rq補(bǔ)料發(fā)酵終點(diǎn)ppt課件-展示頁
2025-05-12 06:14本頁面
【正文】 運(yùn)輸受阻，影響了細(xì)胞膜的運(yùn)輸效率， 使細(xì)胞處于“ 麻醉 ”狀態(tài) ，細(xì)胞生長受到抑制，形態(tài)發(fā)生了改變。它們分別作用于細(xì)胞膜的不同位點(diǎn)。 當(dāng)二氧化碳分壓為 105Pa時(shí) ， 四環(huán)素的生物合成處于最佳狀態(tài) 。 當(dāng)二氧化碳分壓為 105Pa時(shí)，青霉素合成速率會(huì)降低 40%。 二氧化碳對(duì)氨基酸、抗生素等微生物發(fā)酵具有抑制或刺激作用。第四章 發(fā)酵過程控制 第七節(jié) 二氧化碳和呼吸商 第六節(jié) 二氧化碳和呼吸商 1. 二氧化碳對(duì)發(fā)酵的影響 二氧化碳是細(xì)胞代謝的可貴指示。 通過碳質(zhì)量平衡來估算生長速率和細(xì)胞量。 A 二氧化碳對(duì)菌體生長及產(chǎn)物形成的影響 當(dāng)排出的二氧化碳 CO2濃度高于 4%時(shí)，碳水化合物的代謝及微生物的呼吸速率下降。發(fā)酵液中溶解二氧化碳濃度為 10— 2mol時(shí)，會(huì)嚴(yán)重抑制酵母菌的生長。 CO2會(huì)影響產(chǎn)黃青霉菌的形態(tài) 二氧化碳及 HCO3－都會(huì)影響細(xì)胞膜的結(jié)構(gòu)。 溶解于培養(yǎng)液中的 二氧化碳 主要作用在細(xì)胞膜的 脂肪酸核心部位 ， 而 HCO3— 則 影響磷脂 、 親水頭部帶電荷表面 及 細(xì)胞膜表面上的蛋白質(zhì) 。 10米高的罐中 ，在 105Pa氣壓下操作， 底部二氧化碳分壓是頂部二氧化碳分壓的二倍 。菌量產(chǎn)率 YX/CO2為 ／ gCO2. 從測定排氣二氧化碳濃度變化，采用控制流加基質(zhì)的方法來實(shí)現(xiàn)對(duì)菌體的生長速率和菌體量的控制。 所產(chǎn)生的二氧化碳可以用青霉素產(chǎn)生菌的生長和產(chǎn)物形成的化學(xué)簡式來說明 ， 見式 (926)， 式 (927)， 式 (928)。 菌體生長 C6H12O6十 NH3十 → 3CO2十 (926) 菌體維持 C6H12O6十 6O2 → 6CO2十 6 H2O (927) 青霉素生產(chǎn) C6H12O6十 (NH4)2SO4十 十 PAA →C 16H17O4N2S十 2CO2十 H2O (928) 從圖 9— 33中看出，由于 葡萄糖 的 補(bǔ)入 ， 排氣二氧化碳增加 ，同時(shí) pH下降 。 糖 、 CO pH三者的 相關(guān)性 ，被 青霉素工業(yè) 生產(chǎn)上用于 補(bǔ)料控制的參數(shù) ，并認(rèn)為 排氣二氧化碳的變化比 pH變化更為敏感 ；所以以測定排氣CO2釋放率來控制補(bǔ)糖速率。 2. 呼吸商與發(fā)酵的關(guān)系 發(fā)酵過程中菌的 耗氧速率 (OUR)可通過熱磁氧分析儀或質(zhì)譜儀測量進(jìn)氣和排氧中的氧含量計(jì)算而得， 過程中氧含量的變化恰與二氧化碳含量變化成反向同步關(guān)系，并由此看出菌的生長，呼吸情況，和求出菌的呼吸商 RQ值， RQ＝ CER／ OUR。 如酵母發(fā)酵過程 RQ＝ 1， 表示糖代謝走有氧分解代謝途徑 ， 僅生成菌體 ， 無產(chǎn)物形成； 如 RQ＞ ， 表示走 EMP途徑 ， 生成乙醇； RQ＝ ， 生成檸檬酸； RQ＜ ， 表示生成的乙醇被當(dāng)作基質(zhì)利用 。 如大腸桿菌以 延胡索酸為基質(zhì) ， RQ為 ； 丙酮酸 RQ為 ， 琥珀酸 RQ為 ； 乳酸 、 葡萄糖 RQ為 ； 乙酸 RQ為 RQ為 。如青霉素發(fā)酵中的理論呼吸商為 菌體生長 ， RQ＝ ； 菌體維持 ， RQ＝ 1； 青霉素生產(chǎn) ， RQ＝ 4。 如果產(chǎn)物的還原性比基質(zhì)大時(shí)，其 RQ值就增加；反之，當(dāng)產(chǎn)物的氧化性比基質(zhì)大時(shí)， RQ值就要減少。 二氧化碳和呼吸商復(fù)習(xí)題 1,二 氧 化碳對(duì)發(fā)酵有何影響 2,二 氧 化碳影響細(xì)胞的什么部位 ,使細(xì)胞處于什么狀態(tài) . 3,排氣二氧化碳濃度與菌體量、 pH、排氣氧之間有什么關(guān)系 . 4,什么叫 呼吸商 ,呼吸商如何反映代謝情況 . 第八節(jié) 基質(zhì)濃度對(duì)發(fā)酵的影響及補(bǔ)料控制 1. 基質(zhì)濃度對(duì)發(fā)酵的影響 在分批發(fā)酵期間 ， 有一種與 Iangmur單分子吸附等溫線相似的模型 ， 用以描述基質(zhì)濃度與生長速率的關(guān)
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