薄膜材料與薄膜技術復習資料(參考版)
2024-08-16 16:12本頁面
【正文】 原料氣體具有劇毒。優(yōu)點（相對于其他幾種外延生長）：①反應裝置較為簡單，生長溫度較寬②可對化合物的組分進行精確控制，膜的均勻性和膜的電化學性質(zhì)重復性好③原料氣體不會對生長膜產(chǎn)生刻蝕作用。原料含有化合物半導體組分。③熱壁外延生長(HWE)定義：一種真空沉積技術，在這一技術中外延膜幾乎在接近熱平衡條件下生長，通過加熱源材料與基片材料間的容器壁實現(xiàn)的。離子助沉積（IAD）P771外延生長①分子束外延(MBE)定義：在超高真空條件下精確控制原材料的中性分子束強度，并使其在加熱的基片上進行外延生長的一種技術。膜與基片結(jié)合好，離子鍍的粒子繞射性，沉積率高，對環(huán)境無污染。 真空蒸發(fā)與離子鍍真空蒸發(fā)是待蒸發(fā)材料在真空中被加熱蒸發(fā)或者升華轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀?，使之在工件或者基片表面析出的過程?；瘜W鍍、陽極沉積反應不可單獨作為鍍膜技術，一般作為前驅(qū)鍍處理襯底或后續(xù)鍍做保護層。化學鍍需添加還原劑。（依賴陽極反應）同：都是通過化學反應來實現(xiàn)的沉積過程異：電鍍涉及電化學反應關注的是陰極沉積，而化學鍍不涉及電化學反應，陽極反應沉積涉及電化學反應，但只在陽極。分類：射頻（RPECED）、高壓電源（PECVD）、微波（mPECVD）、回旋電子加速微波 （mECRPECVD） 電鍍、化學鍍、陽極反應沉積電鍍：電流通過導電液中的流動而產(chǎn)生化學反應最終在陰極上（電解）沉積某一物質(zhì)的過程。同：都是通過使氣體分解達到化學氣相沉積的效果異：激活方式不同，前者為激光束激活，后者為光激活附：PECVD等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）定義：在等離子體中電子平均能量足以使大多數(shù)氣體電離或分解優(yōu)點：比傳統(tǒng)的化學氣相沉積低得多的溫度下獲得單質(zhì)或化合物薄膜材料缺點：由于等離子體轟擊，使沉積膜表面產(chǎn)生缺陷，反應復雜，也使薄膜的質(zhì)量有
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