薄膜成膜技術(shù)ppt課件-文庫吧資料
2025-05-18 13:55本頁面
【正文】 (6) 此方程稱為克拉伯龍 — 克勞修斯方程。 若材料在密閉容器中蒸發(fā)，蒸汽壓強越來越大，蒸發(fā)速率則越來越小，最后達到飽和，單位時間內(nèi)液相變?yōu)闅庀嗟牟牧蠑?shù)量與從氣相返回液相的材料數(shù)量相等，這時的蒸氣壓強為恒值，稱為飽和蒸汽壓。 被蒸發(fā)物質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)橐合嗪螅衾^續(xù)升高溫度，則開始蒸發(fā)，蒸發(fā)是發(fā)生在液相表面的汽化過程。 /1l ? ?/ ? ?30l cm? / ? ?? 510P ??4710 ~ 10?? 在真空中加熱被蒸發(fā)的物質(zhì)，使物質(zhì)由固相轉(zhuǎn)變?yōu)橐合?，這一過程稱為熔解。 ?如果 ，為使 ， 應(yīng)為 300厘米，則 托。 PV N kT? PnkT?22kTP? ???0A 0C3 15 * 1 0P???? 410P ?? 以上討論可知，在常用的真空度 ( 托 )下，分子的平均自由程 遠大于源 — 基距，但在蒸發(fā)粒子總數(shù) N中總有一部分 與別的分子相 碰撞，這一部分粒子的自由程小于源 — 基距 ，碰撞幾率 可表示為： (5) 可見，僅當 趨近于 0時， 才趨于 0，此時才不發(fā)生碰撞。當 托時，空氣分子 的平均自由程為 50厘米。如果近似把粒子看成彈性球，它的有效直徑為 ，則粒子的碰撞頻率為： (1) 因為 所以平均自由程為 (2) 可見，平均自由程僅與粒子的濃度和大小有關(guān)，與平均速度無關(guān)。單位體積中粒子數(shù) n越多，相互碰撞的機會也越多，平均自由程 就越短。此時，真空室中有兩種粒子，一種是蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子，另一種是殘余氣體分子。 (1大氣壓 =* pa, 1托 =1/760大氣壓 =) 5101) 蒸發(fā)系統(tǒng) 蒸發(fā)系統(tǒng)的主要部分有： ，為蒸發(fā)過程提供了相應(yīng)的環(huán)境； ，被蒸發(fā)材料被置于此處并加熱；，在它上面形成蒸發(fā)料淀積層； ； e.加熱器 2) 理論基礎(chǔ) 真空蒸發(fā)的具體過程可分為三個階段：從蒸發(fā)源開始的熱蒸發(fā)；蒸發(fā)料原子或分子從蒸發(fā)源向基片渡越；蒸發(fā)料原子或分子淀積在基片上。真空度與氣壓是同一物理概念，真空度越高，氣壓越小 ，真空度越低，氣壓越大。 410?“托”是表示真空度大小的單位。 本課程重點講述干式成膜法中的真空蒸發(fā)和離子濺射。對于電鍍來說，促進析出的還原能量由外部電源提供；對于化學鍍來說，需要添加還原劑。 CVD法成膜材料范圍廣泛，除堿金屬，堿土金屬之外，幾乎所有的材料均可以成膜，特別適用于絕緣膜、超硬膜等特殊功能的膜的沉積。 2) CVD法 CVD法泛指氣態(tài)原料通過化學反應(yīng)生成固體薄膜的沉積過程。 濺射鍍是將放電氣體導入真空，在輝光放電下產(chǎn)生正離子加速轟擊處于陰極的靶材，使濺射出的原子沉積于基板上。 1) 真空蒸發(fā) (鍍 )及濺射法 真空蒸發(fā)是將鍍料在真空中加熱、蒸發(fā)，使蒸氣原子團在溫度較低的基板上析出形成薄
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