dram存儲(chǔ)器ppt課件(已修改)
2025-01-18 14:02 本頁(yè)面
【正文】 DRAM存儲(chǔ)器與高性能存儲(chǔ)器 第 3章 存儲(chǔ)系統(tǒng) 2 教學(xué)內(nèi)容 ? DRAM存儲(chǔ)器 ? 高性能存儲(chǔ)器 3 教學(xué)要求 ? 掌握 DRAM存儲(chǔ)器的讀寫過程和刷新過程的原理。 ? 理解各個(gè)周期的特點(diǎn)，并能繪制圖。 ? 理解 EDRAM芯片的組成和工作原理。 ? 掌握內(nèi)存條的功能和存儲(chǔ)地址的分配。 4 教學(xué)重點(diǎn) ? DRAM的讀寫，刷新功能。 ? 內(nèi)存的讀寫工作過程。 8 一 DRAM存儲(chǔ)最小單元 9 DRAM存儲(chǔ)元的記憶原理 MOS管作為開關(guān)使用，信息由電容器上的電荷量體現(xiàn) —— 電容器充滿電荷代表存儲(chǔ)了 1；電容器放電沒有電荷代表存儲(chǔ)了 0 寫 0—— 輸出緩沖器和刷新緩沖器關(guān)閉；輸入緩沖器打開，輸入數(shù)據(jù)DIN=0送到存儲(chǔ)元位線上；行選線為高，打開 MOS管，電容上的電荷通過MOS管和位線放電 讀出 1后存儲(chǔ)位元重寫 1 (1的讀出是破壞性的 )—— 輸入緩沖器關(guān)閉，刷新緩沖器和輸出緩沖器 /讀放打開，DOUT=1經(jīng)刷新緩沖器送到位線上，再經(jīng) MOS管寫到電容上 讀出 —— 輸入緩沖器和刷新緩沖器關(guān)閉；輸出緩沖器 /讀放打開 (R/W為高 )；行選線為高，打開 MOS管，電容上存儲(chǔ)的 1送到位線上，通過輸出緩沖器 /讀出放大器發(fā)送到 DOUT，即 DOUT=1 寫 1—— 輸出緩沖器和刷新緩沖器關(guān)閉；輸入緩沖器打開 (R/W為低 )， DIN=1送到存儲(chǔ)元位線上；行選線為高，打開 MOS管，位線上的高電平給電容器充電 10 二 DRAM芯片的結(jié)構(gòu) 11 ２
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