離子注入技術(shù)(implant)-閱讀頁
2024-08-02 01:32本頁面
【正文】 屏蔽荷質(zhì)比為的離子，光闌半徑D必須滿足:(2) 若 D 固定，則具有下列荷質(zhì)比的離子可被屏蔽:而滿足下列荷質(zhì)比的離子均可通過光闌:以上各式可用于評價(jià)質(zhì)量分析器的分辨本領(lǐng)。 缺點(diǎn)：① 離子注入將在靶中產(chǎn)生大量晶格缺陷； ② 離子注入難以獲得很深的結(jié)深；③ 離子注入的生產(chǎn)效率比擴(kuò)散工藝低；④ 離子注入系統(tǒng)復(fù)雜昂貴。在前者中，由于該技術(shù)的應(yīng)用，產(chǎn)生了大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。 生產(chǎn)廠家介紹目前全球最大的幾家離子注入機(jī)設(shè)備廠商是VARIAN（瓦里安 ）, AXCELIS, AIBT（漢辰科技）, 而全球最大的設(shè)備廠商AMAT（應(yīng)用材料）基本退出了離子注入機(jī)的制造領(lǐng)域，高能離子注入機(jī)以AXCELIS為主，主要為批量注入。中束流（μA量級）的機(jī)型有350D、NV6200A、NV1080，而大束流（mA量級）的機(jī)型有NV10160、NV10160SD、NV10180。離子束能量分類：80KeV 形式：2 80KeV（也可選90KeV）160KeV形式：5 – 160KeV(也可選180KeV)（a）80KeV注入機(jī)的最大束流（b）160KeV注入機(jī)的最大束流可以看出，最大束流強(qiáng)度隨著離子能量的增加而變大，但當(dāng)增大到一定值時(shí)則停止增加，這說明束流強(qiáng)度已經(jīng)達(dá)到飽和。半導(dǎo)體摻雜仍是未來電子技術(shù)發(fā)展水平的瓶頸，因?yàn)橐胪黄片F(xiàn)有的集成規(guī)模，必須能夠制造出更加精細(xì)化的元器件，這就需要摻雜工藝更加精細(xì)，更具有可控性。 目前，離子注入技術(shù)已經(jīng)被應(yīng)用到太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域。我們知道，太陽能電池領(lǐng)域是21世紀(jì)能源競爭的主戰(zhàn)場，因此發(fā)展離子注入技術(shù)、培養(yǎng)這方面的人才刻不容緩。贈語； 如果我們做與不做都會有人笑，如果做不好與做得好還會有人笑，那么我們索性就做得更好，來給人笑吧！ 現(xiàn)在你不玩命的學(xué)，以后命玩你。不要做金錢、權(quán)利的奴隸；應(yīng)學(xué)會做“金錢、權(quán)利”的主人。最值得欣賞的風(fēng)景，是自己奮斗的足跡。壓力不是有人比你努力，而是那些比你牛幾倍的人依然比你努
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