關(guān)于電子探針x射線(xiàn)顯微分析-文庫(kù)吧資料
2025-01-05 02:34本頁(yè)面
【正文】 子束固定在分析的某一點(diǎn)（ 微區(qū) ），改變晶體的衍射角，記錄該點(diǎn)不同元素的 x射線(xiàn) λ 和 I。n 定量 分析： 記錄樣品發(fā)射的特征 x射線(xiàn) λ 和 I。（機(jī)械拋光、化學(xué)試劑、表面氧化膜和碳化產(chǎn)物、殘存的污染） 分析方法n 定性 分析： 記錄樣品發(fā)射的特征 x射線(xiàn) λ 。② 光學(xué)觀察進(jìn)行侵蝕的樣品，應(yīng)控制侵蝕程度。 CoK?是 SK?的 3倍，根據(jù) SK?電壓脈沖信號(hào)設(shè)置窗口電壓，通過(guò)脈沖高度分析器排除 CoK?的脈沖，從而使譜中 nm處僅存在 SK?線(xiàn)。例：n SK?(n＝ 1)存在于 ， CoK?(n＝1)在 ， CoK?(n＝ 3)的三級(jí)衍射在 3?＝ ，故 SK?的一級(jí)線(xiàn)和 CoK?的 三級(jí)線(xiàn)非常近無(wú)法區(qū)分。n 波譜儀的晶體分光特點(diǎn)，對(duì)波長(zhǎng)為 ?的 X射線(xiàn)不僅可以在探測(cè)到 n＝ 1的一級(jí) X射線(xiàn)，同時(shí)可在其它 ?角處探測(cè)到 n為不同值的高級(jí)衍射線(xiàn)。WDS 與 EDS比較n WDS分析元素范圍廣、分辨率高、適于精確的定量分析，對(duì)樣品表面要求高、分析速度慢，易引起樣品和鏡筒的污染。NaCl的掃描形貌像及其能量色散譜EDS 特點(diǎn)：n 分析速度 快n 分辨率較 低 ： 150eVn 峰背比小 譜峰寬、易重疊，背底扣除困難，數(shù)據(jù)處理復(fù)雜n 分析元素范圍： 11Na－ 92Un 進(jìn)行低倍掃描成像，大視域的元素分布圖。n X射線(xiàn)光子進(jìn)入 Si晶體內(nèi)，產(chǎn)生電子 –空穴對(duì)，在 100K左右溫度時(shí)，每產(chǎn)生一個(gè)電子 –空穴對(duì)消耗的平均能量為 。n 得到以能量為橫坐標(biāo)、強(qiáng)度為縱坐標(biāo)的 x射線(xiàn)能量色散譜，顯示于熒光屏上。n 分析元素范圍： 4Be－ 92Un 樣品表面要求平整、光滑。 測(cè)量精度高，多用于超輕元素 Z9測(cè)量。n 約翰遜型： A、 B、 C三點(diǎn)的衍射束正好聚焦在 D點(diǎn)，叫做完全聚焦法波長(zhǎng)色散譜WDS 特點(diǎn)：n 分析速度 慢 單個(gè)元素測(cè)量，做全分析時(shí)間較長(zhǎng)。彎曲分光晶體兩種聚焦方式n 約翰型
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