薄膜技術(shù)ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-07 13:43本頁(yè)面
【正文】 三乙基銦（ＴＥＩ） MR3（金屬烷基） +XH3（氫化物） =MX+3RH 如： Ga（ CH3） 3+AsH3=GaAs+3CH4 又如： xAlCH3） 3+（ 1x） Ga（ CH3） 3+AsH3= GaAs+3CH4 – 特點(diǎn)：低溫分解（ 500176。 C）、生長(zhǎng)速率易于控制、雜質(zhì)易于控制、生產(chǎn)效率遠(yuǎn)高于 MBE – 3) SOI (Silicon on Insulators) *SOS （ Silicon on Sapphire) 是一種異質(zhì)外延，通常 Sapphire的晶向選為（ 0112）、（ 1012）、（ 1102）等 *SIMOX ( Separation by Implanted Oxygen) 目前已經(jīng)較廣泛應(yīng)用 *Wafer Bonding（ Smart Cut） To form gas void layer 對(duì)于 Si 低溫 600176。 C； 高質(zhì)量薄外延層 ?m 表面粗糙度2197。 均勻性 ~5%（ ?~200mm） 金屬污染5x1010/cm3 ? 選擇性外延 (SEG) Epilayer Formation during PlasmaBased PECVD reactor Continuous film 8) Byproduct removal 1) Reactants enter chamber Substrate 2) Dissociation of reactants by electric fields 3) Film precursors are formed 4) Adsorption of precursors 5) Precursor diffusion into substrate 6) Surface reactions 7) Desorption of byproducts Exhaust Gas delivery RF generator Byproducts Electrode Electrode RF field
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