[工學]半導體存儲器(已修改)
2024-10-28 18:27 本頁面
【正文】 81 第 8章 半導體存儲器 隨機存取存儲器 (RAM) 順序存取存儲器 (SAM) 只讀存儲器 (ROM) 概述 82 概述 ?在 數字系統工作過程中，有大量數據需要存儲，半導體存儲器是一種能夠存儲大量的二值 信息的存儲器；它在數字系統中能 存儲數據、程序、資料等信息，半導體存儲器因此而成為數字系統不可缺少的組成部分 半導體存儲器的特點與應用 ?半導體存儲器具有集成度高、體積小、價格低、外圍電路簡單、接口方便和易于大批量生產等特點 83 ?按制造工藝分 雙極型 雙極型存儲器工作速度快、功耗大、價格高、集成度不高 MOS型 MOS型存儲器功耗低、工藝簡單、集成度高、價格低 半導體存儲器的分類 ?按存取方式分 順序存取存儲器 (Sequential Access Memory,簡稱 SAM) 隨機存取存儲器 (Random Access Memory,簡稱 RAM) 只讀存儲器 (Only Read Memory,簡稱 ROM) 84 ?存儲容量 ?位 (bit) 存儲器最基本的存儲單元，可存儲一個 0或一個 1 ?字 (byte) 若干個基本存儲單元排列在一起組成一個字 ?存儲器的存儲容量通常用 (字數 ) (位數 )表示；例如 存儲容量為 1024(字 ) 8(位 )的存儲器內包含有 8192個基本存儲單元，常表示成 1k 8位 (1k=1024)，或 1k字（字長 8位） 半導體存儲器的主要技術指標 ?存取時間（讀 /寫周期） 連續(xù)兩次讀取 (或寫入 )操作的間隔時間稱為讀 (寫 )周期，表征存儲器工作速度的高低 85 順序存取存儲器（ SAM） ?順序存取存儲器由動態(tài)移位寄存器構成，動態(tài)移位寄存器又由動態(tài) CMOS反相器串接而成 ?利用 MOS管柵極和襯底之間的輸入電容 (柵電容 )來暫存信息，由于 MOS管的輸入電阻極大，當柵電容充入電荷后，電荷經輸入電阻自然泄漏 (放電 )速度比較緩慢，至少需要持續(xù)幾個毫秒，如果移位脈沖 (CP)的周期為微秒量級，則在一個周期內柵電容上的電荷基本不變，柵極電位就基本不變。若長時間沒有移位脈沖的推動，存放在柵電容上的信息就會隨電荷的泄漏而消失。所以它只能在移位脈沖的作用下，也就是動態(tài)中運用，故稱為動態(tài)移位寄存器 86 動態(tài) CMOS反相器 VDD vO C TG CP R CP vI ＋ ＋ － － 87 動態(tài) CMOS移存單元 VDD C2 TG2 CP CP VDD C1 TG1 CP CP 主 從 1位 88 動態(tài)移存器和順序存取存儲器（ SAM） FIFO型 SAM amp。 amp。 amp。 ≥ 1 1024位動態(tài)移存器 amp。 amp。 amp。 ≥ 1 1024位動態(tài)移存器 amp。 amp。 amp。 ≥ 1 1024位動態(tài)移存器 I0 CP CP CP CP CP CP amp。 I1 I7 片選 讀 寫 /循環(huán) O0 O1 O7 ?循環(huán)刷新 ?讀和寫 89 動態(tài)移存器和順序存取存儲器（ SAM） FILO型 SAM R/W CP CP I/O0 O0 EN 1 EN 1 m位雙向 移位寄存器 Om－ 1 SL/SR CP O0 EN 1 EN 1 m位雙向 移位寄存器 Om－ 1 SL/SR I/O3 810 隨機存取存儲器（ RAM） 隨機存取存儲器也叫隨機讀 /寫存儲器，簡稱 RAM。工作時可以隨時讀取 RAM中任何指定位置已存數據，或向 RAM中的任何指定位置寫入數據。它的特點是讀 /寫方便，使用靈活，一旦斷電數據隨之丟失（即數據具有易失性） ?靜態(tài)隨機存取存儲器 SRAM
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