高二化學(xué)晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項(xiàng)訓(xùn)練單元-易錯(cuò)題檢測(cè)試卷(編輯修改稿)
2025-04-05 05:42 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 O3晶體的晶格能越小，故D錯(cuò)誤；故答案選：D。4．D【解析】【分析】【詳解】A. 金屬鍵越強(qiáng)其單質(zhì)的熔點(diǎn)越高，金屬鍵：鋰＞鈉＞鉀＞銣＞銫，則物質(zhì)的熔點(diǎn)：鋰＞鈉＞鉀＞銣＞銫，A錯(cuò)誤；B. HCl比HI穩(wěn)定是因?yàn)榉肿觾?nèi)的化學(xué)鍵HCl鍵比HI鍵強(qiáng)，斷裂消耗的能量高，與分子之間的作用力大小無關(guān)，B錯(cuò)誤；C. 金剛石是立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)C原子與相鄰的四個(gè)C原子形成四個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵為2個(gè)C原子形成，所以屬于1個(gè)C原子的CC鍵數(shù)目為4=2，12 g金剛石中含C原子的物質(zhì)的量是1 mol，則其中含有2 mol CC鍵，石墨是層狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)C原子與相鄰的3個(gè)C原子形成3個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)共價(jià)鍵為2個(gè)C原子形成，所以屬于1個(gè)C原子的CC鍵數(shù)目為3=，12 mol CC鍵，可見等質(zhì)量的金剛石和石墨晶體所含碳碳鍵的數(shù)目不相等，C錯(cuò)誤；D. A+位于晶胞的頂點(diǎn)上，B位于晶胞內(nèi)，通過一個(gè)頂點(diǎn)可形成8個(gè)晶胞，所以每個(gè)A+被8個(gè)B所形成的立方體包圍，B亦被8個(gè)A+所形成的立方體包圍，每個(gè)A+周圍距離最近且等距的B有8個(gè), 每個(gè)B周圍距離最近且等距的A+有8個(gè)，D正確；故合理選項(xiàng)是D。5．A【解析】【分析】【詳解】A．同周期元素第一電離能從左到右逐漸增大，其中ⅡA、ⅢA族元素的第一電離能大于相鄰主族元素，與圖象基本符合，故A正確；B．同周期元素中，例如第三周期元素： Si是原子晶體，P、S是分子晶體中的固態(tài)非金屬單質(zhì)，Cl2是分子晶體中的氣態(tài)非金屬單質(zhì)，與非金屬單質(zhì)的熔點(diǎn)降低不符，故B錯(cuò)誤；C．同周期元素從左到右，原子半徑逐漸減小，與圖象不符，故C錯(cuò)誤；D．同周期元素從左到右，元素的電負(fù)性逐漸增大，故D錯(cuò)誤；答案選A。6．A【解析】【分析】【詳解】A．二氧化硅晶體最小環(huán)上含有6個(gè)硅原子6個(gè)氧原子，共12個(gè)原子，故A正確；B．二氧化硅晶體和金剛石晶體的結(jié)構(gòu)類似，每個(gè)硅原子為12個(gè)最小環(huán)共有，故B錯(cuò)誤；C．1個(gè)Si與4個(gè)O形成SiO鍵，則1 mol Si擁有4 mol SiO鍵，故C錯(cuò)誤；D．SiO2晶體中只含極性共價(jià)鍵，不含非極性共價(jià)鍵，故D項(xiàng)錯(cuò)誤。故答案選：A。7．D【解析】【分析】【詳解】A．水的沸點(diǎn)較高是因?yàn)樗肿娱g存在較強(qiáng)的氫鍵，故A錯(cuò)誤；B．離子晶體中可能存在共價(jià)鍵如氫氧化鈉，而分子晶體中不一定存在共價(jià)鍵，如稀有氣體，是單原子分子，沒有化學(xué)鍵，故B錯(cuò)誤；C．CO2與 SiO2 均為共價(jià)化合物，但CO2是分子晶體，其固體熔化時(shí)，破壞了分子間作用力，SiO2是原子晶體，其固體熔化時(shí)，破壞共價(jià)鍵，故C錯(cuò)誤；D．離子晶體的熔沸點(diǎn)較高，一般在幾百至1000℃左右，某物質(zhì)熔點(diǎn) 1067℃，易溶于水，其水溶液和熔融態(tài)能導(dǎo)電的是離子化合物，其晶體一定為離子晶體，故D正確；答案選D。【點(diǎn)睛】離子晶體的熔沸點(diǎn)較高，一般在幾百至1000℃左右，其溶于水及熔化時(shí)均能夠?qū)щ姟?．BC 4 O sp3 σ (PnO3n+1)(n+2) 高 sp3 (SiO3)n 2n 4 4 【解析】【分析】(1)A．第一電離能，一般與非金屬性成正比，當(dāng)電子亞層處于半滿、全滿時(shí)出現(xiàn)反常； B．對(duì)于氫化物分子，非金屬性越強(qiáng)，鍵的極性越強(qiáng)；C．晶格能與離子的帶電荷成正比，與離子半徑的平方成反比；D．熱穩(wěn)定性與分解產(chǎn)物的穩(wěn)定性有關(guān)。(2)蒸汽狀態(tài)下以雙聚分子存在的 FeCl3 的結(jié)構(gòu)式與Al2Cl6類似，由結(jié)構(gòu)可確定 Fe 的配位數(shù)。(3)NH4H2PO4 中，電負(fù)性最高的元素也就是非金屬性最強(qiáng)的元素；P與周圍的4個(gè)O原子相連，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，從而確定與 O的2p軌道形成的鍵型。由兩個(gè)已知結(jié)構(gòu)式尋找規(guī)律，得出圖中磷酸根離子的化學(xué)式通式。(4)比較原子晶體熔點(diǎn)，可比較原子半徑，半徑越小，熔點(diǎn)越高。圖中表示一種含 n 個(gè)硅原子的單鏈?zhǔn)蕉喙杷岣慕Y(jié)構(gòu)，Si 原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，由此確定雜化類型，確定化學(xué)通式時(shí)，可采用均攤法。(5)Cu2＋位于面心，有2個(gè)S2與它相連；1個(gè)S2與2個(gè)Cu2+、2個(gè)Fe2+相連。已知：a＝b＝ nm，c＝ nm，可求出體積，NA 為阿伏加德羅常數(shù)的值，求CuFeS2晶體的密度，只需求出1個(gè)晶胞中所含離子的數(shù)目。【詳解】(1)A．由于P原子的3p軌道半充滿，第一電離能出現(xiàn)反常，所以第一電離能：Cl＞P＞S＞Si，A不正確；B．對(duì)于氫化物分子，非金屬性越強(qiáng)，鍵的極性越強(qiáng)，所以共價(jià)鍵的極性：HF＞HCl＞HBr＞HI，B正確；C．晶格能與離子的帶電荷成正比，與離子半徑的平方成反比，所以晶格能：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI，C正確；D．對(duì)于同主族元素的碳酸鹽，金屬性越強(qiáng)，其氧化物越穩(wěn)定，碳酸鹽的熱穩(wěn)定性越差，所以熱穩(wěn)定性：MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3，D不正確；故選BC。答案為：BC；(2)FeCl3蒸汽狀態(tài)下以雙聚分子存在，則類似于Al2Cl6，即每個(gè)Fe與4個(gè)Cl形成共價(jià)鍵，其中有1個(gè)是配位鍵，從而得出FeCl3 的結(jié)構(gòu)式為，其中 Fe 的配位數(shù)為4。答案為：；4；(3)NH4H2PO4 中，電負(fù)性最高的元素是O；P與周圍的4個(gè)O原子相連，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，所以P的sp3雜化軌道與 O的2p軌道形成σ鍵。分析磷酸根離子中P、O原子個(gè)數(shù)的遞變規(guī)律，可得出其化學(xué)式可用通式表示為(PnO3n+1)(n+2)。答案為：O；sp3；σ；(PnO3n+1)(n+2)
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