【正文】 第一節(jié) 概述 一、 存儲器的基本概念 存儲器是能夠存儲大量二進制信息的半導體器件， 如可以存放各種程序、數(shù)據(jù)和資料等。 和 RAM 集成芯片的功能。 只讀存儲器有掩膜 ROM、可編程 ROM、可改寫 ROM等幾種不同類型。下面主要以二極管掩膜 ROM為例介紹 ROM的結(jié)構(gòu)和工作原理。例如，當輸入地址碼 A1A0=01 時，字線 W1=1，其余字選擇線為 0， W1字線上的高電平通過接有二極管的位線使 D D2為 1，其他位線與 W1字線相交處沒有二極管，為低電平，是 0。 二、 可編程只讀存儲器（ Programmable ReadOnly Memory，簡稱 PROM）： 可編程只讀存儲器 是可由用戶直接向芯片寫入信息的存儲器， PROM是在固定 ROM的基礎上發(fā)展而來的。 可改寫的 ROM（ EPROM、 E2PROM、 Flash Memory）：這類 ROM由用戶寫入數(shù)據(jù)（程序），當需要變動時還可以修改，使用起來很方便。 表 EPROM 2716 的操作方式 操作方式 控 制 輸 入 功 能 PGMCS OE PPV CCV 讀 0 0 5v 5v 數(shù)據(jù)輸出 維持 1 5v 5v 高阻態(tài) 編程 1 1 25v 5v 數(shù)據(jù)輸入 編程校驗 0 0 25v 5v 數(shù)據(jù)輸出 編程禁止 0 1 25v 5v 高阻態(tài) Wi EC Yi 下面簡要介紹常用的可編程 EPROM2764集成電路。 ROM可以用來實現(xiàn)各種組合邏輯函數(shù)。據(jù)此方法可將表 PROM編程圖來表示。 amp。 amp。 W 8 amp。地址的選擇是通過地址譯碼器來實現(xiàn)的。 在系統(tǒng)中， RAM一般由多片組成，系統(tǒng)每次讀寫時，只能選中其中的一片（或幾片）進行讀寫，因此每片 RAM均需有片 選信號線 CS ，當 CS ＝ 0時， RAM為正常工作狀態(tài)；當 CS＝ 1時，所有的輸入 /輸出端都為高阻態(tài)， RAM不能進行讀 /寫操作。 V5， V6管是受行選擇線 Xi控制的門控管，控制觸發(fā)器與位線的接通與斷開。 動態(tài)存儲單元電路有 4管電路、 3管電路和單管電路， 4管電路和 3管電路外圍控制電路比較簡單，讀出信號比較大，但電路結(jié)構(gòu)復雜，不利于提高集成度。在進行寫操作時，先要選中該單元，即字線給出高電平，使 T導通，將位線上的數(shù)據(jù)經(jīng)過 T被存入電容 CS中。 五、存儲容量的 擴展 1．集成 RAM 常用靜態(tài) RAM芯片有 2114A（ 1K 4）、 2116（ 16K 1）、 6116（ 2K 8）、 6264（ 8K 8）等。當 CS ＝＝ 1時， 讀 /寫控制電路處于禁止態(tài)，不能對芯片進行讀 /寫操作。 Y0 Y1 ? ? Y15 列地址譯碼器 A0 A1 A2 A9 CS R/W I/01 I/02 I/03 I/04 X0X1 ┆┆ X63 存 儲 矩 陣 A3A4A5A6A7A8 6116101 2 3 4 5 6 7 8 9 11 121324 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14VCCA8A9WE OE A10CE D7D6D5D4D3G N DD2D1D0A1A2A3A4A5A6A7A0611 6264和 62256的主要技術(shù)特性簡單總結(jié)列于表 。擴展位數(shù)，只需把幾片位數(shù)相同的 RAM芯片地址線共用，讓它們共用地址碼，讀 /寫控制線 R/W 線共用，各位的片選信號線也共用，每個 RAM的 I/O端并行輸出，就可以實現(xiàn)了位擴展。 將各芯片 的 I/O線、 WR 線并聯(lián)在一起使用，各片的地址線也都并聯(lián)在一起。 表 常用 RAM 芯片 型號 6116 61C16 6264 62C64 62256 62C256 62020 62C010 HM628128 容量 2K 8 8K 8 32K 8 128K 8 引線 24 28 28 32 第四節(jié) 可編程邏輯陣列及應用 一、 概述 數(shù)字電路有通用型和專用型兩大類。 A0 A1 A7 R/W CS I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 A0 A1 A7 R/W CS I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 A0 A1 A7 R/W CS I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 A0 A1 A7 R/W CS I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 A9 A8 A7 A1 A0 R/W I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 256 256 256 256 譯碼器 圖 用 256 4 RAM 組成 1024 4 存儲器 可編程邏輯器件采用的可編程元件有四類： 1． 一次性編程的熔絲或反熔絲元件。 PLD的每個輸出都是輸入“乘積和”的函數(shù)。 A B C D A B C D ≥ 1 ABC D ≥ 1 PROM是由固定的“與”陣列和可編程的“或”陣列組成的，如圖 。圖 PLA結(jié)構(gòu)。1 1 1I1I0amp。 還有 GAL(Generic Array Logic)結(jié)構(gòu)； 現(xiàn)場可編程門陣列 FPGA結(jié)構(gòu)； PAL結(jié)構(gòu)等。ROM工作可靠，斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。 BCPCAPBAPA B CPCBAPCBAPCBAP ??????? 6543210 ,可編程邏輯器件 PLD的出現(xiàn)，使數(shù)字系統(tǒng)的設計過程和電路結(jié)構(gòu)都大大簡化，同時也使電路的可靠性得到提高。其存儲單元主要有靜態(tài)和動態(tài)兩大類，靜態(tài) RAM的信息可以長久保持，而動態(tài) RAM必須定期刷新。主要分為 RAM和 ROM兩大類。amp。amp。這樣，由于不能充分利用 ROM的與陣列從而會造成硬件的浪費。 在分析 PLD結(jié)構(gòu)之前，先將描述 PLD基本結(jié)構(gòu)的有關邏輯約定說明如下。這些元件中，電擦除、電可編程的 E2PROM和快閃存儲單元的 PLD以及 DRAM的 PLD目前使用最廣泛。 PLD可以根據(jù)邏輯要求由用戶設定輸入與輸出之間的關系，也就是說 PLD是一種可以由用戶配置某種邏輯功能的器件。 解：需用 256 4RAM芯片的數(shù)量為： ? ?片＝＝一片存儲量 總存儲量 44256 41024 ???N 當 A9A8A7～ A0為 0000000000～ 0011111111時，芯片 1的 CS =0 被選中，可以對該片的 256個字進行讀寫操作；當 A9A8A7～ A0為 0100000000～ 0111111111時，芯片 2的 CS =0被選中，可以對該片的 256個字進行讀寫操作；當 A9A8A7～ A0為 1000000000～ 1011111111時，芯片 3 的 CS =0被選中，可以對該片進行讀寫操作；當 A9A8A7～ A0為 1100000000～ 1111111111時，芯片 4的 CS =0被選中，可以對該片進行讀寫操作，擴展電路連接圖如圖 。 (2) 字擴展 當單片存儲器的數(shù)據(jù)位數(shù)滿足要求而它的字數(shù)達不到要求時，就要進行字擴展。在數(shù)字系統(tǒng)或計算機中，單個芯片往往不能滿足存儲容量的需求，我們可以將若干個存