【文章內(nèi)容簡介】 、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以4中元素中第一電離能最大的為N元素；③6個NH3與Co2+之間形成6個配位鍵，屬于σ鍵，每個氨氣分子中的氮氫鍵也為σ鍵，共6+36=24，所以1mol[Co(NH3)6]Cl2含有的σ鍵個數(shù)為24NA；N元素電負性較大，所以NH3分子間存在氫鍵，沸點較高；(3)①根據(jù)N原子的成鍵特點可知，在二(丁二酮肟)合鎳中N原子和Ni2+形成的化學鍵均為配位鍵，所以1個二(丁二酮肟)合鎳中含有4個配位鍵；②堿性太強容易生成Ni(OH)2沉淀，酸性太強大量的氫離子存在不利于二(丁二酮肟)合鎳的生成，所以適宜的pH應(yīng)為B：5~10；(4)由圖可知，1個晶胞中含有4個B原子和4個P原子，故晶胞質(zhì)量，設(shè)邊長為acm，則晶胞的體積V=a3cm3，故晶胞密度，解得；晶體中硼原子和磷原子的最近核間距為品胞體對角線的，體對角線長度為晶胞邊長的倍，所以晶體中硼原子和磷原子的最近核間距?！军c睛】第3題判斷配位鍵個數(shù)時要注意，在丁二酮肟中N原子已經(jīng)形成3個共價鍵，即N原子已經(jīng)飽和，此時每個N原子有一對孤電子對，形成二(丁二酮肟)合鎳時，N原子提供孤對電子，Ni2+提供空軌道形成配位鍵，即N原子和Ni2+之間均為配位鍵。3．3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低解析：3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低 12 【解析】【分析】(1)基態(tài)硒原子序數(shù)為34，根據(jù)構(gòu)造原理寫出其核外電子排布式；(2)同一周期中從左到右，原子半徑逐漸減小，同一周期從左到右，元素的第一電離能有增大趨勢，但IIA、VA族第一電離能大于同周期相鄰元素；(3)二氧化硅晶體中含有“SiO4”結(jié)構(gòu)單元，1個Si原子結(jié)合4個O原子，同時每個O原子結(jié)合2個Si原子；(4)原子晶體中，原子半徑越大，共價鍵鍵長越長，共價鍵越弱，鍵能越小，晶體的熔點越低；(5)①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為12；②均攤法計算晶胞(平行六面體)中Ga、N原子數(shù)目，計算原子總質(zhì)量，根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積?！驹斀狻?1)Se是34號元素，位于第四周期ⅥA族，核外電子排布式為[Ar]3d104s24p4；(2)根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故原子半徑Ga大于As，同周期第一電離能變化趨勢是從左到右增大，故第一電離能Ga小于As；(3)水晶中1個硅原子結(jié)合4個氧原子，同時每個氧原子結(jié)合2個硅原子，所以水晶是以[SiO4]四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，水晶中硅原子的配位數(shù)為4；(4)原子半徑N＜P＜As，鍵長Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故GaN、GaP、GaAs的熔點逐漸降低；(5)從六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3個配位原子，故配位數(shù)為12。六方晶胞中原子的數(shù)目往往采用均攤法：①位于晶胞頂點的原子為6個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為；②位于晶胞面心的原子為2個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為；③位于晶胞側(cè)棱的原子為3個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為；④位于晶胞體心的原子為1個晶胞共用，對一個晶胞的貢獻為1。GaN晶胞中Ga原子個數(shù)為，N原子個數(shù)為，所以該晶胞化學式為Ga6N6，質(zhì)量為g，該六棱柱的底面為正六邊形，邊長為acm，底面的面積為6個邊長為acm的正三角形面積之和，根據(jù)正三角形面積的計算公式，該底面的面積為，由圖2可知六棱柱的高為，所以晶胞的體積為，密度為g?cm?3。【點睛】物質(zhì)結(jié)構(gòu)的綜合考題，涉及核外電子排布、電離能、化學鍵、等電子體、晶體類型與性質(zhì)、晶胞結(jié)構(gòu)與計算等知識，理解原子相對位置并計算晶胞的體積是解題關(guān)鍵，其中均攤法確定立方晶胞中粒子數(shù)目的方法是：①頂點：每個頂點的原子被8個晶胞共有，所以晶胞對頂點原子只占份額；②棱：每條棱的原子被4個晶胞共有，所以晶胞對頂點原子只占份額；③面上：每個面的原子被2個晶胞共有，所以晶胞對頂點原子只占份額；④內(nèi)部：內(nèi)部原子不與其他晶胞分享，完全屬于該晶胞。4．BD 乙醇分子間可形成氫鍵，而氯乙烷分子間無氫鍵 或 abc 配位鍵 【解析】【分析】【詳解】（1）A. 石墨烯是平面結(jié)構(gòu)，金剛石空間網(wǎng)狀結(jié)解析：BD 乙醇分子間可形成氫鍵，而氯乙烷分子間無氫鍵 或 abc 配位鍵 【解析】【分析】【詳解】（1）A. 石墨烯是平面結(jié)構(gòu)，金剛石空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，故A錯誤；B. 碳碳雙鍵上所有原子都處于同一平面，所以導致石墨烯分子中所有原子可以處于同一平面，故B正確；C. 石墨烯中一個碳原子具有 個 鍵，所以 石墨烯含 ，故C錯誤；D. 石墨結(jié)構(gòu)中，石墨層與層之間存在分子間作用力，所以從石墨剝離得石墨烯需克服石墨層與層之間的分子間作用力，故D正確；故答案為BD；（2）①鈷是27號元素，鈷原子核外有27個電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫基態(tài)原子的核外電子排布式，注意先排 電子再排 電子，所以基態(tài)鈷原子的核外電子排布式為 。故答案為：。②分子晶體中，物質(zhì)的熔沸點隨著相對分子質(zhì)量的增大而增大，但乙醇分子間能形成氫鍵導致乙醇的熔沸點大于氯乙烷的熔沸點。故答案為：乙醇分子間可形成氫鍵，而氯乙烷分子間無氫鍵。③每個晶胞中含有的 原子數(shù) ，含有的金原子數(shù) ，所以它的化學式可表示為： 或 。故答案為： 或 。④a選項：甲烷是正四面體結(jié)構(gòu)，屬于對稱結(jié)構(gòu)，所以是非極性分子，故a正確；b選項：乙炔是直線型結(jié)構(gòu)，屬于對稱結(jié)構(gòu)，所以是非極性分子，故b正確；c選項：苯是平面結(jié)構(gòu)，屬于對稱結(jié)構(gòu)，所以是非極性分子，故c正確；d選項：乙醇不是對稱結(jié)構(gòu)，所以是極性分子，故d錯誤；故選abc。⑤由圖可知，酞菁變?yōu)樘笺~后，分子中多了 和 的配位鍵；酞菁銅中含有的元素有：、 和 ，非金屬性元素電負性大于金屬元素的，同周期主族元素隨原子序數(shù)增大電負性增大，、 在它們的氫化物中均表現(xiàn)負化合價，它們的電負性均大于 元素的，故電負性：。故答案為：配位鍵；。5．3d84s2 Fe N 1∶1 三角錐形 PClPBrNFNCl3等 電子從較高能級的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時，會以光的形式釋放能量解析：3d84s2 Fe N 1∶1 三角錐形 PClPBrNFNCl3等 電子從較高能級的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時，會以光的形式釋放能量 Ni的原子半徑較小，價層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強 C 【解析】【分析】(1)基態(tài)鎳原子核外有28個電子，根據(jù)構(gòu)造原理書寫Ni原子的電子排布式，上述材料中所含元素為K、Ca、Ni、Fe、As，這些元素的基態(tài)原子中，未成對電子數(shù)分別是0、3；(2)配離子含有Fe，C，N，O4種元素，非金屬為C，N與O，原子軌道上電子處于全滿、全空、半滿時較穩(wěn)定，結(jié)合C、N與O的電子排布式分析解答；(3)①根據(jù)VSEPR理論判斷AsO33的立體構(gòu)型，等電子體是指原子總數(shù)相同，價電子總數(shù)也相同的微粒；②電子從高能態(tài)躍遷到低能態(tài)時，要釋放能量；(4)金屬晶體熔沸點的高低與金屬鍵的強弱有關(guān)，金屬鍵的強弱與價層電子數(shù)目和金屬原子的半徑有關(guān)；(5)①根據(jù)圖示，金屬Ni的晶胞堆積方式呈現(xiàn)ABCABC……重復(fù)，這是面心立方最密堆積；②由晶胞結(jié)構(gòu)結(jié)合均攤法，計算每個晶胞中含有的Ni原子和As原子個數(shù)，確定晶胞的質(zhì)量，再根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積計算?！驹斀狻?1)基態(tài)鎳原子核外有28個電子， Ni原子的電子排布式為[Ar]3d84s2，上述材料中所含元素為K、Ca、Ni、Fe、As，這些元素的基態(tài)原子中，未成對電子數(shù)分別是0、3，未成對電子數(shù)最多的是Fe，故答案為：3d84s2；Fe；(2)配離子含有Fe，C，N，O4種元素，非金屬為C、N與O，原子軌道上電子處于全滿、全空、半滿時較穩(wěn)定，氮原子2p軌道上的電子為半充滿，相對穩(wěn)定，更不易失去電子，所以C、N、O這三種元素第一電離能最大的是N元素，[Fe(CN)6] 4中含有6個配位鍵，6個C≡N，因此σ鍵與π鍵的數(shù)目比為(6+6)∶62=1∶1，故答案為：N；1∶1；(3)①對于AsO33，根據(jù)VSEPR理論，VP=BP+LP=3+=4，則AsO33的立體構(gòu)型為三角錐形；等電子體是指原子總數(shù)相同，價電子總數(shù)也相同的微粒，與AsO33互為等電子體的分子有：PClPBrNFNCl3等，故答案為：三角錐形；PClPBrNFNCl3等；②電子從高能態(tài)躍遷到低能態(tài)時，要釋放能量，所以金屬焰色反應(yīng)原理是激發(fā)態(tài)的電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時，以一定波長(可見光區(qū)域)光的形式釋放能量，故答案為：電子從較高能級的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時，會以光的形式釋放能量；(4)Ni的原子半徑較小，價層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強，故金屬Ni的熔點和沸點均比金屬Ca的高，故答案為：Ni的原子半徑較小，價層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強；(5)①根據(jù)金屬鎳的原子堆積模型圖，金屬Ni的晶胞堆積方式呈現(xiàn)ABCABC……重復(fù)，這是面心立方最密堆積，A選項是某一個面的二維圖，俯視圖中還可以看到C中相對于A多出的4個面心硬球，則金屬鎳晶胞俯