【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以4中元素中第一電離能最大的為N元素；③6個(gè)NH3與Co2+之間形成6個(gè)配位鍵，屬于σ鍵，每個(gè)氨氣分子中的氮?dú)滏I也為σ鍵，共6+36=24，所以1mol[Co(NH3)6]Cl2含有的σ鍵個(gè)數(shù)為24NA；N元素電負(fù)性較大，所以NH3分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)較高；(3)①根據(jù)N原子的成鍵特點(diǎn)可知，在二(丁二酮肟)合鎳中N原子和Ni2+形成的化學(xué)鍵均為配位鍵，所以1個(gè)二(丁二酮肟)合鎳中含有4個(gè)配位鍵；②堿性太強(qiáng)容易生成Ni(OH)2沉淀，酸性太強(qiáng)大量的氫離子存在不利于二(丁二酮肟)合鎳的生成，所以適宜的pH應(yīng)為B：5~10；(4)由圖可知，1個(gè)晶胞中含有4個(gè)B原子和4個(gè)P原子，故晶胞質(zhì)量，設(shè)邊長(zhǎng)為acm，則晶胞的體積V=a3cm3，故晶胞密度，解得；晶體中硼原子和磷原子的最近核間距為品胞體對(duì)角線的，體對(duì)角線長(zhǎng)度為晶胞邊長(zhǎng)的倍，所以晶體中硼原子和磷原子的最近核間距?！军c(diǎn)睛】第3題判斷配位鍵個(gè)數(shù)時(shí)要注意，在丁二酮肟中N原子已經(jīng)形成3個(gè)共價(jià)鍵，即N原子已經(jīng)飽和，此時(shí)每個(gè)N原子有一對(duì)孤電子對(duì)，形成二(丁二酮肟)合鎳時(shí)，N原子提供孤對(duì)電子，Ni2+提供空軌道形成配位鍵，即N原子和Ni2+之間均為配位鍵。3．3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長(zhǎng)Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低解析：3d104s24p4 大于 小于 4 原子半徑N＜P＜As，鍵長(zhǎng)Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故CaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低 12 【解析】【分析】(1)基態(tài)硒原子序數(shù)為34，根據(jù)構(gòu)造原理寫(xiě)出其核外電子排布式；(2)同一周期中從左到右，原子半徑逐漸減小，同一周期從左到右，元素的第一電離能有增大趨勢(shì)，但I(xiàn)IA、VA族第一電離能大于同周期相鄰元素；(3)二氧化硅晶體中含有“SiO4”結(jié)構(gòu)單元，1個(gè)Si原子結(jié)合4個(gè)O原子，同時(shí)每個(gè)O原子結(jié)合2個(gè)Si原子；(4)原子晶體中，原子半徑越大，共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，共價(jià)鍵越弱，鍵能越小，晶體的熔點(diǎn)越低；(5)①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為12；②均攤法計(jì)算晶胞(平行六面體)中Ga、N原子數(shù)目，計(jì)算原子總質(zhì)量，根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積?！驹斀狻?1)Se是34號(hào)元素，位于第四周期ⅥA族，核外電子排布式為[Ar]3d104s24p4；(2)根據(jù)元素周期律，Ga與As位于同一周期，Ga原子序數(shù)小于As，故原子半徑Ga大于As，同周期第一電離能變化趨勢(shì)是從左到右增大，故第一電離能Ga小于As；(3)水晶中1個(gè)硅原子結(jié)合4個(gè)氧原子，同時(shí)每個(gè)氧原子結(jié)合2個(gè)硅原子，所以水晶是以[SiO4]四面體向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，水晶中硅原子的配位數(shù)為4；(4)原子半徑N＜P＜As，鍵長(zhǎng)Ga—N＜Ga—P＜Ga—As，鍵能Ga—N＞Ga—P＞Ga—As，故GaN、GaP、GaAs的熔點(diǎn)逐漸降低；(5)從六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3個(gè)配位原子，故配位數(shù)為12。六方晶胞中原子的數(shù)目往往采用均攤法：①位于晶胞頂點(diǎn)的原子為6個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為；②位于晶胞面心的原子為2個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為；③位于晶胞側(cè)棱的原子為3個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為；④位于晶胞體心的原子為1個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1。GaN晶胞中Ga原子個(gè)數(shù)為，N原子個(gè)數(shù)為，所以該晶胞化學(xué)式為Ga6N6，質(zhì)量為g，該六棱柱的底面為正六邊形，邊長(zhǎng)為acm，底面的面積為6個(gè)邊長(zhǎng)為acm的正三角形面積之和，根據(jù)正三角形面積的計(jì)算公式，該底面的面積為，由圖2可知六棱柱的高為，所以晶胞的體積為，密度為g?cm?3?！军c(diǎn)睛】物質(zhì)結(jié)構(gòu)的綜合考題，涉及核外電子排布、電離能、化學(xué)鍵、等電子體、晶體類型與性質(zhì)、晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等知識(shí)，理解原子相對(duì)位置并計(jì)算晶胞的體積是解題關(guān)鍵，其中均攤法確定立方晶胞中粒子數(shù)目的方法是：①頂點(diǎn)：每個(gè)頂點(diǎn)的原子被8個(gè)晶胞共有，所以晶胞對(duì)頂點(diǎn)原子只占份額；②棱：每條棱的原子被4個(gè)晶胞共有，所以晶胞對(duì)頂點(diǎn)原子只占份額；③面上：每個(gè)面的原子被2個(gè)晶胞共有，所以晶胞對(duì)頂點(diǎn)原子只占份額；④內(nèi)部：內(nèi)部原子不與其他晶胞分享，完全屬于該晶胞。4．BD 乙醇分子間可形成氫鍵，而氯乙烷分子間無(wú)氫鍵 或 abc 配位鍵 【解析】【分析】【詳解】（1）A. 石墨烯是平面結(jié)構(gòu)，金剛石空間網(wǎng)狀結(jié)解析：BD 乙醇分子間可形成氫鍵，而氯乙烷分子間無(wú)氫鍵 或 abc 配位鍵 【解析】【分析】【詳解】（1）A. 石墨烯是平面結(jié)構(gòu)，金剛石空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，故A錯(cuò)誤；B. 碳碳雙鍵上所有原子都處于同一平面，所以導(dǎo)致石墨烯分子中所有原子可以處于同一平面，故B正確；C. 石墨烯中一個(gè)碳原子具有 個(gè) 鍵，所以 石墨烯含 ，故C錯(cuò)誤；D. 石墨結(jié)構(gòu)中，石墨層與層之間存在分子間作用力，所以從石墨剝離得石墨烯需克服石墨層與層之間的分子間作用力，故D正確；故答案為BD；（2）①鈷是27號(hào)元素，鈷原子核外有27個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書(shū)寫(xiě)基態(tài)原子的核外電子排布式，注意先排 電子再排 電子，所以基態(tài)鈷原子的核外電子排布式為 。故答案為：。②分子晶體中，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大而增大，但乙醇分子間能形成氫鍵導(dǎo)致乙醇的熔沸點(diǎn)大于氯乙烷的熔沸點(diǎn)。故答案為：乙醇分子間可形成氫鍵，而氯乙烷分子間無(wú)氫鍵。③每個(gè)晶胞中含有的 原子數(shù) ，含有的金原子數(shù) ，所以它的化學(xué)式可表示為： 或 。故答案為： 或 。④a選項(xiàng)：甲烷是正四面體結(jié)構(gòu)，屬于對(duì)稱結(jié)構(gòu)，所以是非極性分子，故a正確；b選項(xiàng)：乙炔是直線型結(jié)構(gòu)，屬于對(duì)稱結(jié)構(gòu)，所以是非極性分子，故b正確；c選項(xiàng)：苯是平面結(jié)構(gòu)，屬于對(duì)稱結(jié)構(gòu)，所以是非極性分子，故c正確；d選項(xiàng)：乙醇不是對(duì)稱結(jié)構(gòu)，所以是極性分子，故d錯(cuò)誤；故選abc。⑤由圖可知，酞菁變?yōu)樘笺~后，分子中多了 和 的配位鍵；酞菁銅中含有的元素有：、 和 ，非金屬性元素電負(fù)性大于金屬元素的，同周期主族元素隨原子序數(shù)增大電負(fù)性增大，、 在它們的氫化物中均表現(xiàn)負(fù)化合價(jià)，它們的電負(fù)性均大于 元素的，故電負(fù)性：。故答案為：配位鍵；。5．3d84s2 Fe N 1∶1 三角錐形 PClPBrNFNCl3等 電子從較高能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級(jí)的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，會(huì)以光的形式釋放能量解析：3d84s2 Fe N 1∶1 三角錐形 PClPBrNFNCl3等 電子從較高能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級(jí)的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，會(huì)以光的形式釋放能量 Ni的原子半徑較小，價(jià)層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強(qiáng) C 【解析】【分析】(1)基態(tài)鎳原子核外有28個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書(shū)寫(xiě)Ni原子的電子排布式，上述材料中所含元素為K、Ca、Ni、Fe、As，這些元素的基態(tài)原子中，未成對(duì)電子數(shù)分別是0、3；(2)配離子含有Fe，C，N，O4種元素，非金屬為C，N與O，原子軌道上電子處于全滿、全空、半滿時(shí)較穩(wěn)定，結(jié)合C、N與O的電子排布式分析解答；(3)①根據(jù)VSEPR理論判斷AsO33的立體構(gòu)型，等電子體是指原子總數(shù)相同，價(jià)電子總數(shù)也相同的微粒；②電子從高能態(tài)躍遷到低能態(tài)時(shí)，要釋放能量；(4)金屬晶體熔沸點(diǎn)的高低與金屬鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，金屬鍵的強(qiáng)弱與價(jià)層電子數(shù)目和金屬原子的半徑有關(guān)；(5)①根據(jù)圖示，金屬Ni的晶胞堆積方式呈現(xiàn)ABCABC……重復(fù)，這是面心立方最密堆積；②由晶胞結(jié)構(gòu)結(jié)合均攤法，計(jì)算每個(gè)晶胞中含有的Ni原子和As原子個(gè)數(shù)，確定晶胞的質(zhì)量，再根據(jù)晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積計(jì)算?！驹斀狻?1)基態(tài)鎳原子核外有28個(gè)電子， Ni原子的電子排布式為[Ar]3d84s2，上述材料中所含元素為K、Ca、Ni、Fe、As，這些元素的基態(tài)原子中，未成對(duì)電子數(shù)分別是0、3，未成對(duì)電子數(shù)最多的是Fe，故答案為：3d84s2；Fe；(2)配離子含有Fe，C，N，O4種元素，非金屬為C、N與O，原子軌道上電子處于全滿、全空、半滿時(shí)較穩(wěn)定，氮原子2p軌道上的電子為半充滿，相對(duì)穩(wěn)定，更不易失去電子，所以C、N、O這三種元素第一電離能最大的是N元素，[Fe(CN)6] 4中含有6個(gè)配位鍵，6個(gè)C≡N，因此σ鍵與π鍵的數(shù)目比為(6+6)∶62=1∶1，故答案為：N；1∶1；(3)①對(duì)于AsO33，根據(jù)VSEPR理論，VP=BP+LP=3+=4，則AsO33的立體構(gòu)型為三角錐形；等電子體是指原子總數(shù)相同，價(jià)電子總數(shù)也相同的微粒，與AsO33互為等電子體的分子有：PClPBrNFNCl3等，故答案為：三角錐形；PClPBrNFNCl3等；②電子從高能態(tài)躍遷到低能態(tài)時(shí)，要釋放能量，所以金屬焰色反應(yīng)原理是激發(fā)態(tài)的電子從能量較高的軌道躍遷到能量較低的軌道時(shí)，以一定波長(zhǎng)(可見(jiàn)光區(qū)域)光的形式釋放能量，故答案為：電子從較高能級(jí)的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級(jí)的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，會(huì)以光的形式釋放能量；(4)Ni的原子半徑較小，價(jià)層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強(qiáng)，故金屬Ni的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)均比金屬Ca的高，故答案為：Ni的原子半徑較小，價(jià)層電子數(shù)目較多，金屬鍵較強(qiáng)；(5)①根據(jù)金屬鎳的原子堆積模型圖，金屬Ni的晶胞堆積方式呈現(xiàn)ABCABC……重復(fù)，這是面心立方最密堆積，A選項(xiàng)是某一個(gè)面的二維圖，俯視圖中還可以看到C中相對(duì)于A多出的4個(gè)面心硬球，則金屬鎳晶胞俯