[工學]半導體存儲器-文庫吧資料
2024-10-22 18:27本頁面
【正文】 1 1111 1111 1111 1 1 Ⅲ 0 0000 0000 0000 1 1111 1111 1111 1 0 Ⅱ 0 0000 0000 0000 1 1111 1111 1111 0 1 Ⅰ 0 0000 0000 0000 1 1111 1111 1111 0 0 CS1有效的芯片 A12 A11 A0 CS1 CS2 A0 CS1 CS2 6264 Ⅰ I/O7 I/O0 VDD A0 CS1 CS2 6264 Ⅰ I/O7 I/O0 VDD A0 CS1 CS2 6264 Ⅰ I/O7 I/O0 VDD Y1 D7 A0 6264 Ⅰ I/O7 I/O0 VDD D1 D7 D8 D9 D15 VDD A0 1 1 821 RAM存儲容量的擴展 字擴展 ST R/W A12 D0 OE GND R/W A12 A0 CS1 CS2 CO W 寫行線 讀行線 預充 脈沖 C 818 RAM存儲單元 MOS動態(tài)存儲單元 CO T D Xi CS 位 線 819 RAM集成芯片 HM6264 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 HM 6264 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND VDD R/W CS2 A8 A9 A11 OE A10 CS1 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 高阻懸浮 1 1 1 0 輸出禁止 高阻懸浮 0 維持 (未選中 ) 高阻懸浮 1 維持 (未選中 ) 輸入數(shù)據(jù) 0 1 0 寫 (選中 ) 輸出數(shù)據(jù) 1 0 1 0 讀 (選中 ) I/O R/W OE CS2 CS1 工作狀態(tài) HM6264工作狀態(tài) 820 RAM存儲容量的擴展 位擴展 CS1 HM6264 Ⅰ I/O7 I/O1 I/O0 VDD D D I/O R/W CS G2 G1 G3 G4 G5 CS＝ 0時， R/W＝ 1可進行讀操作； R/W＝ 0可進行寫操作 數(shù)字系統(tǒng)中的 RAM一般由多片組成，當系統(tǒng)每次讀 /寫時，僅僅針對其中一片（或幾片）操作，片選輸入端 CS就是為此而設置的，當 CS＝ 1時，讀、寫操作都被禁止 816 RAM存儲單元 MOS靜態(tài)存儲單元 T3 T4 T6 T2 T1 Tj Tj D Yj Xi T5 VDD D 位 線 位 線 ′ 存儲 單元 817 RAM存儲單元 MOS動態(tài)存儲單元 T3 T4 T6 T2 T1 Tj D Yj Xi T5 VDD R 讀 位 線 寫 位 線 T4 ′ 存儲 單元 CO ′ amp。這一過程常稱為 尋址 ?存儲器地址碼的位數(shù) n（地址輸入線數(shù)）越多可尋址數(shù)越多（ 2n個） ，存儲容量越大 814 RAM結構 1048576(1024K=1M) 20 524288(512K) 19 262144(256K) 1
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