薄膜材料與薄膜技術(shù)復(fù)習資料-資料下載頁
2025-08-05 16:12本頁面
【正文】 需要外加電場。化學鍍、陽極沉積反應(yīng)不可單獨作為鍍膜技術(shù)，一般作為前驅(qū)鍍處理襯底或后續(xù)鍍做保護層。電鍍可單獨作為鍍膜技術(shù)。 真空蒸發(fā)與離子鍍真空蒸發(fā)是待蒸發(fā)材料在真空中被加熱蒸發(fā)或者升華轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀?，使之在工件或者基片表面析出的過程。離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物部分離化，產(chǎn)生離子轟擊效應(yīng)，最終將蒸發(fā)物或反應(yīng)物沉積在基片上同：都需要真空條件，且都是物理氣相沉積技術(shù)異：離子鍍結(jié)合蒸發(fā)與濺射兩種薄膜沉積技術(shù)。膜與基片結(jié)合好，離子鍍的粒子繞射性，沉積率高，對環(huán)境無污染。離子束與離子助離子束沉積（IBD）：在離子束濺射沉積過程中，高能離子束直接打向靶材，將后者濺射并沉積到相鄰的基片上。離子助沉積（IAD）P771外延生長①分子束外延(MBE)定義：在超高真空條件下精確控制原材料的中性分子束強度，并使其在加熱的基片上進行外延生長的一種技術(shù)。優(yōu)點：超高真空、可以實現(xiàn)低溫過程、原位監(jiān)控、嚴格控制薄膜成分及摻雜濃度②液相外延生長(LPE)定義：從液相中生長膜，溶有待鍍材料的溶劑是液相外延生長所必需的。③熱壁外延生長(HWE)定義：一種真空沉積技術(shù)，在這一技術(shù)中外延膜幾乎在接近熱平衡條件下生長，通過加熱源材料與基片材料間的容器壁實現(xiàn)的。④有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)定義：采用加熱方式將化合物分解而進行外延生長半導體化合物的方法。原料含有化合物半導體組分。特點：可對多種化合物半導體進行外延生長。優(yōu)點（相對于其他幾種外延生長）：①反應(yīng)裝置較為簡單，生長溫度較寬②可對化合物的組分進行精確控制，膜的均勻性和膜的電化學性質(zhì)重復(fù)性好③原料氣體不會對生長膜產(chǎn)生刻蝕作用。④只通過改變原材料即可以生長出各種成分的化合物缺點：所用的有機金屬原料一般具有自燃性。原料氣體具有劇毒。
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