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sem電子顯微鏡與電子探針-文庫吧資料

2025-05-13 18:13本頁面
  

【正文】 背散射電子產(chǎn)額與原子序數(shù)關(guān)系 : 當(dāng) Ep = 20keV以下,則 η = + 10- 4Z2+ 10- 7Z3 設(shè)有兩平坦相鄰區(qū)域,分別由 Z1 和 Z2 純?cè)亟M成, 且 Z2 Z1 則襯度 C = = S 為檢測(cè)信號(hào)強(qiáng)度 ? 為背散射電子強(qiáng)度 當(dāng) Z Z2原子序數(shù)相鄰,則襯度很低 當(dāng) Z Z2原子序數(shù)相差遠(yuǎn),則襯度很高 原子序數(shù) W: 74 Ti: 22 Si: 14 Al: 13 O: 8 N: 7 如何排除表面不平坦因素? △ 表面拋光 △ 采用雙通道檢測(cè)器及信號(hào)處理 (三 )二次電子象與背散射電子象的比較 信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng) 閃爍體計(jì)數(shù)器 △ 柵網(wǎng) +250500V 二次電子象 50V 背散射電子象 △ 閃爍體 610kV 吸引、加速電子 撞擊閃爍體發(fā)光 △ 光導(dǎo)管 △ 光子倍增器 二次電子象與背散射電子象的比較 二次電子象 背散射象 主要利用 形貌襯度 成分襯度 收集極 +250- 500V - 50V 分辨率 高 較差 無陰影 有陰影 信號(hào)大,信噪比好 五、主要部件 電子光學(xué)系統(tǒng) 掃描系統(tǒng) 信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng) 圖象顯示系統(tǒng) 電源系統(tǒng)和真空系統(tǒng)
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