薄膜技術(shù)ppt課件(參考版)
2025-05-10 13:43本頁面
【正文】 均勻性 ~5%（ ?~200mm） 金屬污染5x1010/cm3 ? 選擇性外延 (SEG) Epilayer Formation during PlasmaBased PECVD reactor Continuous film 8) Byproduct removal 1) Reactants enter chamber Substrate 2) Dissociation of reactants by electric fields 3) Film precursors are formed 4) Adsorption of precursors 5) Precursor diffusion into substrate 6) Surface reactions 7) Desorption of byproducts Exhaust Gas delivery RF generator Byproducts Electrode Electrode RF field 。 C）、生長速率易于控制、雜質(zhì)易于控制、生產(chǎn)效率遠高于 MBE – 3) SOI (Silicon on Insulators) *SOS （ Silicon on Sapphire) 是一種異質(zhì)外延，通常 Sapphire的晶向選為（ 0112）、（ 1012）、（ 1102）等 *SIMOX ( Separation by Implanted Oxygen) 目前已經(jīng)較廣泛應用 *Wafer Bonding（ Smart Cut） To form gas void layer 對于 Si 低溫 600176。 – 4）減小自摻雜效應措施 襯底雜質(zhì)的選擇：（擴散系數(shù)小、蒸發(fā)速率低，如 Sb） 兩步外延、低溫（變溫）技術(shù)（如選擇適當?shù)幕瘜W體系、光照、等離子體等）、 低壓技術(shù)、掩蔽技術(shù)等 – 清潔技術(shù) – 外延層性能檢測 電阻率、雜質(zhì)分布、 厚度 、缺陷
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