薄膜材料與薄膜技術(shù)復(fù)習(xí)資料-文庫吧資料
2024-08-18 16:12本頁面
【正文】 所下降。三極濺射：采用直流電源，將一個獨立的電子源（熱陰極）中的電子注入到放電系統(tǒng)中，而不是從靶陰極獲得電子。辨析直流、交流、三極濺射直流濺射：施加直流電壓，使真空室內(nèi)中性氣體輝光放電，正離子打擊靶材，使靶材表面中性原子溢出。對于小尺寸臨界核，這時必須過飽和度很高才能發(fā)生凝聚成核。216。熱力學(xué)界面能理論適合描述大尺寸臨界核。②不同之處：兩個使用的能量不同，所用模型不同。①相同之處：所依據(jù)的基本概念相同，所得到的成核速率公式形式也基本相同。對于對稱性高的分子，拉曼敏感。②都是測定薄膜樣品中分子振動的。拉曼光譜：可見光或紫外線照射在樣品上時，出來的散射光頻率會有稍許改變，這種改變乃是由分子振動引起的。辨析：辨析紅外吸收光譜與拉曼光譜①紅外吸收光譜：構(gòu)成薄膜樣品分子振動的頻率一般從紅外延展到遠紅外，用紅外線照射薄膜樣品時，與樣品分子振動頻率相同的紅外線就會被分子共振吸收。特點：?靶材的不均勻使用?腐蝕不均勻，內(nèi)應(yīng)力大?靶材使用壽命短 磁線外延到靶材時，少量外延到襯底，可以對襯底進行預(yù)清洗。缺點：①靶材利用率低，表面不均勻濺射、非均勻腐蝕及內(nèi)應(yīng)力 ②不適用于強磁體 簡述非平衡磁控濺射及特點對于一個常規(guī)的磁控濺射靶，改變其磁場分布，使某一磁極的磁場相對于另一極性相反的部分增強或者減弱，導(dǎo)致磁控濺射靶磁場的“非平衡”。應(yīng)用：應(yīng)用這一技術(shù)可以生長有序單原子層、高度有序多原子層，其介電強度較高過程見課本P30簡述什么是磁控濺射及磁場的作用和優(yōu)缺點磁控濺射：磁力線延伸到襯底，對襯底進行適當(dāng)濺射，通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。 在薄膜的致密度和質(zhì)量上后者一般較好，且后者一般需要在真空條件下進行。 化學(xué)氣相沉積通過輸運薄膜組分物質(zhì)或反
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