第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器教學(xué)目的：1只讀存儲(chǔ)器(rom)電路結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)2-文庫(kù)吧
2025-08-02 15:37 本頁(yè)面
【正文】 28 27256 27512 容量（ KB） 2 4 8 16 32 64 引腳數(shù) 24 24 28 28 28 28 讀出時(shí)間（ ns） 350～ 450 200＊ 200＊ 200＊ 200＊ 170＊ 最大工作電流（ mA） 100 75 100 100 125 最大維持電流（ mA） 35 35 40 40 40 ＊： EPROM的讀出時(shí)間視型號(hào)而定，一般在 100～ 300ns，表中列出的為典型值。 CMOS EPROM的讀出時(shí)間快、耗電少，例如， 27C256的讀出時(shí)間僅為 120ns、最大工作電流 30mA、最大維持電流為 100μ A。表 EPROM芯片的操作方式。 表 EPROM 2716 的操作方式 操作方式 控 制 輸 入 功 能 PGMCS OE PPV CCV 讀 0 0 5v 5v 數(shù)據(jù)輸出 維持 1 5v 5v 高阻態(tài) 編程 1 1 25v 5v 數(shù)據(jù)輸入 編程校驗(yàn) 0 0 25v 5v 數(shù)據(jù)輸出 編程禁止 0 1 25v 5v 高阻態(tài) Wi EC Yi 下面簡(jiǎn)要介紹常用的可編程 EPROM2764集成電路。 2764是一個(gè) 28腳雙列直插封裝的紫外線可擦除可編程 ROM集成電路。 2764共有 213個(gè)字，存儲(chǔ)容量為 8K 8位。其引腳圖如圖 所示。各管腳功能如下： A0～ A12： 13根地址線； D0～ D7 ： 8根三態(tài)數(shù)據(jù)總線； CE ：片選信號(hào)輸入線，低電平有效； OE ：讀選通信號(hào)輸入線，低電平有效； PGM ：編程 脈沖輸入線； VPP：編程電源輸入線； VCC ：主電源輸入線，一般為 +5V； GND：線路地。 圖 2764 引腳圖 2764有 5種操作方式，如表 。 表 EPROM2764 的操作方式 操作方式 控 制 輸 入 功 能 CE OE PGM PPV CCV 編程寫(xiě)入 0 1 0 25v 5v D0～ D7上的內(nèi)容存入對(duì)應(yīng)的單元 讀出數(shù)據(jù) 0 0 1 5v 5v A0～ A12 對(duì)應(yīng)單元的內(nèi)容輸出 低功能維持 1 5v 5v D0～ D7 成高阻態(tài) 編程校驗(yàn) 0 0 1 25v 5v 數(shù)據(jù)讀出 編程禁止 1 25v 5v D0～ D7 成高阻態(tài) 2． EPROM的應(yīng)用 存儲(chǔ)器可以用來(lái)存放二進(jìn)制信息，也可以實(shí)現(xiàn)代碼的轉(zhuǎn)換、函數(shù)運(yùn)算、時(shí)序控制以及實(shí)現(xiàn)各種波形的信號(hào)發(fā)生器等 。下面我們做簡(jiǎn)單介紹。 ROM可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)各種組合邏輯函數(shù)。因?yàn)?ROM的地址譯碼器是一個(gè)與陣列，存 儲(chǔ)矩陣是可編程或陣列，所以很方便用來(lái)實(shí)現(xiàn)與 — 或形式的邏輯函數(shù)。具體實(shí)現(xiàn)方法是： 如圖 所示，把 ROM中的 n位地址端作為邏輯函數(shù)的輸入變量，則 ROM的 n位地址譯碼器的輸出，是由輸入變量組成的 2n個(gè)最小項(xiàng) ,即實(shí)現(xiàn)了邏輯變量的“與”運(yùn)算； ROM中的存儲(chǔ)矩陣 是把有關(guān)的最小項(xiàng)相或后輸出， 實(shí)現(xiàn)了最小項(xiàng)的或運(yùn)算，即形成了各個(gè)邏輯函數(shù)；與陣列中的垂直線代表與邏輯，交叉圓點(diǎn)代表與邏輯的輸入變量；或陣列中的水平線代表或邏輯，交叉圓點(diǎn)代表字線輸入。 例 ROM實(shí)現(xiàn)下列邏輯函數(shù) CCBAYCACBYABBAY??????321 解：利用 AA? ＝ 1將上述函數(shù)式化為標(biāo)準(zhǔn)與－或 式： 28 14 D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12CEOEP G MVPP61098724543252123220222711611121315171819GND VCC ? ?? ?? ?????????????7,5,3,2,14,3,1,07,6,1,0321CCBAYCACBYABBAY 由上述標(biāo)準(zhǔn)式可知：函數(shù) Y1有四個(gè)存儲(chǔ)單元應(yīng)為“ 1”，函數(shù) Y2也有四個(gè)存儲(chǔ)單元應(yīng)為“ 1”，函數(shù) Y3有五個(gè)存儲(chǔ)單元應(yīng)為“ 1”，實(shí)現(xiàn)這三個(gè)函數(shù)的邏輯圖可表示為圖 。 例 用 PROM組成一個(gè)碼制變換器，把 8421BCD碼轉(zhuǎn)換成格雷碼，如表 。 解：把表中的 B B B B0定義為地址輸入量，格雷碼 G G G G0定義為輸出量，存儲(chǔ)矩陣的內(nèi)容由具體的格雷碼決定，則該 PROM的容量為 4 4。按表 矩陣進(jìn)行編程，燒斷 與“ 0”對(duì)應(yīng)的單元中的熔絲。例如 B3B2B1B0=0010時(shí)，字線 W2為高電平，輸出為 G3G2G1G0=0011，故應(yīng)保留 W2和 G1G0交叉點(diǎn)上的熔絲“”，燒斷 W2和 G3G2交叉點(diǎn)上的熔絲。據(jù)此方法可將表 PROM編程圖來(lái)表示。 表 8421BCD 碼轉(zhuǎn)換成格雷碼 8421 BCD 碼 輸 入 格 雷 碼 輸 出 存儲(chǔ)器 B3 B2 B1 B0 G3 G2 G1 G0 W 0 0 0 0 0 0 0 0 W0 0 0 0 1 0 0 0 1 W1 0 0 1 0 0 0 1 1 W2 0 0 1 1 0 0 1 0 W3 Y3 Y2 Y1 A B C 2 amp。 amp。 amp。 amp。 amp。 amp。 amp。 amp。 W4 W3 W2 W1 W0 W5 W6 W7 ≥ 1 ≥ 1 ≥ 1 圖 例題 的邏輯圖 0 1 0 0 0 1 1 0 W4 0 1 0 1 0 1 1 1 W5 0 1 1 0 0 1 0 1 W6 0 1 1 1 0 1 0 0 W7 1 0 0 0 1 1 0 0 W8 1 0 0 1 1 1 0 1 W9 圖 ROM 實(shí)現(xiàn)碼制轉(zhuǎn)換 從上述例子看出，用 PROM能夠?qū)崿F(xiàn)任何與或標(biāo)準(zhǔn)式的組合邏輯函數(shù)。實(shí)現(xiàn)方法非常簡(jiǎn)單，只要將該函數(shù)的真值表列出，使其有關(guān)的最小項(xiàng)相或，即可直 接畫(huà)出存儲(chǔ)矩陣的編程圖。 第三 節(jié) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （ RAM） 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也稱(chēng)隨機(jī)讀 /寫(xiě)存儲(chǔ)器，可以在任意時(shí)刻，對(duì)任意選中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行信息的存入（寫(xiě)）或取出（讀）的信息操作，因此稱(chēng)為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它也是用于存放二進(jìn)制信息，如數(shù)據(jù)、程序指令和運(yùn)算的中間結(jié)果。 一、 RAM 的結(jié)構(gòu) 和工作原理 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)框圖如圖 ，一般由存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼器、片選控制和讀 /寫(xiě)控制電路等組成。它有四種輸入信號(hào)：地址輸入、讀寫(xiě)輸入、數(shù)據(jù)輸入輸出。 1 B 3 1 B 2 1 B 1 1 B 0 amp。 amp。 amp。 amp。 amp。 W 0 W 1 W 2 W 3 W 4 amp。 W 5 amp。 W 6 amp。 W 7 amp。 W
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