led芯片制造的工藝流程教材(編輯修改稿)
2025-03-31 17:58 本頁面
【文章內容簡介】 物的脫附過程等 注意：反應速率最慢的過程是控制反應速率的步驟，也是決定沉積膜組織形態(tài)與各種性質的關鍵。 三、 LED外延片的制作 MOCVD反應系統(tǒng)結構 ? 進料區(qū) ? 反應室 ? 廢氣處理系統(tǒng) 三、 LED外延片的制作 MOCVD反應系統(tǒng)的技術要求 ? 提供潔靜的環(huán)境。 ? 反應物抵達襯底之前應充分混合，以確保外延層的成分均勻。 ? 反應物氣流需在襯底的上方保持穩(wěn)定的流動，以確保外延層厚度均勻。 ? 反應物提供系統(tǒng)應切換迅速，以長出上下層接口分明的多層結構。 三、 LED外延片的制作 MOCVD參數(shù)實例 南京大學省光電信息功能材料重點實驗室使用 三、 LED外延片的制作 MOCVD參數(shù)實例 系統(tǒng)簡介 本系統(tǒng)為英國 Thomas Swan公司制造，具有世界先進水平的商用金屬有機源氣相外延(MOCVD)材料生長系統(tǒng)，可用于制備以 GaN為代表的第三代半導體材料。在高亮度的藍光發(fā)光二極管 (LED)、激光器 (LD)、日盲紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域中具有廣泛的應用。 三、 LED外延片的制作 MOCVD參數(shù)實例 該設備承擔并完成國家“ 863”、國防“ 973”計劃項目和江蘇省自然科學基金等多項研究任務。首次用 MOCVD方法在 LiAlO2襯底上實現(xiàn)非極化 GaN/InGaN量子阱生長和LED器件制備，成果達到同期國際水平；研制的新型半導體 InN材料其相關技術達到國際先進水平；制備高質量的用于紫外探測器結構材料性能指標達到國際先水平。 三、 LED外延片的制作 MOCVD參數(shù)實例 ? 設備參數(shù)和配置： 外延片 3 2 英寸 /爐 ? 反應腔溫度控制： 1200℃ ? 壓力控制： 0～ 800Torr（ 1 Torr≈ ） ? 激光干涉在位生長監(jiān)測系統(tǒng) ? 反應氣體：氨氣，硅烷（純度：6N=% ） ? 載氣：氫氣，氮氣；（純度： 6N） ? MOCVD源：三甲基鎵 (TMGa)，三甲基銦(TMIn), 三甲基鋁 (TMAl)，二茂基鎂 (Cp2Mg) 三、 LED外延片的制作 國產 MOCVD設備 ? 中國電子科技集團公司第四十八研究所 ? 上游產業(yè) 一、 LED芯片制造設備 國產 MOCVD設備指標 ? 產品描述： GaNMOCVD設備是集精密機械、電子、物理、光學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端電子專用設備，用于 GaN系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫色 LED芯片的制造，是國家半導體照明（白光 LED）工程實施中最為關鍵的芯片制造設備，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前景的專用設備。 一、 LED芯片制造設備 國產 MOCVD設備指標 ? 生產能力： 2’’（ 1英寸 =）基片，6片 /批； ? 基片溫度及精度： 300~1200177。 1℃ ； ? 升溫速度： 10 ℃ /s； ? 載片臺轉速： 10~200rpm（轉數(shù) /分）； ? 反應室壓控范圍： ~； ? 界面友好，操作簡單。 一、 LED芯片制造設備 MOCVD設備操作培訓與就業(yè) 2023年 7月 24日，中國（深圳）國際半導體照明展覽會期間， “ MOCVD技術國際短期培訓班”。最新的 MOCVD技術。 ? “ GaN基發(fā)光二極管結構表征方法” ? “基于 MOCVD生產的高功率光電子器” ? “ MOCVD硬件及維護” ? “用于產品監(jiān)測的光學在位測量技術發(fā)展近況” 一、 LED芯片制造設備 設備的操作與維護及其重要 重要的 MOCVD ? MOCVD已經(jīng)成為工業(yè)界主要使用的鍍膜技術。 ? 使用 MOCVD這種鍍膜技術制作 LED的外延片，即在襯底上鍍多層膜。 ? 外延片是 LED生產的上游產業(yè)，在光電產業(yè)中扮演重要的角色。 ? 有些專家經(jīng)常用一個國家或地區(qū)擁有 MOCVD外延爐的數(shù)量來衡量這個國家或地區(qū)的光電行業(yè)的發(fā)展
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1