【正文】 案。 58 59 英特爾 4004微處理器 ? 隨著歷史的前進，集成電路早已讓路于微處理器。據(jù)霍夫介紹，4004微處理器的計算能力其實并不輸于世界上第一臺計算機 ENIAC(電子數(shù)字積分計算機 )，但卻比 ENIAC小得多。 60 61 “普爾薩”數(shù)字手表 ? 繼便攜式計算器和數(shù)字手表之后，集成電路的下一個主要商業(yè)應(yīng)用也許就是“手腕計算機”。漢米爾頓公司推出的“普爾薩”是世界上第一只數(shù)字手表。 62 63 集成電路工藝突飛猛進 ? 如今，芯片制造商 (如英特爾、 AMD等公司 )生產(chǎn)的芯片上所集成的晶體管數(shù)量已達到了空前的水平，而且每個晶體管的體積變得非常微小。此外，現(xiàn)在的處理器上單個晶體管的價格僅僅是 1968年晶體管價格的百萬分之一。 1971 4004 174。 1989 386 174。 transistor /chip 10 181。m 181。 2023年：奔騰 4 E系列推出，采用 90nm工藝。 ? 2023年：基于全新 45納米 HighK工藝的 intel酷睿 2 E7/E8/E9上市。 ? 2023年： P1272 14納米 ? 2023年： P1274 10納米 74 ? 我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段： 1965年 1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件； 1978年 1990年：主要引進美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化； 1990年 2023年：以 908工程、 909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。該專項國撥經(jīng)費 6億元。 ? 2023年 10月，香港華潤集團完成整體收購無錫華晶電子集團，標志著集成電路國企改組改制步伐加快； ? 2023年，國務(wù)院科教領(lǐng)導(dǎo)小組批準實施國家科技重大專項 —— 集成電路與軟件重大專項，并實施了“國家集成電路人才培養(yǎng)基地”計劃； ? 2023年 10月，教育部、科技部批準九所大學(xué)為首批國家集成電路人才培養(yǎng)基地的建設(shè)單位； ? 注釋：首批基地為清華、北大、浙大、復(fù)旦、西安電子科技大學(xué)、上海交大、東南、電子科技大學(xué)、華中科大。至此，國家集成電路人才培養(yǎng)基地的布局初步形成。 ? 76 ? 2023年 12月，中國集成電路總產(chǎn)量首次突破 100億塊； ? 2023年 08月，教育部批準六所高校為國家集成電路人才培養(yǎng)基地的建設(shè)單位，并同意北京工業(yè)大學(xué)和中山大學(xué)開展籌建工作； ? 2023年 09月，中芯國際 12英寸芯片廠在北京投產(chǎn)，標志中國 IC制程進入300mm時代； ? 注釋：中芯國際總部位于上海，提供 45nm芯片代工與技術(shù)服務(wù)。此外，中芯代成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司經(jīng)營管理一座 200mm芯片廠，也代武漢新芯集成電路制造有限公司經(jīng)營管理一座 300mm芯片廠。 77 ? 2023年 08月，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會加入世界半導(dǎo)體理事會； ? 2023年 12月，中國集成電路總銷售額首次突破千億元大關(guān)； ? 2023年 12月，中國集成電路總封裝能力超過 500億塊； ? 2023年 02月，財稅（ 2023） 1號文件發(fā)布企業(yè)所得稅若干優(yōu)惠政策，其中規(guī)定了對投資超過 80億元人民幣或集成電路線寬小于。 ? 2023年 06月， WAPI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟宣布， WAPI已獲得國際標準組織ISO/IECJTC1/SC6的提案邀請，將作為獨立標準重新進入國際標準流程。據(jù)稱， WAPI標準迄今未被發(fā)現(xiàn)有安全技術(shù)漏洞。 86 ? 超級潔凈要求：半導(dǎo)體器件對各種雜質(zhì)玷污均有極高的敏感性 ， 因此 ， 整個工藝過程都要在凈化室內(nèi)進行 。 87 ? 高精度的自動化操作： 半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)參數(shù)要求非常準確 ， 加工條件要控制到微米甚至納米級的精度 ， 因此必須采用高精度的自動化操作 ， 以保證器件的高可靠性 。 89 0． 3． 1 硅外平面晶體管工藝流程 襯底制備 外延 一次氧化 基區(qū)光刻 磷預(yù)擴散 發(fā)射區(qū)光刻 硼再分布及二次氧化 硼預(yù)擴散 三次氧化 引線孔光刻 蒸鋁 反刻鋁 燒結(jié) 劃片 中測 合金 鍵合 封裝 工藝篩選 成測 以 3DK2晶體管為例，介紹硅外延平面晶體管的工藝流程，如圖 01所示。 ? ：在襯底上生長一層 N型硅單晶層，稱為外延層。 91 ? ：將硅片在高溫下氧化 ， 使其表面生成一層厚度為 的 sio2層 。 上述三步如圖（ a） 所示 。 ? 圖 (b) 一次光刻后圖形 93 ? （ 濃基區(qū)擴散 ） ：硼擴散是形成基區(qū) ， 通常分為預(yù)擴散和主擴散兩步進行 。 ? ? ? ? ? 圖 (c) 硼預(yù)擴散 P+ 94 ? ：除去硅表面基區(qū)部分的氧化層 ， 如圖 （ d） 所示 。 如圖 (e)所示 。 ? ? ? ? ? 圖 （ f）發(fā)射區(qū)光刻后的圖形 97 ? （ 磷擴散 ） 及三次氧化：磷雜質(zhì)沿發(fā)射區(qū)窗口內(nèi)沉積磷原子 ， 形成 N+發(fā)射區(qū) 。 如圖（ g） 所示 。 ? 12. 反刻鋁：將電極以外的埋層刻蝕掉 ， 刻蝕以后去除硅表面上的光刻膠 ? ：用真空蒸發(fā)的方法 ， 將金蒸發(fā)到硅片背后 。 ? ：對制備的管芯進行測量，剔除不合格品。 ? ：用金屬銀或其他合金將芯片背面燒結(jié)在管座上 。 ? ：將管芯密封起來 。 ? ：對晶體管的各種參數(shù)進行測試，并根據(jù)規(guī)定分類，打印，然后包裝入庫。 ? ：在硅片表面生長一層氧化層 ， 作為埋層擴散的掩蔽層 。 ? ：從刻出的窗口擴入高濃度的 N型雜質(zhì)形成 N+區(qū) 。 ? ：在硅片表面生長一層氧化層作為隔離擴散的掩蔽膜 。 ? ：進行濃硼擴散，將外延層分為隔離。 ? ：在硅片表面生長一層氧化層作為基區(qū)擴散掩蔽膜 ， 同時進行金擴散 。 ? ：擴入硼雜質(zhì)形成晶體管的基區(qū)和電阻 ， 并生長一定厚度的氧化層 。 ? ：擴入硼雜質(zhì)形成晶體管的發(fā)射區(qū) ，并在集電極接觸窗口形成 N+區(qū) 。 ? ：采用蒸發(fā)或濺射方法 ， 蒸上一層鋁膜 。 104 0． 3． 3 MOS器件工藝流程 ? MOS晶體管與 MOS集成電路在制作工藝上大致相同，只是后者要復(fù)雜一些而已。 ? N型溝道 MOS晶體管工藝流程 ? 工藝流程如下： ? 襯底制備（ P型硅），一次氧化，一次光刻（刻出漏、源區(qū)），擴散（磷擴散形成 N+區(qū)），二次光刻（刻去溝道上的厚氧化膜），二次氧化，磷鈍化（表面長磷硅玻璃鈍化層），三次光刻（刻出漏、源區(qū)的接觸孔），蒸鋁，四次光刻（刻去多余鋁層留下源、柵、漏三個電極），合金化，中間測試，劃片，燒結(jié)，鍵合，封裝。 P阱是將 N溝道 MOS增強管制作于 P阱中 ， 而將 P溝道增強管制作在硅襯底上 。P +硼擴散； N溝 MOS源 \漏區(qū)光刻； N+磷擴散； PSG淀積；柵區(qū)光刻；柵氧化；引線孔光刻；蒸鋁 （ 或濺射鋁 ） ；反刻鋁電極；合金；淀積氧化硅；光刻鍵合點；背面減薄 ， 蒸金；檢測；后道工序 。 , January 24, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 :42:5602:42Jan2324Jan23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 :42:5602:42:56January 24, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 。 2023年 1月 24日星期二 2時 42分 56秒 02:42:5624 January 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 , January 24, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 :42:5602:42Jan2324Jan23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 :42:5602:42:56January 24, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 。 2023年 1月 24日星期二 2時 42分 56秒 02:42:5624 January 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 , January 24, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 :42:5602:42Jan2324Jan23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。勝人者有力，自勝者強。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 42分 56秒 02:42: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 2023年 1月 24日星期二 2時 42分 56秒 02:42:5624 January 2023 ? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強