離子注入技術(shù)(implant)-文庫吧資料
2024-07-27 01:32本頁面
【正文】 法來控制離子束，因而易于實現(xiàn)自動控制，同時也易于實現(xiàn)無掩模的聚焦離子束技術(shù)；⑨ 擴大了雜質(zhì)的選擇范圍；⑩ 離子注入中通過質(zhì)量分析器選出單一的雜質(zhì)離子，保證了摻雜的純度。 質(zhì)量分析器原理圖由得，代入，得：當(dāng)時，即當(dāng)時，離子不被偏轉(zhuǎn)。由一套靜電偏轉(zhuǎn)器和一套磁偏轉(zhuǎn)器組成，E 與 B 的方向相互垂直。 質(zhì)量分析系統(tǒng)分為兩種，質(zhì)量分析器和磁質(zhì)量分析器。其中電子被引出極排斥，而金屬離子則被引出極拉出，形成離子束。 針尖的曲率半徑為 ro = 1 ~ 5 mm，改變 E2 可以調(diào)節(jié)針尖與引出極之間的電場，使液態(tài)金屬在針尖處形成一個圓錐，此圓錐頂?shù)那拾霃?僅有 10 nm 的數(shù)量級，這就是 LMIS 能產(chǎn)生小束斑離子 束的關(guān)鍵。此技術(shù)可應(yīng)用于離子注入、離子束曝光、刻蝕等。LMIS 的典型有效源尺寸為 5 ~ 500 nm，亮度為 106 ~ 107 A/ 。其中，掩模方式需要大面積平行離子束源，故一般采用等離子體型離子源，其典型的有效源尺寸為 100 mm ，亮度為 10 ~ 100 A/。⑦工作室： 放置樣品的地方，其位置可調(diào)。 ⑤聚焦系統(tǒng)： 用來將加速后的離子聚集成直徑為數(shù)毫米的離子束。該加速能量是決定離子注入深度的一個重要參量。 ②質(zhì)量分析器： 不同離子具有不同的電荷質(zhì)量比，因而在分析器磁場中偏轉(zhuǎn)的角度不同，由此可分離出所需的雜質(zhì)離子，且離子束很純。（d） 基本結(jié)構(gòu)離子注入機總體上分為七個主要的部分，分別是：①離子源： 用于離化雜質(zhì)的容器。 (2)當(dāng)遠(yuǎn)大于所對應(yīng)的能量值時，以電子阻擋為主，此時散射角較小，離子近似作直線運動，射程分布較集中。左圖中，時，（b）離子總能量損失率數(shù)值計算曲線（c）Sn Se時離子路徑 （d）Sn Se時離子路徑討論：(1)當(dāng)入射離子的初始能量小于所對應(yīng)的能量值時，以核阻擋為主，此時散射角較大，離子運動方向發(fā)生較大偏折，射程分布較為
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