comsic制造工藝流程(編輯修改稿)
2025-02-12 03:13 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 的形成1）氮化硅化學(xué)氣相淀積2）摻雜氧化物的化學(xué)氣相淀積3）氧化層拋光（ CMP）4）第九層掩膜，局部互連刻蝕Figure 7 LI 金屬的形成1) 金屬鈦淀積（ PVD工藝）2）氮化鈦淀積3）鎢淀積4）磨拋鎢 (化學(xué)機(jī)械工藝平坦化 )Figure 7 作為嵌入 LI金屬的介質(zhì)的 LI氧化硅Figure 7 九、通孔 1和鎢塞 1的形成通孔 1 形成1）第一層層間介質(zhì)氧化物淀積2）氧化物磨拋3）第十層掩膜，第一層層間介質(zhì)刻蝕Figure 7 鎢塞 1 的形成1）金屬淀積鈦?zhàn)钃鯇樱?PVD）2）淀積氮化鈦（ CVD）3）淀積鎢（ CVD）4）磨拋鎢Figure 7 多晶硅、鎢 LI 和鎢塞的 SEM顯微照片 PolysiliconTungsten LITungsten plugMag. 17,000 XFigure 7 十、第一層金屬互連的形成1）金屬鈦?zhàn)钃鯇拥矸e（ PVD）2）淀積鋁銅合金（ PVD）3）淀積氮化鈦（ PVD）4）第十一層掩膜，金屬刻蝕Figure 7 第一套鎢通孔上第一層金屬的 SEM顯微照片Micrograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringTiN metal capMag. 17,000 XTungsten plugMetal 1, AlFigure 7 十一、通孔 2和鎢塞 2的形成制作通孔 2的主要步驟1） ILD2間隙填充2） ILD2氧化物淀積3） ILD2氧化物平坦化4）第十二層掩膜， ILD2刻蝕Figure 7 制作第二層鎢塞的主要步驟1）金屬淀積鈦?zhàn)钃鯇?(PVD)2）淀積氮化鈦 (CVD)3）淀積鎢（ CVD）4）磨拋鎢Figure 7 第一套鎢通孔上第一層金屬的 SEM顯微照片Micrograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringTiN metal capMag. 17,000 XTungsten plugMetal 1, AlFigure 7 十二、第二層金屬互連的形成1）淀積、刻蝕金屬 22）填充第三層層間介質(zhì)間隙3）淀積、平坦化 ILD3氧化物4）刻蝕通孔 3，淀積鈦 /氮化鈦、鎢，平坦化Figure 7 十三、制作第三層金屬直到制作壓點(diǎn)和合金 重復(fù)工藝制作第三層和第四層金屬后，完成第四層金屬的刻蝕，緊接著利用薄膜工藝淀積第五層層間介質(zhì)氧化物（ ILD5） (見下圖 )。由于所刻印的結(jié)構(gòu)比先前工藝中形成的 很多，所以這一層介質(zhì)不需要化學(xué)機(jī)械拋光。 工藝的最后一步包括再次生長(zhǎng)二
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