comsic制造工藝流程-文庫吧
2025-01-15 03:13 本頁面
【正文】 l layerp+ILD6LI metalViap+ p+ n+n+n+ 2314567891011121314CMOS 制作步驟 Figure 7 一、雙井工藝nwell Formation 1）外延生長2）厚氧化生長 保護(hù)外延層免受污染；阻止了在注入過程中對硅片的過渡損傷；作為氧化物屏蔽層，有助于控制注入過程中雜質(zhì)的注入深度。3）第一層掩膜4） n井注入（高能）5）退火Figure 7 pwell Formation1）第二層掩膜2） P井注入 (高能 )3）退火Figure 7 二、淺曹隔離工藝STI 槽刻蝕1）隔離氧化層2）氮化物淀積3）第三層掩膜，淺曹隔離4） STI槽刻蝕（ 氮化硅的作用：堅(jiān)固的掩膜材料，有助于在 STI氧化物淀積過程中保護(hù)有源區(qū)；在 CMP中充當(dāng)拋光的阻擋材料。）Figure 7 STI Oxide Fill1）溝槽襯墊氧化硅2）溝槽 CVD氧化物填充Figure 7 STI Formation1）淺槽氧化物拋光（化學(xué)機(jī)械拋光）2）氮化物去除Figure 7 三、 Poly Gate Structure Process 晶體管中柵結(jié)構(gòu)的制作是流程當(dāng)中最關(guān)鍵的一步，因?yàn)樗俗畋〉臇叛趸瘜拥臒嵘L以及多晶硅柵的形成，而后者是整個(gè)集成電路工藝中物理尺度最小的結(jié)構(gòu)。1）柵氧化層的生長2）多晶硅淀積3）第四層掩膜，多晶硅柵4）多晶硅柵刻蝕Figure 7 四、輕摻雜；漏注入工藝 隨著柵的寬度不斷減小，柵下的溝道長度也不斷減小。這就增加源漏間電荷穿通的可能性，并引起不希望的溝道漏電流。 LDD工藝就是為了減少這些溝道漏電流的發(fā)生。 n LDD Implant1）第五層 掩膜2） nLDD注入（低能量，淺結(jié)）Figure 7 p LDD Implant1）第六層掩膜2） P 輕摻雜漏注入（低能量，淺結(jié)）Figure 7 五、側(cè)墻的形成 側(cè)墻用來環(huán)繞多晶硅柵，防止更大劑量的源漏（ S/D）注入過于接近溝道以致可能發(fā)生的源漏穿通。1）淀積二氧化硅2）二氧化硅反刻Figure 7 六、源 /漏注入工藝n+ Source/Drain Implant1）第七層掩膜2） n+源 /漏注入Figure 7 p+ Source/Drain Implant1)第八層掩膜2） P＋ 源漏注入（中等能量）3）退火Figure 7 七、接觸（孔）的形成鈦金屬接觸的主要步驟1）鈦的淀積2）退火3）刻蝕金屬鈦Figure 7 八、局部互連工藝LI 氧化硅介質(zhì)
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