【正文】 ne Time Programmable Read Only Memory，OTPROM ）內(nèi)部所用的芯片與寫入原理同EPROM，但是為了節(jié)省成本，封裝上不設(shè)置透明窗，因此編程寫入之后就不能再抹除改寫。電子式可抹除可編程只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。閃存（Flash memory）的每一個記憶胞都具有一個“控制閘”與“浮動閘”，利用高電場改變浮動閘的臨限電壓即可進(jìn)行編程動作。閃存主要分為NAND型與NOR型。RAM（隨機(jī)存取存儲器）RAM random access memory 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機(jī)存儲器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器（Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲器中的消息被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)。相對的，讀取或?qū)懭腠樞蛟L問（Sequential Access）存儲設(shè)備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關(guān)系（如磁帶）。當(dāng)電源關(guān)閉時RAM不能保留數(shù)據(jù)。如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫入一個長期的存儲設(shè)備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會自動消失，而ROM不會?，F(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲器幾乎是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，取存延遲也和其他涉及機(jī)械運作的存儲設(shè)備相比，也顯得微不足道?，F(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲器依賴電容器存儲數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1(二進(jìn)制)，未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲器的易失性。正如其他精細(xì)的集成電路，隨機(jī)存取存儲器對環(huán)境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內(nèi)電容器的電荷，引致數(shù)據(jù)流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機(jī)存取存儲器前，應(yīng)先用手觸摸金屬接地。 存儲器分類如下所示 雙極型半導(dǎo)體存儲器 隨機(jī)存儲器（RAM） MOS存儲器（靜態(tài)、動態(tài)） 主存儲器 可擦除可編程只讀存儲器 只讀存儲器 （ROM） 掩膜型只讀存儲器 快擦型存儲器 可編程只讀存儲器 磁盤（軟盤、硬盤、盤組）存儲器 存儲器 輔助存儲器 磁帶存儲器 光盤存儲器 緩沖存儲器 第2章 存儲器的發(fā)展歷史1) 汞延遲線汞在常溫下為液態(tài)，同時又有導(dǎo)電的特性。用機(jī)械波波峰（1）和波谷（2）表示數(shù)據(jù)，當(dāng)機(jī)械波從汞柱一端開始，一定厚度的熔融太金屬汞通過一振動膜片沿著縱向從一端傳到另一端，并由傳感器將信息反饋到起點，利用汞獲取并延遲了數(shù)據(jù)，實現(xiàn)了存儲。這種汞延遲線存儲器被應(yīng)用于EDVAC—世界上第一臺具有存儲功能的計算機(jī)，但由于環(huán)境條件的限制，這種存儲方式受各種環(huán)境因素影響而不精確。 圖1延遲線存儲器2) 磁帶磁帶存儲器是以磁帶為存儲介質(zhì)，由磁帶機(jī)及其控制器組成的存儲設(shè)備，是計算機(jī)的一種輔助存儲器。磁帶機(jī)由磁帶傳動機(jī)構(gòu)和磁頭等組成，能驅(qū)動磁帶相對磁頭運動，用磁頭進(jìn)行電磁轉(zhuǎn)換，在磁帶上順序地記錄或讀出數(shù)據(jù)。磁帶存儲器以順序方式存取數(shù)據(jù)。存儲數(shù)據(jù)的磁帶可脫機(jī)保存和互換讀出。1951年，由?？颂卦O(shè)計的第一臺通用計算機(jī)UNIVAC—I就是采用的磁帶存儲器。磁帶是所有存儲器發(fā)展中單位存儲信息成本最低、容量最大、標(biāo)準(zhǔn)化最高的常用存儲介質(zhì)之一。由磁帶機(jī)和磁帶結(jié)合的磁帶庫其存儲容量可以達(dá)到PB。在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中，磁帶庫通過SAN系統(tǒng)可形成網(wǎng)絡(luò)存儲系統(tǒng)，是大型網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的良好存儲設(shè)備。圖2 磁帶存儲器3) 磁鼓1932年，奧地利的Gustav Tauschek發(fā)明了磁鼓存儲器。磁鼓存儲器是利用高速旋旋轉(zhuǎn)的圓柱體磁性表面作記錄媒體的存儲設(shè)備。磁鼓存儲器在50至60年代用作計算機(jī)的主要外存儲器。它利用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行數(shù)字信息的寫入與讀出，由作為信息載體的磁鼓筒，磁頭，讀寫及譯碼電路和控制電路等主要部分組成。磁鼓筒是一個高速旋轉(zhuǎn)的精密非磁性材料圓柱，其外表面涂敷一層極薄的磁性記錄媒體。作為電磁轉(zhuǎn)換器的磁頭與鼓筒表面保持微小而恒定的間隙(~以下)并沿鼓筒軸線均勻排列，在電子電路的控制下進(jìn)行信息的寫入和讀出。50年代中期，磁鼓存儲器的容量已經(jīng)有10KB，但它最大的缺點就是利用率不高。磁鼓存儲器采用飽和磁記錄，從固定磁頭發(fā)展到浮動式磁頭，從采用磁膠發(fā)展到采用電鍍的連續(xù)磁介質(zhì)，這些都為后來的磁盤存儲器打下了基礎(chǔ)。圖3 鼓存儲器4) 磁芯在鐵氧體磁環(huán)里穿進(jìn)一根導(dǎo)線，導(dǎo)線中流過不同方向的電流時，可使磁環(huán)按兩種不同方向磁化，代表“1”或“0”的信息便以磁場形式儲存下來。 美籍華人王安博士利用這一思想研制的“脈沖傳輸控制裝置于1949年獲得了美國專利，開創(chuàng)了磁芯存儲器時代。磁芯在導(dǎo)線上流過一定電流下會被磁化或者改變磁化方向，事先可以通過實驗和材料的工藝控制得到