comsic制造工藝流程(已修改)
2025-02-02 03:13 本頁面
【正文】 第七章 COMS IC 制造工藝流程 主要內(nèi)容1. 典型的亞微米 CMOS IC 制造流程圖；2. 描述 CMOS 制造工藝 14個步驟的主要目的；4. 討論每一步 CMOS 制造流程的關(guān)鍵工藝。 Figure 7 CMOS工藝流程中的主要制造步驟Oxidation(Field oxide)Silicon substrateSilicon dioxideoxygenPhotoresistDevelopoxidePhotoresistCoatingphotoresistMaskWaferAlignment and ExposureMaskUV lightExposed PhotoresistexposedphotoresistGS DActive Regionstop nitrideS DGsilicon nitrideNitrideDepositionContact holesS DGContactEtchIon Implantationresistox DGScanning ion beamSMetal Deposition and EtchdrainS DGMetal contacts PolysiliconDepositionpolysiliconSilane gasDopant gasOxidation(Gate oxide)gate oxideoxygenPhotoresistStripoxideRF PowerIonized oxygen gasOxideEtchphotoresistoxideRF Power Ionized CF4 gasPolysiliconMask and EtchRF PoweroxideIonized CCl4 gaspoly gateFigure 7 1. 雙井工藝2. 淺槽隔離工藝 3. 多晶硅柵結(jié)構(gòu)工藝4. 輕摻雜漏 (LDD)注入工藝5. 側(cè)墻的形成 6. 源 /漏（ S/D）注入工藝7. 接觸孔的形成8. 局部互連工藝9. 通孔 1和金屬塞 1的形成 1互連的形成 2和金屬 2的形成 2互連的形成 壓點(diǎn)及合金Passivation layer Bonding pad metalp+ Silicon substrateLI oxideSTInwell pwellILD1ILD2ILD3ILD4ILD5M1M2M3 M4Poly gatep Epitaxia
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1