【文章內(nèi)容簡介】 是V形，分子中正電中心和負電中心不重合，屬于極性分子；的價層電子對數(shù)為4，孤對電子數(shù)為1，空間構(gòu)型為三角錐形，故答案為：極性分子；三角錐形（3）的水溶液中有和兩種極性分子，分子間能形成氫鍵，因此溶液中存在三種取向力：和、和、和，故答案為：3；（4）乙硫醇中硫原子與氫原子和碳原子形成兩個鍵，價層電子對數(shù)為4，有2對孤電子對，則S原子采用雜化，故答案為：；（5）由晶胞可知，銅原子位于頂點、面上和體心，原子個數(shù)為=4，鐵原子位于位于棱上、面上，原子個數(shù)為=4；8個硫原子位于體內(nèi)，因此X的化學式是，X晶胞體積為，每個晶胞的質(zhì)量為，因此密度為，故答案為：。3．第四周期第Ⅷ族 3d7 正四面體形 sp2 N 24NA NH3分子間存在氫鍵 4 B 【解析】【分析】【詳解】(1)Co為27解析：第四周期第Ⅷ族 3d7 正四面體形 sp2 N 24NA NH3分子間存在氫鍵 4 B 【解析】【分析】【詳解】(1)Co為27號元素，位于元素周期表第四周期第Ⅷ族；基態(tài)Co原子價層電子排布為3d74s2，失去最外層2個電子形成Co2+，所以Co2+的價層電子排布為3d7；(2)①硫酸根中心原子的價層電子對數(shù)為，無孤對電子，所以空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu)；NO3中心原子的價層電子對數(shù)為，所以為sp2雜化； ②同主族元素自上而下第一電離能逐漸減小，同周期元素自左向右第一電離能呈增大趨勢，但第I IA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以4中元素中第一電離能最大的為N元素；③6個NH3與Co2+之間形成6個配位鍵，屬于σ鍵，每個氨氣分子中的氮氫鍵也為σ鍵，共6+36=24，所以1mol[Co(NH3)6]Cl2含有的σ鍵個數(shù)為24NA；N元素電負性較大，所以NH3分子間存在氫鍵，沸點較高；(3)①根據(jù)N原子的成鍵特點可知，在二(丁二酮肟)合鎳中N原子和Ni2+形成的化學鍵均為配位鍵，所以1個二(丁二酮肟)合鎳中含有4個配位鍵；②堿性太強容易生成Ni(OH)2沉淀，酸性太強大量的氫離子存在不利于二(丁二酮肟)合鎳的生成，所以適宜的pH應為B：5~10；(4)由圖可知，1個晶胞中含有4個B原子和4個P原子，故晶胞質(zhì)量，設(shè)邊長為acm，則晶胞的體積V=a3cm3，故晶胞密度，解得；晶體中硼原子和磷原子的最近核間距為品胞體對角線的，體對角線長度為晶胞邊長的倍，所以晶體中硼原子和磷原子的最近核間距?！军c睛】第3題判斷配位鍵個數(shù)時要注意，在丁二酮肟中N原子已經(jīng)形成3個共價鍵，即N原子已經(jīng)飽和，此時每個N原子有一對孤電子對，形成二(丁二酮肟)合鎳時，N原子提供孤對電子，Ni2+提供空軌道形成配位鍵，即N原子和Ni2+之間均為配位鍵。4．第四周期 ⅣA族 3d104s24p2 2 OGe sp3 共價鍵 【解析】【分析】（1）Ge是32號元素，位于第四周期第IVA族，基態(tài)Ge原子核解析：第四周期 ⅣA族 3d104s24p2 2 OGe sp3 共價鍵 【解析】【分析】（1）Ge是32號元素，位于第四周期第IVA族，基態(tài)Ge原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2；（2）元素的非金屬性越強，吸引電子的能力越強，元素的電負性越大；（3）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，Ge原子與周圍4個Ge原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，屬于原子晶體，Ge原子之間形成共價鍵，Ge原子雜化軌道數(shù)目為4，采取sp3雜化；（4）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，則晶胞中Ge原子數(shù)目為8，結(jié)合阿伏伽德羅常數(shù)表示出晶胞的質(zhì)量，再根據(jù)密度公式計算可得?！驹斀狻浚?）Ge的原子序數(shù)為32，位于元素周期表第四周期IVA族，基態(tài)Ge原子核外電子排布式為 [Ar]3d104s24p2，在最外層的4s能級上2個電子為成對電子，4p軌道中2個電子分別處以不同的軌道內(nèi)，有2軌道未成對電子，故答案為：第四周期 ⅣA族；3d104s24p2；2；（2）元素的非金屬性越強，吸引電子的能力越強，元素的電負性越大，元素非金屬性： GeO，則電負性：OGe，故答案為：OGe；（3）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，Ge原子與周圍4個Ge原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，屬于原子晶體，Ge原子之間形成共價鍵，Ge原子雜化軌道數(shù)目為4，采取sp3雜化，故答案為：sp3；共價鍵；（4）由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中Ge原子有8個位于頂點、6個位于面心，4個位于體內(nèi)，由分攤法可知數(shù)目為8+6+4=8，則依據(jù)質(zhì)量公式可得晶胞質(zhì)量為g，晶胞參數(shù)a=，其密度為=g?cm3，故答案為：。5．3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低解析：3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低 12 【解析】【分析】(1)基態(tài)硒原子序數(shù)為34，根據(jù)構(gòu)造原理寫出其核外電子排布式；(2)同一周期中從左到右，原子半徑逐漸減小，同一周期從左到右，元素的第一電離能有增大趨勢，但IIA、VA族第一電離能大于同周期相鄰元素；(3)二氧化硅晶體中含有“SiO4”結(jié)構(gòu)單元，1個Si原子結(jié)合4個O原子，同時每個O原子結(jié)合2個Si原子；(4)原子晶體中，原子半徑越大，共價鍵鍵長越長，共價鍵越弱，鍵能越小，晶體的熔點越低；(5)①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為12；②均攤法計算晶胞(平行六面體)中Ga、N原子數(shù)目，計算原子總質(zhì)量，根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積?！驹斀狻?1)Se是34號元素，位于第四周期ⅥA族，核外電子排布式為[Ar]3d104s24p4；(2)根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故原子半徑Ga大于As，同周期第一電離能變化趨勢是從左到右增大，故第一電離能Ga小于As；(3)水晶中1個硅原子結(jié)合4個氧原子，同時每個氧原子結(jié)合2個硅原子，所以水晶是以[SiO4]四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，水晶中硅原子的配位數(shù)為4；(4)原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故GaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低；(5)從六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3個配位原子，故配位數(shù)為12。六方晶胞中原子的數(shù)目往往采用均攤法：①位于晶胞頂點的原子為6個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為；②位于晶胞面心的原子為2個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為；③位于晶胞側(cè)棱的原子為3個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為；④位于晶胞體心的原子為1個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為1。GaN晶胞中Ga原子個數(shù)為，N原子個數(shù)為，所以該晶胞化學式為Ga6N6，質(zhì)量為g，該六棱柱的底面為正六邊形，邊長為acm，底面的面積為6個邊長為acm的正三角形面積之和，根據(jù)正三角形面積的計算公式，該底面的面積為，由圖2可知六棱柱的高為，所以晶胞的體積為，密度為g?cm?3。【點睛】物質(zhì)結(jié)構(gòu)的綜合考題，涉及核外電子排布、電離能、化學鍵、等電子體、晶體類型與性質(zhì)、晶胞結(jié)構(gòu)與計算等知識，理解原子相對位置并計算晶胞的體積是解題關(guān)鍵，其中均攤法確定立方晶胞中粒子數(shù)目的方法是：①頂點：每個頂點的原子被8個晶胞共有，所以晶胞對頂點原子只占份額；②棱：每條棱的原子被4個晶胞共有，所以晶胞對頂點原子只占份額；③面上：每個面的原子被2個晶胞共有，所以晶胞對頂點原子只占份額；④內(nèi)部：內(nèi)部原子不與其他晶胞分享，完全屬于該晶胞。6．3d104s1 Cr 光譜分析 減弱