【文章內(nèi)容簡介】 電負性越大；（3）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，Ge原子與周圍4個Ge原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，屬于原子晶體，Ge原子之間形成共價鍵，Ge原子雜化軌道數(shù)目為4，采取sp3雜化；（4）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，則晶胞中Ge原子數(shù)目為8，結(jié)合阿伏伽德羅常數(shù)表示出晶胞的質(zhì)量，再根據(jù)密度公式計算可得?！驹斀狻浚?）Ge的原子序數(shù)為32，位于元素周期表第四周期IVA族，基態(tài)Ge原子核外電子排布式為 [Ar]3d104s24p2，在最外層的4s能級上2個電子為成對電子，4p軌道中2個電子分別處以不同的軌道內(nèi)，有2軌道未成對電子，故答案為：第四周期 ⅣA族；3d104s24p2；2；（2）元素的非金屬性越強，吸引電子的能力越強，元素的電負性越大，元素非金屬性： GeO，則電負性：OGe，故答案為：OGe；（3）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，Ge原子與周圍4個Ge原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間延伸的立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，屬于原子晶體，Ge原子之間形成共價鍵，Ge原子雜化軌道數(shù)目為4，采取sp3雜化，故答案為：sp3；共價鍵；（4）由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中Ge原子有8個位于頂點、6個位于面心，4個位于體內(nèi)，由分攤法可知數(shù)目為8+6+4=8，則依據(jù)質(zhì)量公式可得晶胞質(zhì)量為g，晶胞參數(shù)a=，其密度為=g?cm3，故答案為：。3．A＜C＜B＜D sp3 10 N≡CC≡N 碳酸鹽分解實際過程是晶體中陽離子結(jié)合碳酸根離子中氧離子，使碳酸根離子分解為二氧化碳的過程，陽離子所帶電荷相同時，解析：A＜C＜B＜D sp3 10 N≡CC≡N 碳酸鹽分解實際過程是晶體中陽離子結(jié)合碳酸根離子中氧離子，使碳酸根離子分解為二氧化碳的過程，陽離子所帶電荷相同時，陽離子半徑越小，其結(jié)合氧離子能力越強，對應(yīng)的碳酸鹽就越難分解，熱分解溫度越高 【解析】【分析】【詳解】（1）軌道中電子能量：1s＜2s＜2p，能量較高的軌道中電子越多，該微粒能量越高，所以2p軌道上電子越多、1s軌道上電子越少，該微粒能量越高，根據(jù)圖知能量由低到高的順序是A＜C＜B＜D；（2）①該分子中每個S原子形成2個共價鍵且還含有2個孤電子對，根據(jù)價層電子對互斥理論可知S原子雜化類型為sp3；②該分子中每個S原子含有2個孤電子對、每個P原子含有1個孤電子對，所以該分子中孤電子對個數(shù)=32+41=10；（3）N5n+結(jié)構(gòu)是對稱的，5個N排成V形，5個N結(jié)合后都達到8電子結(jié)構(gòu)，且含有2個N≡N鍵，滿足條件的結(jié)構(gòu)為：，故“N5”帶一個單位正電荷，所以化學(xué)式為”N8”的陰離子為N陽離子為，N8的電子式為；分子（CN）2中鍵與鍵之間的夾角為180176。，并有對稱性，分子中每個原子的最外層均滿是8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則每個C原子形成4個共價鍵、每個N原子形成3個共價鍵，其結(jié)構(gòu)簡式為N≡CC≡N；（4）含有n個P原子的多聚磷酸根離子，相當(dāng)于是n個磷酸根離子中去掉了（n1）氧原子，O原子數(shù)目=4n（n1）=3n+1，所帶電荷為（2）（3n+1）+5n=（n+2），故多聚磷酸根離子的通式為：；（5）碳酸鹽分解實際過程是晶體中陽離子結(jié)合碳酸根離子中氧離子，使碳酸根離子分解為二氧化碳的過程，陽離子所帶電荷相同時，陽離子半徑越小，其結(jié)合氧離子能力越強，對應(yīng)的碳酸鹽就越難分解，熱分解溫度越高；（6）晶胞中C原子的數(shù)目為，所以晶胞質(zhì)量為；設(shè)晶胞的底邊長為acm，晶胞的高為h cm，層間距為d cm，則h=2d，底面圖為，則，所以a=r，則底面面積為cm2，則晶胞體積為V=cm3，所以有，解得d=?！军c睛】第6題為本題難點，要注意石墨中C原子的雜化方式為sp2雜化，空間構(gòu)型為平面三角形，所以圖示晶胞的底面不是正方形而是菱形，然后結(jié)合幾何知識進行計算。4．啞鈴 P＞S＞Si sp3雜化 三角錐形 [Ar]3d5 配體 孤電子對 【解析】【分析】【詳解】（1）基態(tài)硅原子的電子排布圖為；硫的基態(tài)原解析：啞鈴 P＞S＞Si sp3雜化 三角錐形 [Ar]3d5 配體 孤電子對 【解析】【分析】【詳解】（1）基態(tài)硅原子的電子排布圖為；硫的基態(tài)原子能量最高的電子云是3p軌道，在空間有3個伸展方向，原子軌道呈啞鈴形。（2）一般地，非金屬性越強的元素，其第一電離能越高。由于磷的3p軌道處于較穩(wěn)定半充滿狀態(tài)，所以其第一電離能高于其相鄰的元素。硅、磷、硫的第一電離能由大到小的順序為P＞S＞Si。（3）單質(zhì)磷與Cl2反應(yīng)，可以生產(chǎn)PCl3和PCl5。其中PCl3各原子均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，分子中價層電子對數(shù)n==4，P原子的雜化軌道類型為sp3雜化，其分子的空間構(gòu)型為三角錐形。（4）基態(tài)Fe3+核外電子排布式為[Ar]3d5；PO43作為配體為Fe3+提供孤電子對。（5）把該晶胞分成8個小立方體，其中一個小立方體的頂點和體心之間的距離為硼原子與磷原子最近的距離，硼原子與磷原子最近的距離為a cm。在該晶胞中，有4個B原子和4個P原子。 用Mg/md表示磷化硼的摩爾質(zhì)量，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。設(shè)該晶胞的邊長為x，則3x2=(4a)2，解之得x=a，該晶胞的體積為x3=3。1mol該晶胞中含4molBP，質(zhì)量為4M g，磷化硼晶體的密度為= g/cm3=g/cm3?！军c睛】有關(guān)晶胞的計算，首先要根據(jù)均攤法算出晶胞內(nèi)的原子數(shù)，然后確定其化學(xué)式。最后根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)特點，求出有關(guān)晶胞的各種數(shù)據(jù)。有關(guān)密度的計算，通常以1mol晶胞為計算對象，求出其質(zhì)量和體積，最后用質(zhì)量除以體積得到密度。計算過程中要注意長度單位的轉(zhuǎn)換。5．d N 電子氣 A 6 “頭碰頭” 高于 均為離子晶體，O2半徑比S2半徑小，MnO晶格能大，熔點高 MnO2 6 【解析】解析：d N 電子氣 A 6 “頭碰頭” 高于 均為離子晶體，O2半徑比S2半徑小，MnO晶格能大，熔點高 MnO2 6 【解析】【分析】(1)Mn是25號元素，原子核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s2；錳可導(dǎo)電，導(dǎo)熱，具有金屬光澤，有延展性，是因為有自由電子，這些性質(zhì)都可以用“電子氣理論”解釋；(2)A．Mn3＋在水溶液中容易歧化為MnO2和Mn2＋，說明Mn3＋不穩(wěn)定；B．Mn2＋中價電子層不含成對電子，但是內(nèi)層中含有成對電子；C．第四周期中價電子層中未成對電子數(shù)最多的元素價電子排布式為：3d54s1；D．Mn2＋與Fe3＋具有相同的價電子構(gòu)型，微粒的化學(xué)性質(zhì)不僅與價電子構(gòu)型有關(guān)，也和微粒的電荷數(shù)、微粒半徑、原子序數(shù)有關(guān)；(3)MnF62?的空間構(gòu)型是正八面體，則中心原子的價層電子對數(shù)為6；F與Mn之間的共價鍵都是共價單鍵；(4)物質(zhì)都屬于離子晶體，離子晶體的陰離子帶有相同電荷，離子半徑越小，離子鍵越強，晶格能越大，熔點越高；(5)用均攤法計算確定化學(xué)式，并結(jié)合微粒的空間排列確定Mn的配位數(shù)；由晶胞結(jié)構(gòu)可知：在該晶胞中距離相等且最近的2個Mn在晶胞體對角線的一半?！驹斀狻?1)Mn是25號元素，原子核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s2，可知M在元素周期表中位于第四周期第VIIB，屬于d區(qū)元素，核外電子占據(jù)最高能層的符號是N；錳可導(dǎo)電，導(dǎo)熱，具有金屬光澤，有延展性，是因為有自由電子，這些性質(zhì)都可以用“電子氣理論”解釋，故答案為：d；N；電子氣；(2)A．Mn3＋的價電子構(gòu)型為3d4，Mn3＋在水溶液中容易歧化為MnO2和Mn2＋，說明Mn3＋不穩(wěn)定，Mn3＋容易變成電子半充滿的穩(wěn)定的價電子構(gòu)型為3d5，3d4則屬于不穩(wěn)定的電子構(gòu)型，故A正確；B．Mn2＋中價電子層不含成對電子，但是內(nèi)層中含有成對電子，故B錯誤；C．第四周期中價電子層中未成對電子數(shù)最多的元素價電子排布式為