comsic制造工藝流程-文庫(kù)吧資料
2025-01-29 03:13本頁(yè)面
【正文】 D5M1M2M3 M4Poly gatep Epitaxial layerp+n+ILD6LI metalViap+ p+ n+n+Figure 7 微處理器剖面的 SEM 顯微照片Micrograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringMag. 18,250 XFigure 7 ? 靜夜四無(wú) 鄰 ，荒居舊 業(yè)貧 。其目的是保護(hù)產(chǎn)品免受潮氣、劃傷以及沾污的影響。 工藝的最后一步包括再次生長(zhǎng)二氧化硅層（第六層層間介質(zhì)）以及隨后生長(zhǎng)頂層氮化硅。1）淀積二氧化硅2）二氧化硅反刻Figure 7 六、源 /漏注入工藝n+ Source/Drain Implant1）第七層掩膜2） n+源 /漏注入Figure 7 p+ Source/Drain Implant1)第八層掩膜2） P＋ 源漏注入（中等能量）3）退火Figure 7 七、接觸（孔）的形成鈦金屬接觸的主要步驟1）鈦的淀積2）退火3）刻蝕金屬鈦Figure 7 八、局部互連工藝LI 氧化硅介質(zhì)的形成1）氮化硅化學(xué)氣相淀積2）摻雜氧化物的化學(xué)氣相淀積3）氧化層拋光（ CMP）4）第九層掩膜，局部互連刻蝕Figure 7 LI 金屬的形成1) 金屬鈦淀積（ PVD工藝）2）氮化鈦淀積3）鎢淀積4）磨拋鎢 (化學(xué)機(jī)械工藝平坦化 )Figure 7 作為嵌入 LI金屬的介質(zhì)的 LI氧化硅Figure 7 九、通孔 1和鎢塞 1的形成通孔 1 形成1）第一層層間介質(zhì)氧化物淀積2）氧化物磨拋3）第十層掩膜，第一層層間介質(zhì)刻蝕Figure 7 鎢塞 1 的形成1）金屬淀積鈦?zhàn)钃鯇樱?PVD）2）淀積氮化鈦（ CVD）3）淀積鎢（ CVD）4）磨拋鎢Figure 7 多晶硅、鎢 LI 和鎢塞的 SEM顯微照片 PolysiliconTungsten LITungsten plugMag. 17,000 XFigure 7 十、第一層金屬互連的形成1）金屬鈦?zhàn)钃鯇拥矸e（ PVD）2）淀積鋁銅合金（ PVD）3）淀積氮化鈦（ PVD）4）第十一層掩膜，金屬刻蝕Figure 7 第一套鎢通孔上第一層金屬的 SEM顯微照片Micrograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringTiN metal capMag. 17,000 XTungsten plugMetal 1, AlFigure 7 十一、通孔 2和鎢塞 2的形成制作通孔 2的主要步驟
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1