離子注入技術(shù)(implant)-在線(xiàn)瀏覽
2024-08-24 01:32本頁(yè)面
【正文】 （2）則在內(nèi)總的能量損失為： （3） （4）的計(jì)算比較復(fù)雜，而且無(wú)法得到解析形式的結(jié)果。的計(jì)算較簡(jiǎn)單，離子受電子的阻力正比于離子的速度。（c）。隨著離子能量的降低，逐漸過(guò)渡到以核阻擋為主，離子射程的末端部分又變成為折線(xiàn)。常用的雜質(zhì)源氣體有 BF AsH3 和 PH3 等。③加速器： 為高壓靜電場(chǎng)，用來(lái)對(duì)離子束加速。④中性束偏移器： 利用偏移電極和偏移角度分離中性原子。⑥偏轉(zhuǎn)掃描系統(tǒng)： 用來(lái)實(shí)現(xiàn)離子束 x、y方向的一定面積內(nèi)進(jìn)行掃描。 離子源根據(jù)離子源的類(lèi)型分類(lèi)，可以將其分為兩類(lèi)：等離子體型離子源、液態(tài)金屬離子源（LMIS）。而聚焦方式則需要高亮度小束斑離子源，當(dāng)液態(tài)金屬離子源（LMIS）出現(xiàn)后才得以順利發(fā)展。 液態(tài)金屬離子源是近幾年發(fā)展起來(lái)的一種高亮度小束斑的離子源，其離子束經(jīng)離子光學(xué)系統(tǒng)聚焦后，可形成 納米量級(jí)的小束斑離子束，從而使得聚焦離子束技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)。工作原理： E1 是主高壓，即離子束的加速電壓；E2 是針尖與引出極之間的電壓，用以調(diào)節(jié)針尖表面上液態(tài)金屬的形狀，并將離子引出；E3 是加熱器電源。當(dāng)E2 增大到使電場(chǎng)超過(guò)液態(tài)金屬的場(chǎng)蒸發(fā)值（ Ga 的場(chǎng)蒸發(fā)值為 ）時(shí)，液態(tài)金屬在圓錐頂處產(chǎn)生場(chǎng)蒸發(fā)與場(chǎng)電離，發(fā)射金屬離子與電子。若改變E2的極性 ，則可排斥離子而拉出電子，使這種源改變成電子束源。本文進(jìn)分析質(zhì)量分析器。它由一套靜電偏轉(zhuǎn)器和一套磁偏轉(zhuǎn)器組成，E 與 B 的方向相互垂直。由此可解得不被偏轉(zhuǎn)的離子的荷質(zhì)比為 對(duì)于某種荷質(zhì)比為的所需離子，可通過(guò)調(diào)節(jié)偏轉(zhuǎn)電壓或偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng) B ，使之滿(mǎn)足下式，就可使這種離子不被偏轉(zhuǎn)而通過(guò)光闌: 當(dāng)荷質(zhì)比為的離子不被偏轉(zhuǎn)時(shí)，具有荷質(zhì)比為的其它離子的偏轉(zhuǎn)量為:將前面的B的表達(dá)式:代入，得:討論(1) 為
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