【正文】 雙列直插 16腳封裝，+12V和177。單管電路存儲單元的結構最簡單，只用一個 MOS管和一個電容器組成，集成度高，常用于大容量的動態(tài)隨機存取存儲器中。由于要不間斷地進行刷新，故稱這種存儲器為動態(tài)存儲器。雖然 MOS管的柵極電阻很高，但柵極電容的容量很?。ㄒ话阒挥袔灼しɡ┣译娙萜魃系碾姾刹豢杀苊獾匾蚵╇姷纫蛩囟鴵p失，使電容上存儲的信息保存時間 有限，為保持原存儲信息不變，就需要不間斷地對柵極電容定時地進行補充電荷（這種操作也稱刷新或再生）。注意，列線 Yj的列控制門 Vj,Vj屬列內各單元公用，不需要計入存儲單元的器件數(shù)目。 Xi＝ 0時，V5， V6管均截止，存儲的狀態(tài)保持不變； Xi＝ 1時， V5， V6管均導通，存儲的狀態(tài) , 就輸出到位線 AA, 上了，即存儲器的數(shù)據就 被讀出了。 , 為輸 出端， 1?Q 時， V1導通， V2截止，輸出 Q 為低電平，使 V3截止， V4導通，這樣也反過來保證了輸出 1?Q ，故此狀態(tài)為一個穩(wěn)定狀態(tài)，“ 1”態(tài)，表示存儲單元里存儲了“ 1”；當 Q變?yōu)?0時， V1截止， V2導通，使輸出 Q 為高電平，又保證了 V3導通， V4截止，得到另一個穩(wěn)定狀態(tài)，“ 0”態(tài)，也即將存儲內容從“ 1”改寫成“ 0”了。圖 CMOS靜態(tài)存儲單元。按工作原理分類， RAM的存儲單元可分為靜態(tài)存儲單元和動態(tài)存儲單元。 四、 RAM 的存儲單元 RAM的核心元件是存儲矩陣中的存儲單元。當讀 /寫控制信號 ?WR/ 1時，執(zhí)行讀操作，即將存儲單元里的數(shù)據送到輸入 /輸出端上；當 ?WR/ 0時，執(zhí)行寫操作，加到輸入/輸出端上的數(shù)據被寫入存儲單元里。例如，若輸入地址 A7～A0為 11111111時，位于 X0和 Y0交叉處的單元被選中，然后才可以對該單元進行讀或寫的操作。其中地址碼的低 5位 A4～ A0作為行譯碼輸入，產生 25=32根行選擇線，地址碼的高 3位 A7～ A5用于列譯碼 ，產生 23=8根列選擇線。在存儲器中，通常將輸入地址譯碼器分為行地址譯碼器和列地址譯碼器兩部分，給定地址碼后，行地址譯碼器輸出線（即字線）中有一條有效，選中該行的存儲單元，同時，列地址譯碼器輸出線（即位線）中也有一條有效，選中一列或 n列的存儲單元，字線和位線的交叉點處的單元即被選中。不同的字具有不同的地址，在進行讀寫操作時，可以按照地址選擇欲訪問的單 元。 該存儲矩陣共需要 32根行選擇線和 8根列選擇線。存儲單元的數(shù)目稱為存儲器的容量。 W 9 W15 amp。 W 7 amp。 W 5 amp。 amp。 amp。 1 B 3 1 B 2 1 B 1 1 B 0 amp。 一、 RAM 的結構 和工作原理 隨機存取存儲器的結構框圖如圖 ，一般由存儲矩陣、地址譯碼器、片選控制和讀 /寫控制電路等組成。 第三 節(jié) 隨機存取存儲器 （ RAM） 隨機存取存儲器也稱隨機讀 /寫存儲器，可以在任意時刻，對任意選中的存儲單元進行信息的存入（寫）或取出（讀）的信息操作，因此稱為隨機存取存儲器。 W4 W3 W2 W1 W0 W5 W6 W7 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 圖 例題 的邏輯圖 0 1 0 0 0 1 1 0 W4 0 1 0 1 0 1 1 1 W5 0 1 1 0 0 1 0 1 W6 0 1 1 1 0 1 0 0 W7 1 0 0 0 1 1 0 0 W8 1 0 0 1 1 1 0 1 W9 圖 ROM 實現(xiàn)碼制轉換 從上述例子看出，用 PROM能夠實現(xiàn)任何與或標準式的組合邏輯函數(shù)。 amp。 amp。 amp。 表 8421BCD 碼轉換成格雷碼 8421 BCD 碼 輸 入 格 雷 碼 輸 出 存儲器 B3 B2 B1 B0 G3 G2 G1 G0 W 0 0 0 0 0 0 0 0 W0 0 0 0 1 0 0 0 1 W1 0 0 1 0 0 0 1 1 W2 0 0 1 1 0 0 1 0 W3 Y3 Y2 Y1 A B C 2 amp。例如 B3B2B1B0=0010時，字線 W2為高電平，輸出為 G3G2G1G0=0011，故應保留 W2和 G1G0交叉點上的熔絲“”，燒斷 W2和 G3G2交叉點上的熔絲。 解：把表中的 B B B B0定義為地址輸入量，格雷碼 G G G G0定義為輸出量，存儲矩陣的內容由具體的格雷碼決定，則該 PROM的容量為 4 4。 例 ROM實現(xiàn)下列邏輯函數(shù) CCBAYCACBYABBAY??????321 解：利用 AA? ＝ 1將上述函數(shù)式化為標準與－或 式： 28 14 D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12CEOEP G MVPP61098724543252123220222711611121315171819GND VCC ? ?? ?? ?????????????7,5,3,2,14,3,1,07,6,1,0321CCBAYCACBYABBAY 由上述標準式可知：函數(shù) Y1有四個存儲單元應為“ 1”，函數(shù) Y2也有四個存儲單元應為“ 1”，函數(shù) Y3有五個存儲單元應為“ 1”，實現(xiàn)這三個函數(shù)的邏輯圖可表示為圖 。因為 ROM的地址譯碼器是一個與陣列，存 儲矩陣是可編程或陣列，所以很方便用來實現(xiàn)與 — 或形式的邏輯函數(shù)。下面我們做簡單介紹。 圖 2764 引腳圖 2764有 5種操作方式，如表 。其引腳圖如圖 所示。 2764是一個 28腳雙列直插封裝的紫外線可擦除可編程 ROM集成電路。表 EPROM芯片的操作方式。 表 常用的 EPROM 芯片主要技術特性 型號 2716 2732 2764 27128 27256 27512 容量（ KB） 2 4 8 16 32 64 引腳數(shù) 24 24 28 28 28 28 讀出時間（ ns） 350～ 450 200＊ 200＊ 200＊ 200＊ 170＊ 最大工作電流（ mA） 100 75 100 100 125 最大維持電流（ mA） 35 35 40 40 40 ＊： EPROM的讀出時間視型號而定，一般在 100～ 300ns，表中列出的為典型值。 圖 一種 PROM 存儲單元 2716（ 2K 8位）、 2764（ 8K 8位）、 2732（ 32K 8位）、??、 27512（ 64K 8位）等 EPROM集成芯片，除存儲容量和編程電壓等參數(shù)不同外，其它參數(shù)基本相同。可改寫 ROM有紫外線可擦除 EPROM、電擦除 E2PROM和快閃存儲器三種類型。但是，熔絲一旦燒斷將不可恢復，也 就是一旦寫成“ 0”后就無法再重寫成“ 1”了，即這種可編程存儲器只能進行一次編程。出廠時，所有存儲單元的熔絲都是連通的，相當于所有的存儲內容全為“ 1”。圖 PROM的一種存儲單元 , 它由三極管和低熔點的快速熔