集成電路工藝基礎(chǔ)——04_離子注入-閱讀頁
2025-01-18 13:40本頁面
【正文】 熱退火過程中的擴(kuò)散效應(yīng) ? 注入雜質(zhì)經(jīng)退火后在靶內(nèi)的分布仍然是高斯分布 ? 標(biāo)準(zhǔn)偏差需要修正 ? 擴(kuò)散系數(shù)明顯增加 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 熱退火過程中的擴(kuò)散效應(yīng) ?高斯分布的雜質(zhì)在熱退火過程中會使其分布展寬 ，偏離注入時的分布，尤其是尾部，出現(xiàn)了較長的按指數(shù)衰減的拖尾 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 快速熱退火（ RTA） ?傳統(tǒng)熱退火的缺點(diǎn) ? 不能完全消除缺陷，產(chǎn)生二次缺陷 ? 高劑量注入時的電激活率不夠高 ? 高溫長時間熱退火會導(dǎo)致明顯的雜質(zhì)再分布 ?快速退火 （ Rapid Thermal Annealing） 技術(shù) ? 在氮?dú)饣蚨栊詺怏w的氣氛下，極短的時間內(nèi)，把晶片溫度提高到 1000℃ 以上。 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 6. 假設(shè) B以 100KeV、每平方厘米 5 1014個離子的劑量注入進(jìn)入 200mm的硅晶片，試計算峰值濃度。 （已知： B以 100KeV的能量注入硅中時，投影射程為 ，投影偏差為 ） 試計算在中性環(huán)境中， 950℃ 、 30min硼預(yù)置摻雜情況的結(jié)深與雜質(zhì)總量。擴(kuò)散系數(shù) D此時為 4 1015cm2s1.） 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 02:43:3402:43:3402:431/24/2023 2:43:34 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。 02:43:3402:43:3402:43Tuesday, January 24, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 43分 34秒 02:43: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 2023年 1月 上午 2時 43分 :43January 24, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 上午 2時 43分 34秒 上午 2時 43分 02:43: ? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 02:43:3402:43:3402:431/24/2023 2:43:34 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 02:43:3402:43:3402:43Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 43分 34秒 02:43: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 2023年 1月 上午 2時 43分 :43January 24, 2023 ? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 上午 2時 43分 34秒 上午 2時 43分 02:43: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 02:43:3402:43:3402:431/24/2023 2:43:34 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 02:43:3402:43:3402:43Tuesday, January 24, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 :43:3402:43:34January 24, 2023 ? 1意志堅強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 上午 2時 43分 :43January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 上午 2時 43分 34秒 上午 2時 43分 02:43: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴
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