薄膜材料與薄膜技術(shù)復(fù)習(xí)資料(已修改)
2025-08-17 16:12 本頁(yè)面
【正文】 填空題1. 真空區(qū)域的劃分粗真空： 低真空： 高真空：超高真空：2. 分子泵分為牽引泵、渦輪分子泵和復(fù)合分子泵注：渦輪分子泵：抽氣能力高牽引分子泵：壓縮比大，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，轉(zhuǎn)速較小3. 電阻真空計(jì)：真空室的壓強(qiáng)和燈絲電阻之間存在關(guān)系：P↓→R↑, 測(cè)量范圍 熱偶真空計(jì)：氣體壓強(qiáng)與熱電偶電動(dòng)勢(shì)之間存在關(guān)系： 測(cè)量范圍 電離真空計(jì)包含類型：?熱陰極電離真空計(jì)?冷陰極電離真空計(jì)?BA式電離真空計(jì)A：燈絲 （發(fā)射極）F：柵極（加速極） G：收集極熱氧化生長(zhǎng)在充氣條件下，通過(guò)加熱基片的方式可以獲得大量的氧化物、氮化物和碳化物薄膜7. 化學(xué)氣相沉積方法得到的膜的性質(zhì)取決于氣體的種類和沉積條件（如溫度）等9用于制備各薄膜的化學(xué)氣相沉積涉及三個(gè)基本過(guò)程：反應(yīng)物的輸運(yùn)過(guò)程，化學(xué)反應(yīng)過(guò)程，去除反應(yīng)副產(chǎn)品過(guò)程10化學(xué)氣相沉積過(guò)程中所經(jīng)常遇到的一些典型反應(yīng)有：分解反應(yīng)、還原反應(yīng)、氧化反應(yīng)、氮化反應(yīng)、碳化反應(yīng)和化合反應(yīng)等11PECVD定義：等離子體中電子平均能量（1~20ev），利用等離子體使大多數(shù)氣體電離或 分解的化學(xué)氣相沉積 應(yīng)用：可以沉積各種材料包括：SiOSi3N非晶si：H、多晶si、sic等介電和半導(dǎo)體12電鍍：在水溶液中，離子被溶入到薄膜以前經(jīng)歷了一下一系列過(guò)程?去氫?放電?表面擴(kuò)散④成核結(jié)晶13電鍍法制備薄膜性質(zhì)取決于電解液、電極和電流密度優(yōu)點(diǎn)：?薄膜的生長(zhǎng)速度較快?基片可以是任意形狀缺點(diǎn)：電鍍過(guò)程難以控制14真空蒸發(fā)技術(shù)的方法有：電阻加熱蒸發(fā)，閃爍蒸發(fā)，電子束蒸發(fā)，激光熔融蒸發(fā)，弧光蒸發(fā)，射頻加熱蒸發(fā)等1 離子鍍集氣體輝光放電、等離子體技術(shù)、真空蒸發(fā)技術(shù)于一身，大大改善了薄膜的性能，兼有真空蒸發(fā)鍍膜和濺射的優(yōu)點(diǎn)。1 外延生長(zhǎng)的主要技術(shù)有 分子束外延（MBE）、液
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