《dram存儲器》ppt課件-文庫吧
2024-12-22 14:02 本頁面
【正文】 芯片的外觀 13 小結(jié) ? DRAM與 SRAM最大的不同是 DRAM的刷新操作，最小刷新周期與介質(zhì)相關(guān)。 ? 有 控制信號，而沒有 片選信號。擴展時用 信號代替 信號。 ? 地址線引腳只引出一半，因此內(nèi)部有兩個鎖存器，行地址選通信號和列地址選通信號在時間上錯開進行復(fù)用。 WE CSRAS CS14 實例 例 1：某一動態(tài) RAM芯片，容量為 64K 1，除電源線，接地線和刷新線外，該芯片最小引腳數(shù)目為多少？ 15 三 DRAM的周期 ? 讀周期： 行地址和列地址要在行選通信號與列選通信號之前有效，并在選通信號之后一段時間有效。保證行地址與列地址能正確選通到相應(yīng)的鎖存器。 ? 寫周期：寫命令信號必須在選通信號有效前有效。 16 三 DRAM的周期 ? 刷新周期： 刷新時，行選通信號有效，列選通信號無效。且刷新地址必須在行選通信號有效前有效，并保持一段時間。 ? 刷新周期： 典型值 2ms、 8ms?16ms；某些器件可大于 100ms 17 有關(guān) DRAM的刷新 ? 刷新操作與讀操作的類似， 但不同。刷新僅給柵極電容補充電荷，不需要信息輸出。刷新時整個存儲器 所有芯片 一起刷新。 ? 無論刷新是由控制邏輯產(chǎn)生地址逐行循環(huán)刷新，還是芯片內(nèi)部自動刷新，都 不依賴于外部的訪問 ，對 CPU是透明的。 18 四 刷新方式 分類 ?集中式刷新 ?分散式刷新 背景 某個存儲器結(jié)構(gòu)為 1024?1024的存儲矩陣。讀 /寫周期為 TC=，刷新周期為 8ms 集中刷新方式 ?集中式刷新： 將一個刷新
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