sem電子顯微鏡與電子探針(已修改)
2025-05-19 18:13 本頁面
【正文】 一、簡介 二、基本物理概念 三、主要參數(shù) 四、工作模式與襯度原理 五、主要部件 六、應(yīng)用舉例 七 、 電子探針 掃描電子顯微鏡與電子探針 (Scanning Electron Microscope 簡稱 SEM and Electron Probe Microanalysis 簡稱 EPMA ) 一、簡介 SEM是利用聚焦電子束在樣品上掃描時激發(fā)的某種物理信號來調(diào)制一個同步掃描的顯象管在相應(yīng)位置的亮度而成象的顯微鏡。 與普通顯微鏡的差別 ： 電子波長 E為電子能量，單位 eV 當 E = 30KeV 時 , λ ≈ )( nmE?? 普通顯微鏡 SEM 基本原理 光折射成象 同步掃描 入射束波長 400 700 nm 能量為 E的電子 放大倍數(shù) ～1600 幾十萬 分辨率 200 nm nm 景深 是普通顯微鏡的 300倍 學習的重要性 ： ▲ 是形貌分析的重要手段 ▲ 二次電子象在其它分析儀器中的應(yīng)用 ▲ 基本物理概念、儀器參數(shù)及基本單元的通用性 二、 基本物理概念 (一 ) 電子與表面相互作用及與之相關(guān)的分析技術(shù) (二 ) 信息深度 (三 ) 電子作為探束的分析技術(shù)特點 (一 )電子與表面相互作用及與之相關(guān)的分析技術(shù) 1．信息種類及相應(yīng)的分析技術(shù)： △ 背散射：經(jīng)彈性散射或一次非彈性散射后 以 θ 90176。 射出表面， E～Ep △ 特征能量損失 △ 多次散射后射出－形成本底 △ 在樣品中停止，變?yōu)槲针娏? △ 從樣品透射 (TEM) △ 二次電子：外層價電子激發(fā) (SEM) △ 俄歇電子：內(nèi)層電子激發(fā) (AES) △ 特征 X射線：內(nèi)層電子激發(fā) (EPMA) △ 連續(xù) X射線：軔致輻射 (本底） 對于半導體材料： △ 陰極熒光 △ 電子束感生電流 2．檢測電子的能量分布 (二 ) 信息深度 △ 非彈性散射平均自由程：
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1