀? 在磁場中，螺旋轉(zhuǎn)動半徑和磁場強(qiáng)度與 (質(zhì)量 /電荷 )比值有關(guān)? 用來作同位素分離以產(chǎn)生豐富的 keV? 必須要有足夠的能量才能使質(zhì)譜儀選擇出正確的離子種類69萃取系統(tǒng)示意圖離子束I離子源電漿萃取電力 05V,最高電流 120V燈絲 107射束線的長度? 105As選擇離子能量選擇離子束電流下一步驟注入機(jī)57離子注入機(jī)氣體柜離子源真空幫浦真空幫浦電機(jī)系統(tǒng)電機(jī)系統(tǒng)磁鐵分析儀離子束終端分析儀晶圓電漿泛注系統(tǒng)58離子注入：氣體系統(tǒng)? 特殊的氣體遞送系統(tǒng)控制有害的氣體? 更換氣體鋼瓶需要特殊的訓(xùn)練? 氬氣用來吹除凈化和離子束校正59離子注入：電機(jī)系統(tǒng)? 高壓系統(tǒng)– 決定控制接面深度的離子能量? 射頻系統(tǒng)– 部分離子源使用射頻以產(chǎn)生離子60離子注入：真空系統(tǒng)? 需要高度真空以加速離子及減少碰撞? 平均自由路徑 B,BF3,PH3,和 AsH3選擇離子:B,漏極匣極53問與答? 為什么高溫爐的溫度無法像 RTP系統(tǒng)一樣急速上升及冷卻 ?? 高溫爐有非常高的熱容量，需要非常高的加熱功率以快速升高溫度。較好的晶圓對晶圓的均勻 性 ,較佳的熱積存 控制 ,和摻雜物擴(kuò)散的最小化52快速加熱步驟和高溫爐退火多晶硅硅RTP退火 高溫爐退火多晶硅硅二氧化硅匣極源極 Ntype)或是電洞 (acce
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