薄膜技術(shù)ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-13 13:43本頁(yè)面
【正文】 紅外干涉法 IR（ Infrared） Reflection，（ coherence） Page 369 – 外延過程中的圖形漂移 對(duì)策：晶向偏 2~5176。 C） – 3）生長(zhǎng)速率與襯底取向的關(guān)系 v(110)v(100)v(111) ? – 4)氣相質(zhì)量轉(zhuǎn)移 進(jìn)一步分析可得： 由這一公式可得出什么？ xUPDh rGG?? 0331?– 外延堆垛層錯(cuò) CCAAAAAAAAAAAAACC BBBCCCCCCCCCCCCCBBB AAABBBBBBBBBBBAAAAA CCCAAAAAAAAACCCCC BBBBCCCCCCCCCBBBBB AAAAABBBBBBBAAAAAA CCCCCCAAAAACCCCCCC BBBBBBBBCCCBBBBBBBB AAAAAAAABAAAAAAAAA 層錯(cuò) (失配晶核 )產(chǎn)生的原因：晶面的缺陷(機(jī)械損傷、位錯(cuò)、微缺陷、氧化斑點(diǎn)、雜質(zhì)沉陷區(qū) )和表面污染（灰塵、雜質(zhì)等），氣體和反應(yīng)劑的純度不夠，溫度過低或起伏過大，生長(zhǎng)速率過快等。 – 因而，氣相外延是由下述步驟組成的多相過程 1）反應(yīng)劑分子以擴(kuò)散方式從氣相轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)層 表面 2）反應(yīng)劑分子在生長(zhǎng)層表面吸附； 3）被吸附的反應(yīng)劑分子在生長(zhǎng)層的表面完成化 學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生硅原子及其它副產(chǎn)物； 4）副產(chǎn)物分子叢表面解吸； 5）解吸的副產(chǎn)物以擴(kuò)散的形式轉(zhuǎn)移到氣相，隨 主氣流排出反應(yīng)腔； 6）反應(yīng)所生成的硅原子定位于晶格點(diǎn)陣，形成 單晶外延層； Substrate Continuous film 8) Byproduct removal 1) Mass transport of reactants Byproducts 2) Film precursor reactions 3) Diffusion of gas molecules
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