【正文】 指定的四個單元中。芯片為雙列直插 18腳封裝，采用單一 +5V電源，全部電平和位線 字線 T CA CS TTL電路兼容。 動 態(tài)存儲單元比靜態(tài)存儲單元所用元件少、 集成度高，適用于大 容量存儲器。這時 CS經(jīng) T向位線上的電容 CA充電，使 uCA上升到高電平，位線上獲得高電平，讀出數(shù)據(jù)“ 1”。 電容 CA是數(shù)據(jù)線上的分布電容。采用雙列直插 16腳封裝，+12V和177。由于要不間斷地進行刷新，故稱這種存儲器為動態(tài)存儲器。注意，列線 Yj的列控制門 Vj,Vj屬列內(nèi)各單元公用，不需要計入存儲單元的器件數(shù)目。 , 為輸 出端， 1?Q 時， V1導(dǎo)通， V2截止，輸出 Q 為低電平，使 V3截止， V4導(dǎo)通，這樣也反過來保證了輸出 1?Q ，故此狀態(tài)為一個穩(wěn)定狀態(tài)，“ 1”態(tài)，表示存儲單元里存儲了“ 1”；當(dāng) Q變?yōu)?0時， V1截止， V2導(dǎo)通，使輸出 Q 為高電平，又保證了 V3導(dǎo)通， V4截止，得到另一個穩(wěn)定狀態(tài)，“ 0”態(tài)，也即將存儲內(nèi)容從“ 1”改寫成“ 0”了。按工作原理分類， RAM的存儲單元可分為靜態(tài)存儲單元和動態(tài)存儲單元。當(dāng)讀 /寫控制信號 ?WR/ 1時，執(zhí)行讀操作，即將存儲單元里的數(shù)據(jù)送到輸入 /輸出端上；當(dāng) ?WR/ 0時，執(zhí)行寫操作，加到輸入/輸出端上的數(shù)據(jù)被寫入存儲單元里。其中地址碼的低 5位 A4～ A0作為行譯碼輸入，產(chǎn)生 25=32根行選擇線，地址碼的高 3位 A7～ A5用于列譯碼 ，產(chǎn)生 23=8根列選擇線。不同的字具有不同的地址，在進行讀寫操作時，可以按照地址選擇欲訪問的單 元。存儲單元的數(shù)目稱為存儲器的容量。 W 7 amp。 amp。 1 B 3 1 B 2 1 B 1 1 B 0 amp。 第三 節(jié) 隨機存取存儲器 （ RAM） 隨機存取存儲器也稱隨機讀 /寫存儲器，可以在任意時刻，對任意選中的存儲單元進行信息的存入（寫）或取出（讀）的信息操作，因此稱為隨機存取存儲器。 amp。 amp。例如 B3B2B1B0=0010時，字線 W2為高電平，輸出為 G3G2G1G0=0011，故應(yīng)保留 W2和 G1G0交叉點上的熔絲“”，燒斷 W2和 G3G2交叉點上的熔絲。 例 ROM實現(xiàn)下列邏輯函數(shù) CCBAYCACBYABBAY??????321 解：利用 AA? ＝ 1將上述函數(shù)式化為標準與－或 式： 28 14 D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12CEOEP G MVPP61098724543252123220222711611121315171819GND VCC ? ?? ?? ?????????????7,5,3,2,14,3,1,07,6,1,0321CCBAYCACBYABBAY 由上述標準式可知：函數(shù) Y1有四個存儲單元應(yīng)為“ 1”，函數(shù) Y2也有四個存儲單元應(yīng)為“ 1”，函數(shù) Y3有五個存儲單元應(yīng)為“ 1”，實現(xiàn)這三個函數(shù)的邏輯圖可表示為圖 。下面我們做簡單介紹。其引腳圖如圖 所示。表 EPROM芯片的操作方式。 圖 一種 PROM 存儲單元 2716（ 2K 8位）、 2764（ 8K 8位）、 2732（ 32K 8位）、??、 27512（ 64K 8位）等 EPROM集成芯片，除存儲容量和編程電壓等參數(shù)不同外，其它參數(shù)基本相同。但是，熔絲一旦燒斷將不可恢復(fù)，也 就是一旦寫成“ 0”后就無法再重寫成“ 1”了，即這種可編程存儲器只能進行一次編程。圖 PROM的一種存儲單元 , 它由三極管和低熔點的快速熔絲組成，所有字線和位線的交叉點都接有一個這樣的熔絲開關(guān)電路。實際上，圖 (a)的存儲矩陣和電阻 R組成了 4個二極管或門，以 D0為例，二極管或門電路如圖 (c)所示，D0=W0+W2+W3 。字線和位線交叉處有二極管的畫實心點，表示存儲數(shù)據(jù)“ 1”，無二極管的交叉點不畫點，表示存儲數(shù)據(jù)“ 0”。 輸出電路 存儲矩陣 地址 譯碼 器 An1 ┇ A0 X0 ┇ Xm1 Dk1 ┅ D0 Dk1 ┅ D0 EN ROM 的讀數(shù)過程是據(jù)地址碼讀出指定單元中的數(shù)據(jù)。地址譯碼器采用單譯碼方式，其輸出為 4條字選擇線 W0～ W3，當(dāng)輸入一組地址，相應(yīng)的一條字線輸出高電平。掩膜只讀存儲器可分為二極管 ROM、雙極型三極管 ROM和 MOS管 ROM三種類型。 圖 ROM 原理結(jié)構(gòu)框圖 地址譯碼器將輸入的地址代碼譯成相應(yīng)的單元地址控制信號，利用這個信號從存儲矩陣中 選出指定的存儲單元，把此單元的數(shù)據(jù)送給輸出電路。只讀存儲器電路結(jié)構(gòu)簡單且存放的數(shù)據(jù)在斷電后不會丟失，特別適用于存儲永久性的、不變的程序碼數(shù)據(jù)，如常數(shù)表、函數(shù)、表格和字符等，計算機中的自檢程序就是固化在 ROM中的。 二、 存儲器的分類 半導(dǎo)體存儲器的種類很多，按照存取功能的不同，存儲器分為只讀存儲器（ ReadOnly Memory，簡稱 ROM）、隨機存取存儲器（ Read Access Memory，簡稱 RAM）和可編程邏輯陣列（ PLD）三大類；按照制造工藝分類，存儲器可以分為雙極型和 MOS型兩種；按照應(yīng)用類型分為通用型和專用型兩種。 1．了解存儲器容量的擴展方法 2．掌握用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)的方法 RAM 的字和位同時擴展。 2. 隨機存取存儲器 (RAM)的 電路結(jié)構(gòu)及特點。存儲器是數(shù)字系統(tǒng)和計算機中不可缺少的組成部分， 半導(dǎo)體存儲器因具有容量大、體積小、功耗低、存取速度快、使用壽命長等特點，在數(shù)字系統(tǒng)中應(yīng)用很廣泛。其特點是在正常工作狀態(tài)下只能讀 取數(shù)據(jù)，不能即時修改或重新寫入數(shù)據(jù)。它主要由地址譯碼器、存儲矩陣和輸出電路等幾部分組成。 掩膜只讀存儲器，又稱固定 ROM，這種 ROM在制造時，生產(chǎn)廠家利用掩膜技術(shù)把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改。下圖 (a)是 4 4的二極管掩膜 ROM的結(jié)構(gòu)圖，它由 2線－ 4線地址譯碼器、 4 4的二極管存儲矩陣和輸出電路三部分組成。輸出電路由 4個驅(qū)動器組成，四條位線經(jīng)驅(qū)動器由 D3～ D0輸出。 表 二極管存儲器矩陣的真值表 地 址 數(shù) 據(jù) A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 1 上述這種 ROM的存儲矩陣可采用如圖 (b)所示的簡化陣列圖表示。顯然， ROM并不能記憶前一時刻的輸入信息，因此只是用門電路來實現(xiàn)組合邏輯關(guān)系。 可編程 PROM封裝出廠前，存儲單元中的內(nèi)容全為“ 1”，用戶可根據(jù)需要進行一次性編W0 W1 W2 W3 D 0 1 1 1 1 W0 W1 W2 W3 D3 D2 D1 D0 A0 A1 1 1 1 1 驅(qū)動器 R W0 W1 W2 W3 存儲矩陣 輸出電路 （ a）二極管 ROM 結(jié)構(gòu) （ b）存儲矩陣簡化陣列圖 （ c）二 極管或門電路 圖 4 4 二極管掩膜 ROM 程處理，將某些單元的內(nèi)容改為“ 0”。 編程時若想使某單元的存儲內(nèi)容為“ 0”，