[工學(xué)]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器-wenkub.com
2024-10-13 18:27 本頁(yè)面
【正文】 ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 A3 A2 A1 A0 D3 D2 D1 D0 W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 W10 W11 W12 W13 W14 W15 B B B BG G G G4位將二進(jìn)制碼轉(zhuǎn)換成循環(huán)碼的 PROM陣列圖 835 用 ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù) 例 用 PROM構(gòu)成 1位全加器 解 列出 1位全加器真值表 CIi1 Ai Bi Si COi 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 836 用 ROM實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù) 1 1 1 amp。如此，可將全部該寫(xiě) 0的單元寫(xiě) 0，實(shí)現(xiàn)用戶編程 可擦除可編程 ROM（ EPROM） 和電可擦可編程 ROM（ EEPROM） EPROM存儲(chǔ)單元編程 829 若要擦除所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，可將其置于 EPROM擦除器產(chǎn)生的強(qiáng)紫外光照射之下，并持續(xù)一定時(shí)間（幾到十幾分鐘），浮柵上的電子通過(guò)紫外光獲得光子能量，而穿透絕緣層回到襯底中，芯片又恢復(fù)到全部存儲(chǔ)單元為 1的初始狀態(tài)。 amp。 A0 A14 A13 地 址 范 圍 OE GND R/W A12 OE GND R/W A12 R/W A12 HM6264 Ⅱ I/O7 I/O1 I/O0 VDD amp。 它的特點(diǎn)是讀 /寫(xiě)方便，使用靈活，一旦斷電數(shù)據(jù)隨之丟失（即數(shù)據(jù)具有易失性） ?靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SRAM SRAM(Static Random Access Memory) ?動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 DRAM DRAM(Dynamic Random Access Memory) RAM分為 811 RAM結(jié)構(gòu) ?存儲(chǔ)矩陣 ?地址譯碼器 ?讀寫(xiě)控制電路 （ I/O電路） RAM結(jié)構(gòu)示意圖 (行)地址譯碼器 (列 )地址譯碼器 x y 存 儲(chǔ) 矩 陣 讀寫(xiě)控制電路 I/O A0 A1 Ai An1 Ai＋ 1 Ai＋ 2 讀寫(xiě) (R/W) 片選 (CS) SL/SR CP O0 EN 1 EN 1 m位雙向 移位寄存器 Om－ 1 ≥ 1 1024位動(dòng)態(tài)移存器 amp。 amp。81 第 8章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM) 順序存取存儲(chǔ)器 (SAM) 只讀存儲(chǔ)器 (ROM) 概述 82 概述 ?在 數(shù)字系統(tǒng)工作過(guò)程中，有大量數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能夠存儲(chǔ)大量的二值 信息的存儲(chǔ)器；它在數(shù)字系統(tǒng)中能 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、程序、資料等信息，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器因此而成為數(shù)字系統(tǒng)不可缺少的組成部分 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的特點(diǎn)與應(yīng)用 ?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有集成度高、體積小、價(jià)格低、外圍電路簡(jiǎn)單、接口方便和易于大批量生產(chǎn)等特點(diǎn) 83 ?按制造工藝分 雙極型 雙極型存儲(chǔ)器工作速度快、功耗大、價(jià)格高、集成度不高 MOS型 MOS型存儲(chǔ)器功耗低、工藝簡(jiǎn)單、集成度高、價(jià)格低 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類(lèi) ?按存取方式分 順序存取存儲(chǔ)器 (Sequential Access Memory,簡(jiǎn)稱 SAM) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Random Access Memory,簡(jiǎn)稱 RAM) 只讀存儲(chǔ)器 (Only Read Memory,簡(jiǎn)稱 ROM) 84 ?存儲(chǔ)容量 ?位 (bit) 存儲(chǔ)器最基本的存儲(chǔ)單元，可存儲(chǔ)一個(gè) 0或一個(gè) 1
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