離子注入技術(shù)(implant)-展示頁
2024-07-29 01:32本頁面
【正文】 分散。(b)是數(shù)值計(jì)算得到的曲線形式的結(jié)果。 入射離子能量損失是由于離子受到核阻擋與電子阻擋。 離子射程 （a） 離子射程模型圖 （a）是離子射入硅中路線的模型圖。離子具體的注入過程是：入射離子與半導(dǎo)體（靶）的原子核和電子不斷發(fā)生碰撞，其方向改變，能量減少，經(jīng)過一段曲折路徑的運(yùn)動后，因動能耗盡而停止在某處。2 基本原理和基本結(jié)構(gòu) 基本原理離子注入是對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的一種方法。由此看來，這種技術(shù)的重要性不言而喻。離子注入技術(shù)有很多傳統(tǒng)工藝所不具備的優(yōu)點(diǎn)，比如：是加工溫度低，易做淺結(jié)，大面積注入雜質(zhì)仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動化。關(guān)鍵字 離子注入技術(shù) 半導(dǎo)體 摻雜1 緒論離子注入技術(shù)提出于上世紀(jì)五十年代，剛提出時是應(yīng)用在原子物理和核物理究領(lǐng)域。. . . .離子注入技術(shù)摘要 離子注入技術(shù)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)對半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的最主要方法。本文從對該技術(shù)的基本原理、基本儀器結(jié)構(gòu)以及一些具體工藝等角度做了較為詳細(xì)的介紹，同時介紹了該技術(shù)的一些新的應(yīng)用領(lǐng)域。后來，隨著工藝的成熟，在1970年左右，這種技術(shù)被引進(jìn)半導(dǎo)體制造行業(yè)。離子注入技術(shù)的應(yīng)用，大大地推動了半導(dǎo)體器件和集成電路工業(yè)的發(fā)展，從而使集成電路的生產(chǎn)進(jìn)入了大規(guī)模及超大規(guī)模時代（ULSI）。因此，了解這種技術(shù)進(jìn)行在半導(dǎo)體制造行業(yè)以及其他新興領(lǐng)域的應(yīng)用是十分必要的。它是將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中而實(shí)現(xiàn)摻雜。在這一過程中，涉及到“離子射程”、“”等幾個問題，下面來具體分析。其中，把離子從入射點(diǎn)到靜止點(diǎn)所通過的總路程稱為射程；射程的平均值，記為，簡稱平均射程 ；射程在入射方向上的投影長度，記為,簡稱投影射程；投影射程的平均值，記為，簡稱平均投影射程。定義在位移處這兩種能量損失率分別為和 ： （1）
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