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2025-01-23 03:13 本頁面
【正文】 2023/1/31 18:29:2518:29:2531 January 2023? 1一個人即使已登上 頂 峰，也仍要自 強(qiáng) 不息。 勝 人者有力，自 勝 者 強(qiáng) 。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 閱讀 一切好 書 如同和 過 去最杰出的人 談話 。 。 一月 2118:29:2518:29Jan2131Jan21? 1世 間 成事，不求其 絕對圓滿 ，留一份不足，可得無限完美。 2023/1/31 18:29:2518:29:2531 January 2023? 1做前，能 夠環(huán)視 四周；做 時 ，你只能或者最好沿著以腳 為 起點的射 線 向前。 一月 21一月 2118:29:2518:29:25January 31, 2023? 1他 鄉(xiāng) 生白 發(fā) ，舊國 見 青山。 一月 21一月 21Sunday, January 31, 2023? 雨中黃葉 樹 ，燈下白 頭 人。這一層氮化硅稱為鈍化層。 n LDD Implant1）第五層 掩膜2） nLDD注入（低能量，淺結(jié)）Figure 7 p LDD Implant1）第六層掩膜2） P 輕摻雜漏注入（低能量，淺結(jié)）Figure 7 五、側(cè)墻的形成 側(cè)墻用來環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏（ S/D）注入過于接近溝道以致可能發(fā)生的源漏穿通。）Figure 7 STI Oxide Fill1）溝槽襯墊氧化硅2）溝槽 CVD氧化物填充Figure 7 STI Formation1）淺槽氧化物拋光（化學(xué)機(jī)械拋光）2）氮化物去除Figure 7 三、 Poly Gate Structure Process 晶體管中柵結(jié)構(gòu)的制作是流程當(dāng)中最關(guān)鍵的一步，因為它包含了最薄的柵氧化層的熱生長以及多晶硅柵的形成，而后者是整個集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。第七章 COMS IC 制造工藝流程 主要內(nèi)容1. 典型的亞微米 CMOS IC 制造流程圖；2. 描述 CMOS 制造工藝 14個步驟的主要目的；4. 討論每一步 CMOS 制造流程的關(guān)鍵工藝。1）柵氧化層的生長2）多晶硅淀積3）第四層掩膜，多晶硅柵4）多晶硅柵刻蝕Figure 7 四、輕摻雜；漏注入工藝 隨著柵的寬度不斷減小，柵下的溝道長度也不斷減小。1）淀積二氧化硅2）二氧化硅反刻Figure 7 六、源 /漏注入工藝n+ Source/Drain Implant1）第七層掩膜2） n+源 /漏注入Figure 7 p+ Source/Drain Implant1)第八層掩膜2） P＋ 源漏注入（中等能
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